-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119653878B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510179739.1
申请日：2025-02-19
Applicant: 南京国科半导体有限公司
Inventor： 刘胜威
IPC: H10F30/26 , H10F77/124 , H10F77/14
Abstract: 本发明公开了一种基于新型渐变势垒结构的三色红外探测器，涉及半导体技术领域，该三色红外探测器包括短波、中波、长波三通道区及渐变势垒层，仅设置上电极与下电极，通过在下电极施加不同偏压分别开启或关闭各通道；各通道的吸收层均采用InAs/GaSb超晶格并进行p型掺杂；在通道间插入InAs/AlSb渐变势垒以抑制载流子反向运输并降低波段串扰；该三色红外探测器简化了工艺流程，减小暗电流与噪声，提高探测性能，适用于多波段红外探测领域。
-
公开(公告)号：CN119855258A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510067357.X
申请日：2025-01-16
Applicant: 南京国科半导体有限公司
IPC: H10F30/222 , H10F77/14 , H10F77/124
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种超晶格多光谱红外探测器，包括衬底和器件结构，器件结构设置在衬底上，器件结构包括缓冲层、第一欧姆接触层、长波吸收层、电子势垒层、中波吸收层和第二欧姆接触层，缓冲层设置在衬底上；第一欧姆接触层形成于缓冲层与长波吸收层之间，电子势垒层设置在长波吸收层远离第一欧姆接触层的一面，中波吸收层设置在电子势垒层与第二欧姆接触层之间，以此方式解决了现有技术中所使用的极低温制冷技术会导致探测器制备成本提高，体积增大的技术问题。
-
公开(公告)号：CN118589299A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410753370.6
申请日：2024-06-12
Applicant: 南京国科半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，具体涉及一种GaAs基锑化物GaSb量子点外延材料及其制备方法；包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、InAs/GaSb量子点和GaAs盖层，GaAs衬底的上表面生长有GaAs缓冲层，GaAs缓冲层的上表面生长有InAs淀积层，InAs淀积层的上表面生长有GaSb淀积层，此两层构成InAs/GaSb量子点，量子点上生长有GaAs盖层；制备方法为：设置GaAs衬底转速，加热GaAs衬底；在GaAs衬底脱氧后，在580℃温度下生长GaAs缓冲层；降温至500℃生长量子点；生长GaAs盖层，通过上述方式，获得便于制备的效果。
-
公开(公告)号：CN119653878A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510179739.1
申请日：2025-02-19
Applicant: 南京国科半导体有限公司
Inventor： 刘胜威
IPC: H10F30/26 , H10F77/124 , H10F77/14
Abstract: 本发明公开了一种基于新型渐变势垒结构的三色红外探测器，涉及半导体技术领域，该三色红外探测器包括短波、中波、长波三通道区及渐变势垒层，仅设置上电极与下电极，通过在下电极施加不同偏压分别开启或关闭各通道；各通道的吸收层均采用InAs/GaSb超晶格并进行p型掺杂；在通道间插入InAs/AlSb渐变势垒以抑制载流子反向运输并降低波段串扰；该三色红外探测器简化了工艺流程，减小暗电流与噪声，提高探测性能，适用于多波段红外探测领域。
-
公开(公告)号：CN222839235U
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202421893259.9
申请日：2024-08-07
Applicant: 南京国科半导体有限公司
Abstract: 本实用新型涉及InAs/GaSb红外探测器技术领域，具体公开一种半导体量子点结构，包括GaAs缓冲层、InAs层、GaSb层和GaAs盖层，InAs层于设置于GaAs缓冲层的一面，GaSb层设置于InAs层远离GaAs缓冲层的一面，GaAs盖层设置于GaSb层远离InAs层的一面，发现了随着GaSb淀积量的增加，量子点密度降低，光荧光发光峰向长波方向移动，当GaSb淀积量达到3.0单原子层时，发光峰波长超过1.55μm并发现了发光峰红移是因为量子点内电子空穴复合跃迁发光机制的变化，即由局限在InAs层内的电子和空穴间I型跃迁发光转变为InAs层内电子到GaSb层空穴间的II型跃迁发光所致。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.025 seconds)
