一种高效稳定的钙钛矿可见光探测器及其应用

    公开(公告)号:CN116367560A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202111602690.4

    申请日:2021-12-24

    Abstract: 本发明公开了一种高效稳定的钙钛矿可见光探测器及其应用,包括由下至上依次设置的基底层、电极层、功能层、钙钛矿层、功能层、电极层,所述电极层沉积于基底层表面,钙钛矿层设置在功能层之间,功能层设置于钙钛矿层和电极层之间;所述钙钛矿层为二维钙钛矿和三维钙钛矿的混合物,其中,二维钙钛矿晶体和三维钙钛矿晶体生长方向具有取向性。本发明的钙钛矿可见光探测器制备工艺简单、无需外接供电单元可自驱动工作且制造成本低廉,适合广泛应用于低成本、高性能钙钛矿可见光探测器的工业化生产,可进一步推动钙钛矿可见光探测器在可见光通信、测距及成像的应用。

    一种真空沉积薄膜过程中薄膜质量的监控方法及装置

    公开(公告)号:CN119571278A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202311151612.6

    申请日:2023-09-07

    Abstract: 本发明涉及光致发光材料技术领域,具体公开了一种真空沉积薄膜过程中薄膜质量的监控方法,所述的方法包括以下步骤:在真空沉积薄膜过程中,测得薄膜的光致发光强度和激发光的实时强度;基于所述光致发光强度和激发光的实时强度计算得到相对光致发光量子效率;基于所述相对光致发光量子效率监控所述薄膜的成膜质量,确定最佳的沉积条件。本发明提出的真空沉积薄膜过程中薄膜质量的监控方法,通过基于测得的真空沉积过程中薄膜的光致发光强度和激发光的实时强度,计算出真空沉积过程中薄膜的相对光致发光量子效率,并通过相对光致发光量子效率监测薄膜的成膜质量,进一步确定最佳的沉积条件。

    一种类圆形结构CsCu2I3钙钛矿薄膜以及紫外光电探测器

    公开(公告)号:CN119092568A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202310656990.3

    申请日:2023-06-05

    Abstract: 本发明公开了一种类圆形结构CsCu2I3钙钛矿薄膜以及紫外光电探测器,所述的CsCu2I3薄膜由紧密堆积的类圆形晶粒构成,晶粒之间无缝隙,均匀分布于整个薄膜中,晶粒的直径0.01‑100μm,薄膜厚度为80‑2000nm。本发明薄膜相比于现有的纳米晶和微米线,制备工艺更简单、重复率更高,而且薄膜样品更容易满足大面积和柔性器件的制备,有着更广泛的应用场景和潜力,可用于电弧成像、光学测量、导弹制导、夜视系统、机器视觉、柔性可穿戴探测设备等,在图像传感、军事监察、天气监测、信息通讯等领域有良好的应用前景。

    溶液法制备的铜基钙钛矿Cs5Cu3X8薄膜及光电器件

    公开(公告)号:CN119059551A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202310649689.X

    申请日:2023-06-02

    Abstract: 本发明属于无机金属卤化物钙钛矿材料与光电探测技术领域,公开了溶液法制备的铜基钙钛矿Cs5Cu3X8薄膜及光电器件。本发明利用一步旋涂法制备得到的无杂相、羽状晶粒组成的Cs5Cu3X8(X=Cl、Br、I)多晶薄膜,其吸收截止在340nm前,对可见光没有吸收,PLQY高(98%),荧光量子寿命高(60.2μs),无自吸收。将薄膜在不同衬底上一步旋涂制得高性能的光伏型紫外光电探测器、光电导型紫外光电探测器和发光二极管(LED),可用于光学测量、机器视觉、电弧成像、导弹制导、夜视系统、光学显示等,在图像传感、军事监察、天气监测、信息通讯等领域有良好的应用前景。

    一种具有叉指状结构的钙钛矿薄膜及其光电器件

    公开(公告)号:CN118055630A

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202211441748.6

    申请日:2022-11-17

    Abstract: 本发明公开了一种具有叉指状结构的钙钛矿薄膜及其光电器件,所述钙钛矿薄膜是通过钙钛矿前驱体溶液自组装形成的,形成的钙钛矿薄膜组分中包括三维钙钛矿和低维钙钛矿混合物,其中低维钙钛矿为二维、一维、零维钙钛矿中的任意一种或几种组合;其中,钙钛矿薄膜中组分至少存在一种组分形貌是叉指状。本发明中具有叉指状结构的钙钛矿薄膜兼具三维钙钛矿优异光电特性与低维钙钛矿的高稳定性,有利于提升钙钛矿光电器件效率,同时改善器件的工作稳定性。

    一种基于吸收光谱监控真空沉积薄膜质量的方法及装置

    公开(公告)号:CN117328030A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311307093.8

    申请日:2023-10-10

    Abstract: 本发明涉及薄膜技术领域,具体公开了一种基于吸收光谱监控真空沉积薄膜质量的方法及装置,所述的方法包括以下步骤:在真空沉积薄膜过程中,实时监测在基片上沉积的薄膜的吸收光谱;基于所述吸收光谱监控所述薄膜的成膜质量,确定最佳的沉积条件。本发明提出的基于吸收光谱监控真空沉积薄膜质量的方法,通过在真空沉积薄膜过程中实时监测在基片上沉积的薄膜的吸收光谱,可以实现薄膜成膜质量的实时监测,面向薄膜制备的整个过程,有助于得到基于真空沉积技术制备薄膜的最佳成膜条件,作为衡量薄膜性能的重要参数,从而全面指导薄膜制备。

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