公开(公告)号：CN107507892A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710743693.7

申请日：2017-08-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  张子辰 ,  张云鹏 ,  郭晓萍 ,  曾禹 ,  黄振强

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明属于LED的技术领域，公开了一种高发光效率的垂直结构LED芯片及其制备方法。所述高发光效率的垂直结构LED芯片自下而上依次包括导电衬底、金属键合层、金属反射层、p型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和n型GaN层，所述n型GaN层上设有n电极，未被n电极覆盖的n型GaN层上设有ZnO纳米柱层。本发明在垂直结构LED芯片表面制备的ZnO纳米柱，可提高垂直结构LED芯片光提取效率。

公开(公告)号：CN207217574U

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201721075337.4

申请日：2017-08-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  张子辰 ,  张云鹏 ,  郭晓萍 ,  曾禹 ,  黄振强

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46

Abstract: 本实用新型属于LED的技术领域，公开了一种高发光效率的垂直结构LED芯片。所述高发光效率的垂直结构LED芯片自下而上依次包括导电衬底、金属键合层、金属反射层、p型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和n型GaN层，所述n型GaN层上设有n电极，未被n电极覆盖的n型GaN层上设有ZnO纳米柱层。本实用新型在垂直结构LED芯片表面设置的ZnO纳米柱，可提高垂直结构LED芯片光提取效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利