公开(公告)号：CN108911512A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810771863.7

申请日：2018-07-13

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 彭诚 ,  赵海岩 ,  吴建青 ,  吕明 ,  吴敏 ,  曾禹

IPC: C03C8/08

Abstract: 本发明公开了一种可析出锐钛矿晶体的光催化釉的配方及制备方法，属于陶瓷技术领域；该光催化釉由以下重量份的组分组成：10-12份TiO2，48-50份SiO2，2-4份Al2O3，16-18份B2O3，7.5-9份Na2O，6-7.5份K2O，1-3份MgO，1-3份P2O5，1份氟（F），将上述配方的釉料烧成熔块，研磨过200目筛子烘干后即得熔块釉。本发明直接将TiO2加入熔块釉中，在釉熔体冷却时成功析出了锐钛矿晶体，理论上有益于光催化活性。

公开(公告)号：CN108751715A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810770831.5

申请日：2018-07-13

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 彭诚 ,  赵海岩 ,  吴建青 ,  吕明 ,  吴敏 ,  曾禹

IPC: C03C8/08 ,  C03C8/04 ,  C04B41/86 ,  C04B35/64

CPC classification number: C03C8/08 ,  C03C8/04 ,  C04B35/64 ,  C04B41/5022 ,  C04B41/86 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B41/0072

Abstract: 本发明公开了一种釉面含有锐钛矿晶体的光催化陶瓷的制备方法。该制备方法包括制备熔块釉、施釉、干燥、烧成等步骤。本方法采用一次烧成，所得陶瓷的釉面均匀地析出了纳米级的锐钛矿晶体，具有一定的光催化性能、较好的易洁性和良好的耐磨性，并且该方法工艺简单，有利于工业化生产。

公开(公告)号：CN107507892A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710743693.7

申请日：2017-08-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  张子辰 ,  张云鹏 ,  郭晓萍 ,  曾禹 ,  黄振强

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明属于LED的技术领域，公开了一种高发光效率的垂直结构LED芯片及其制备方法。所述高发光效率的垂直结构LED芯片自下而上依次包括导电衬底、金属键合层、金属反射层、p型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和n型GaN层，所述n型GaN层上设有n电极，未被n电极覆盖的n型GaN层上设有ZnO纳米柱层。本发明在垂直结构LED芯片表面制备的ZnO纳米柱，可提高垂直结构LED芯片光提取效率。

公开(公告)号：CN207217574U

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201721075337.4

申请日：2017-08-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  张子辰 ,  张云鹏 ,  郭晓萍 ,  曾禹 ,  黄振强

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46

Abstract: 本实用新型属于LED的技术领域，公开了一种高发光效率的垂直结构LED芯片。所述高发光效率的垂直结构LED芯片自下而上依次包括导电衬底、金属键合层、金属反射层、p型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和n型GaN层，所述n型GaN层上设有n电极，未被n电极覆盖的n型GaN层上设有ZnO纳米柱层。本实用新型在垂直结构LED芯片表面设置的ZnO纳米柱，可提高垂直结构LED芯片光提取效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利