公开(公告)号：CN106632999A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610807102.3

申请日：2016-09-06

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 黄飞 ,  金耀城 ,  陈智明 ,  应磊 ,  曹镛

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/18 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/91 ,  H01L51/0036

Abstract: 本发明涉及一种含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的聚合物半导体材料及其制备方法与应用。本发明通过并噻吩类单体与含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的多种单体进行共聚，获得含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的聚合物半导体。由于萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑具有良好的吸电子能力以及平面性，本发明所制备的新型含萘[1,2‑c;5,6‑c]二[1,2,5]噻二唑的聚合物半导体材料可以非常好的调节光电性质，具有良好的光电性能，因此可应用于制作聚合物太阳电池的活性层。