公开(公告)号：CN104051319A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310196353.9

申请日：2013-05-24

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 杨胜威 ,  庄英政 ,  席扬姆·塞斯

IPC: H01L21/76 ,  H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/765 ,  H01L21/265 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，半导体元件的制造方法包括以下步骤。提供基底，此基底具有多数个柱状物，且柱状物周围形成有多数个沟渠；在每一个上述柱状物下方的上述基底中形成掺杂区；移除沟渠下方的掺杂区，以形成多个开口，使相邻的柱状物下方的上述掺杂区分离；在每一个上述开口中形成遮蔽层。

公开(公告)号：CN104051319B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201310196353.9

申请日：2013-05-24

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 杨胜威 ,  庄英政 ,  席扬姆·塞斯

IPC: H01L21/76 ,  H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/765 ,  H01L21/265 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，半导体元件的制造方法包括以下步骤。提供基底，此基底具有多数个柱状物，且柱状物周围形成有多数个沟渠；在每一个上述柱状物下方的上述基底中形成掺杂区；移除沟渠下方的掺杂区，以形成多个开口，使相邻的柱状物下方的上述掺杂区分离；在每一个上述开口中形成遮蔽层。