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公开(公告)号：CN116184146A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211476746.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 郭亚慧 , 孙鹏 , 李焕林 , 蔡雨萌 , 赵志斌 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。
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公开(公告)号：CN114414975B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202210047622.4
申请日：2022-01-17
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统，包括绘制不同电流等级下碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1、VDTSEP2与结温Tj的关系曲线；根据器件动态温敏电参数值、负载电流I和结温Tj的关系构建解析模型；根据器件动态温敏电参数值VDTSEP1和VDTESP2、负载电流I和结温Tj的解析模型以及待测工况下动态温敏电参数VDTSEP1和VDTESP2的值，求取器件不同工况在线运行的负载电流I、确定器件在线运行的结温。本发明能间接测量碳化硅MOSFET在任何工况下的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据，有利于保证电力系统的可靠运行。
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公开(公告)号：CN114414975A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210047622.4
申请日：2022-01-17
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统，包括绘制不同电流等级下碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1、VDTSEP2与结温Tj的关系曲线；根据器件动态温敏电参数值、负载电流I和结温Tj的关系构建解析模型；根据器件动态温敏电参数值VDTSEP1和VDTESP2、负载电流I和结温Tj的解析模型以及待测工况下动态温敏电参数VDTSEP1和VDTESP2的值，求取器件不同工况在线运行的负载电流I、确定器件在线运行的结温。本发明能间接测量碳化硅MOSFET在任何工况下的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据，有利于保证电力系统的可靠运行。
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公开(公告)号：CN115472355B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202211124115.2
申请日：2022-09-15
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 华北电力大学
Abstract: 本发明提供一种用于气液混合态介质内的绝缘装置，属于高压绝缘领域，绝缘装置包括：第一绝缘子段、第二绝缘子段及第三绝缘子段；第一绝缘子段和第二绝缘子段均为圆台形；第三绝缘子段为圆柱形；第一绝缘子段的上底面与高电位金属体连接，下底面与第二绝缘子段的下底面固定；第三绝缘子段的一个底面与低电位金属体连接，另一个底面与第二绝缘子段的上底面固定；第一绝缘子段的侧面、第二绝缘子段的侧面及第三绝缘子段的侧面在轴向上均为正弦函数曲线形状。避免了气液混合态介质在绝缘装置表面聚集导致绝缘性能下降的问题，即提高了绝缘装置在气液混合态介质内的绝缘性能。
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公开(公告)号：CN119028935B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411509868.4
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件，该功率模块包括衬板和芯片，衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构，第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿功率模块的长度方向延伸，第一导电结构和第二导电结构上均设置有芯片；其中，功率模块还包括片状的第一互连片和第二互连片，芯片的上表面通过第一互连片与第一导电结构和/或第二导电结构导电连接，第一导电结构通过第二互连片与第二导电结构导电连接。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的散热能力较差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112638105B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202011560566.1
申请日：2020-12-25
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种功率模块及其封装方法，包括上功率模块以及下功率模块；上功率模块包括覆铜陶瓷基板单元、信号汇集区域单元以及芯片并联单元；覆铜陶瓷基板单元包括栅极、源极、辅助源极以及漏极的覆铜陶瓷基板；漏极和源极的覆铜陶瓷基板叠层放置；信号汇集区域单元包括栅极、源极、辅助源极以及漏极的信号汇集区域；信号汇集区域分别设置在相对应的覆铜陶瓷基板的覆铜上；芯片并联单元包括三个并联的MOSFET芯片；MOSFET芯片的栅极、源极、辅助源极以及漏极分别与相对应的信号汇集区域相连接；上功率模块和下功率模块的结构相同；上功率模块的源极信号汇集区域与下功率模块的漏极信号汇集区域相连接。本发明能够改善电流分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN111063679B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202010008671.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开一种多器件并联功率模块的布局电路板。所述多器件并联功率模块的布局电路板中，第一莲花形BNC接口(包括所述负载正极输出端子和所述负载负极输出端子)位于PCB板中心，碳化硅器件并联模块中的多个并联碳化硅器件以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局；退耦合电容并联模块中的多个并联退耦合电容以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局，优化了并联器件的排列位置，使得电路寄生参数匹配，降低了电路杂散电感的分布差异并消除了电流耦合效应，能够改变多器件并联功率模块的暂态电流不平衡，实现较好的并联碳化硅器件的均流特性。
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公开(公告)号：CN119028965A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411519127.4
申请日：2024-10-29
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板；第一芯片模块，与基板连接，第一芯片模块包括多个第一半导体芯片，多个所述第一半导体芯片并联连接；第二芯片模块，与基板连接，第二芯片模块与第一芯片模块串联连接；第一功率端子，与第一芯片模块导电连接；第二功率端子，与第二芯片模块导电连接。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件难以兼顾高电压等级和成本的问题。
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公开(公告)号：CN119028936A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411509870.1
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件，该功率模块包括衬板和多个芯片，衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构，第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿第一方向延伸，第一导电结构和第二导电结构上均设置有多个芯片，第一导电结构上的多个芯片和第二导电结构上的多个芯片均在对称轴的两侧对称排布。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的芯片布局位置较为集中的问题。
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公开(公告)号：CN118914625A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410968197.1
申请日：2024-07-18
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本申请涉及一种罗氏线圈信号处理电路、电流传感器及信号处理方法，该电路至少包括积分电路、缓冲器、半波整流电路、二阶高通滤波电路以及二阶低通滤波电路；其中缓冲器用于隔离缓冲器前后的电路信号相互影响并保持电压跟随；二阶高通滤波电路用于对积分电路输出信号进行高通滤波，保留高频成分；二阶低通滤波电路用于对半波整流电路输出信号进行低通滤波，保留低频成分。通过二阶滤波电路分别获取积分电路输出信号的高频部分和低频部分并互补叠加，获得完整的暂态振荡波形正确且无下垂失真的被测电流信号，其提高了传感器测量精准度并实现长时间测量。同时缓冲器可避免前后电路的信号影响并保证前后电压跟随，进而提高最终输出信号的准确性。
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