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公开(公告)号：CN117907762A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311737096.5
申请日：2023-12-18
Applicant: 杭州意能电力技术有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种特高频局部放电检测方法及装置，属于特高频局部放电检测技术领域，目的在于克服现有特高频局部放电检测方法难以兼顾较好抑制外部干扰和避免遗漏放电特征峰。检测方法包括以下步骤：将天线放置于屏蔽腔内，然后通过天线来接收送检信号；接收机基于送检信号整个带宽调节频点和带宽，对每个频点都采用特高频窄带检测法进行检测；送检信号转变成数字信号；数据显示终端将所接收到的数字信号进行显示并将所获得的数字信号传回局部放电故障诊断系统；求取时延建立方程，然后对局部放电源的空间定位。该方法与装置可以在整个大带宽内实现每个频点的扫频测试，实现了特高频窄带检测法和特高频宽带检测法优点的兼顾。
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公开(公告)号：CN110926762B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201911157148.5
申请日：2019-11-22
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种紫外成像仪带外抑制能力的检测系统及方法。本发明的检测系统，其包括光源、积分球、光功率计和计算控制系统；所述的积分球设有一个入光口和两个出光口，所述的入光口与光源连接，一个出光口用于与待测设备连接，另一个出光口与光功率计连接；所述的计算控制系统，其包括光源控制单元，光功率计数据采集、处理、显示单元和校验处理单元；所述的校验处理单元，通过分析待测设备光子数和光功率计的数据，选择光子数评价标准，评估待测设备的带外抑制能力。本发明检测系统构造简单，对检测环境要求低，对检测人员要求低，便于广泛普及应用。
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公开(公告)号：CN112986782A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110202946.6
申请日：2021-02-23
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及功率半导体特性参数测试技术领域，提供了一种功率半导体特性参数测试系统，包括低压仪表设备单元、低压控制单元、高压仪表设备单元、高压控制单元、器件适配单元和测试主控单元；低压控制单元包括低压项目相关部件和继电器组；继电器组分别设于低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间并根据不同类型的低压参数测试项目预设对应的导通状态；继电器组按照预设导通状态使低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间切换连接状态以形成与测试项目对应的测试电路；将低压测试项目的测试电路整合到一起，通过继电器组，可以更改测试连接方式，自动实现不同测试项目的切换。
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公开(公告)号：CN109799072A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910068951.5
申请日：2019-01-24
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种多光谱紫外成像光学性能检测系统和检测方法。目前尚未有成熟的关于双光路、多光谱光学系统光学性能检测的设备和方法。本发明的一种多光谱紫外成像光学性能检测系统，包括一个多谱段光源、一个平行光管和一个多维度转台，所述的多谱段光源包含紫外、可见和红外波段的光；所述的平行光管内部采用折返式光学系统，用于实现折返式光路，所述的折返式光学系统包括位于平行光管内部两侧的多面曲率不同反光镜，多谱段光源发出的光线进入平行光管内，经折返式光路后平行射出；所述的多维度转台置于平行光管前端，实现多维度转动。本发明可在同一系统中实现多光谱光学系统的光学性能检测，为多光谱光学系统性能检测提供方案。
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公开(公告)号：CN115166601A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210703998.6
申请日：2022-06-21
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 齐磊 , 刘一阳 , 张翔宇 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
Abstract: 本发明涉及一种MMC子模块状态在线监测方法及系统，该方法通过测量负载电流及在IGBT器件导通过程中电容器的电压变化量，获得电容器的容值，通过测量IGBT器件关断过程中的电容器的电压过充峰值，获得IGBT器件的结温，实现了电容器的容值和IGBT器件的结温的一体化监测，而且本发明在电容器的容值的获取过程中无需改变换流器的工作状态，不会对变流器的运行产生影响，可实现在线监测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112964926B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110155302.6
申请日：2021-02-04
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 杨青 , 刘黎 , 王一帆 , 孙明 , 林氦 , 邓志江 , 曾振源 , 张斌 , 陈少华 , 宋琦华 , 周迅 , 曹力力 , 张翾喆 , 汪桢毅 , 姜烔挺
Abstract: 本发明公开了一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，属于电力技术领域，目的在于克服现有测试治具寿命判定不准确的缺陷。测试治具使用寿命管理方法，当测试治具达成第一条件、第二条件和第三条件之一时，则判断测试治具寿命终止。本发明所提供的一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，通过预设三种条件，当其中一种条件满足时就判断测试治具寿命终止，其中第一条件为对接插件接插动作次数、通电次数和过流次数的综合考量，第二条件为对接插件阻抗增加程度的考量，第三条件为对接插件相邻两次阻抗变化率的考量，这样就提高了判断测试治具寿命终止的可靠性。
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公开(公告)号：CN112964926A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110155302.6
申请日：2021-02-04
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 杨青 , 刘黎 , 王一帆 , 孙明 , 林氦 , 邓志江 , 曾振源 , 张斌 , 陈少华 , 宋琦华 , 周迅 , 曹力力 , 张翾喆 , 汪桢毅 , 姜烔挺
Abstract: 本发明公开了一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，属于电力技术领域，目的在于克服现有测试治具寿命判定不准确的缺陷。测试治具使用寿命管理方法，当测试治具达成第一条件、第二条件和第三条件之一时，则判断测试治具寿命终止。本发明所提供的一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，通过预设三种条件，当其中一种条件满足时就判断测试治具寿命终止，其中第一条件为对接插件接插动作次数、通电次数和过流次数的综合考量，第二条件为对接插件阻抗增加程度的考量，第三条件为对接插件相邻两次阻抗变化率的考量，这样就提高了判断测试治具寿命终止的可靠性。
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公开(公告)号：CN109581258A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811324511.3
申请日：2018-11-08
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种镜面-单锥标准脉冲场复现系统及方法。本发明的镜面-单锥标准脉冲场复现系统，包括镜面-单锥子系统、位移量监控-自动调整子系统、馈源-射频子系统和软件控制子系统；所述的馈源-射频子系统，包括脉冲信号源、示波器、阻抗变换器以及同轴电缆，通过同轴电缆把脉冲信号源与阻抗变换器连接，阻抗变换器作为馈源使用；所述的软件控制子系统，用于控制脉冲信号源和示波器，并且采集位移监控装置的数据；当锥尖相对于镜面的位移量超过设定范围时，软件控制子系统控制自动调整机构对锥体角度进行微调，减小锥尖与镜面之间的变形量。本发明确保标准脉冲场所依赖的几何外形不变，具有实现方式简单、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN116184146A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211476746.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 郭亚慧 , 孙鹏 , 李焕林 , 蔡雨萌 , 赵志斌 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。
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公开(公告)号：CN117496492A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311201309.2
申请日：2023-09-18
Applicant: 杭州意能电力技术有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06V20/60 , G06V10/20 , G06V10/28 , G06V10/30 , G06V10/34 , G06V10/44 , G06V10/22 , G06T7/11 , G06T7/136 , G06T7/60
Abstract: 本发明公开了一种面向仪表检测的精密压力表自动读数方法及装置。本发明的精密压力表自动读数方法包括：步骤A：对摄像机拍摄的仪表图像进行预处理，裁剪获得表盘图像；步骤B：对于步骤A获得的表盘图像，检测其表盘圆心；步骤C：对于步骤A获得的表盘图像，检测其指针方向以及指针偏转角；步骤D：对于步骤A获得的表盘图像，检测其零刻度线和满刻度线位置以及相应的偏转角；步骤E：对于步骤A获得的表盘图像，自动获取其量程；步骤F：自动完成读数计算。本发明基于精密压力表指针和刻度线的像素分布特征来准确检测其位置，能够有效减少因光照或表盘背景干扰而导致的误识别，具有较高的鲁棒性和实用性。
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