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公开(公告)号：CN104051319A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310196353.9
申请日：2013-05-24
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/76 , H01L29/78 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC classification number: H01L21/765 , H01L21/265 , H01L21/32055 , H01L21/324 , H01L21/76897 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L27/1052 , H01L27/10876 , H01L29/0607 , H01L29/407 , H01L29/66666 , H01L29/78 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，半导体元件的制造方法包括以下步骤。提供基底，此基底具有多数个柱状物，且柱状物周围形成有多数个沟渠；在每一个上述柱状物下方的上述基底中形成掺杂区；移除沟渠下方的掺杂区，以形成多个开口，使相邻的柱状物下方的上述掺杂区分离；在每一个上述开口中形成遮蔽层。
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公开(公告)号：CN102738235A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210045598.7
申请日：2012-02-27
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10826 , H01L27/10876 , H01L27/10879 , H01L29/1037 , H01L29/4236 , H01L29/42372 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明公开了一种单边存取装置，包含：包含有一源极区域以及一漏极区域的主动鳍式结构；介于源极区域以及漏极区域之间的绝缘层；设置在主动鳍式结构一侧的沟渠绝缘结构；设置在主动鳍式结构相对于沟渠绝缘结构另一侧的单边侧壁栅电极，使主动鳍式结构夹置在沟渠绝缘结构以及单边侧壁栅电极之间；以及自单边侧壁栅电极横向且电性延伸并嵌入在源极区域以及漏极区域之间的绝缘层下方的栅极突出部。
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公开(公告)号：CN102468268B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110168485.1
申请日：2011-06-22
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L27/108 , H01L21/768 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L27/10876 , H01L27/10891
Abstract: 本发明提供一种存储装置及其制造方法，该存储装置包含：一台地状结构及一字元线。该台地状结构具两相对侧表面，且包含至少一对的源/漏极区及至少一沟道基部区，该至少一沟道基部区相对于该至少一对的源/漏极区。该字元线包含两线性段和至少一互连部。各线性段在该台地状结构上相应的该侧表面延伸，并邻近该沟道基部区。该至少一互连部穿过该台地状结构并连接该两线性段。本发明存储装置的多个字元线能适当地互相隔离以避免相互干扰。此外，字元线垂直方向设置，使得其宽度增加以降低其电阻，而不会被存储器单元的局限面积所限制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102468304A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110168491.7
申请日：2011-06-22
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L27/10876 , H01L27/10891
Abstract: 本发明提供一种存储装置及其制造方法，该存储装置包括：多个隔离层及多个沟槽填充物在一方向以交替方式配置、多个台地状结构位于所述多个隔离层及所述多个沟槽填充物之间、及多个字元线，每一字元线叠置于该每一台地状结构的一侧面。在本发明的一实施例中，该沟槽填充物的宽度，由该方向测量，小于该隔离层的宽度，每一台地状结构包括至少一对的源/漏极区及至少一沟道基部区对应至该对的源/漏极区，且每一所述多个字元线位于该台地状结构的一侧面，邻近于该每一隔离层，且配置邻近于该沟道基部区。本发明存储装置的字元线能彼此适当地被隔离，以避免多个字元线之间的干扰。此外，字元线垂直方向设置，使得其宽度增加以降低其电阻。
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公开(公告)号：CN104051319B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201310196353.9
申请日：2013-05-24
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/76 , H01L29/78 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC classification number: H01L21/765 , H01L21/265 , H01L21/32055 , H01L21/324 , H01L21/76897 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L27/1052 , H01L27/10876 , H01L29/0607 , H01L29/407 , H01L29/66666 , H01L29/78 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，半导体元件的制造方法包括以下步骤。提供基底，此基底具有多数个柱状物，且柱状物周围形成有多数个沟渠；在每一个上述柱状物下方的上述基底中形成掺杂区；移除沟渠下方的掺杂区，以形成多个开口，使相邻的柱状物下方的上述掺杂区分离；在每一个上述开口中形成遮蔽层。
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公开(公告)号：CN102738235B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210045598.7
申请日：2012-02-27
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10826 , H01L27/10876 , H01L27/10879 , H01L29/1037 , H01L29/4236 , H01L29/42372 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明公开了一种单边存取装置，包含：包含有一源极区域以及一漏极区域的主动鳍式结构；介于源极区域以及漏极区域之间的绝缘层；设置在主动鳍式结构一侧的沟渠绝缘结构；设置在主动鳍式结构相对于沟渠绝缘结构另一侧的单边侧壁栅电极，使主动鳍式结构夹置在沟渠绝缘结构以及单边侧壁栅电极之间；以及自单边侧壁栅电极横向且电性延伸并嵌入在源极区域以及漏极区域之间的绝缘层下方的栅极突出部。
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公开(公告)号：CN102468304B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110168491.7
申请日：2011-06-22
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L27/10876 , H01L27/10891
Abstract: 本发明提供一种存储装置及其制造方法，该存储装置包括：多个隔离层及多个沟槽填充物在一方向以交替方式配置、多个台地状结构位于所述多个隔离层及所述多个沟槽填充物之间、及多个字元线，每一字元线叠置于该每一台地状结构的一侧面。在本发明的一实施例中，该沟槽填充物的宽度，由该方向测量，小于该隔离层的宽度，每一台地状结构包括至少一对的源/漏极区及至少一沟道基部区对应至该对的源/漏极区，且每一所述多个字元线位于该台地状结构的一侧面，邻近于该每一隔离层，且配置邻近于该沟道基部区。本发明存储装置的字元线能彼此适当地被隔离，以避免多个字元线之间的干扰。此外，字元线垂直方向设置，使得其宽度增加以降低其电阻。
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公开(公告)号：CN102468268A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110168485.1
申请日：2011-06-22
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L27/108 , H01L21/768 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L27/10876 , H01L27/10891
Abstract: 本发明提供一种存储装置及其制造方法，该存储装置包含：一台地状结构及一字元线。该台地状结构具两相对侧表面，且包含至少一对的源/漏极区及至少一沟道基部区，该至少一沟道基部区相对于该至少一对的源/漏极区。该字元线包含两线性段和至少一互连部。各线性段在该台地状结构上相应的该侧表面延伸，并邻近该沟道基部区。该至少一互连部穿过该台地状结构并连接该两线性段。本发明存储装置的多个字元线能适当地互相隔离以避免相互干扰。此外，字元线垂直方向设置，使得其宽度增加以降低其电阻，而不会被存储器单元的局限面积所限制。
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