公开(公告)号：CN103117309A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201310057943.3

申请日：2013-02-22

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 郭宇锋 ,  徐琴 ,  黄示 ,  徐光明 ,  张长春 ,  夏晓娟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/74 ,  H01L21/332

CPC classification number: H01L29/0886 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8613

Abstract: 本发明提出了一种横向功率器件结构及其制备方法，所述结构不仅可以有效缩小器件尺寸，提高器件的集成度，同时也可优化漂移区浓度，提高击穿电压。而且由于器件尺寸的缩小以及漂移区浓度优化值的提高，其导通电阻也能显著减小，从而整体提高了器件的击穿电压与导通电阻的比值。此外，该结构的漂移区可由浅沟槽隔离技术直接制作而成，将源区、沟道或漏区制作于浅沟槽隔离工艺形成的沟槽中，工艺简单，且其工艺与标准CMOS工艺完全兼容，也降低了器件的制造成本。

公开(公告)号：CN103094350B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201310049146.0

申请日：2013-02-07

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 郭宇锋 ,  徐光明 ,  花婷婷 ,  黄示 ,  张长春 ,  夏晓娟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN103094350A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310049146.0

申请日：2013-02-07

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 郭宇锋 ,  徐光明 ,  花婷婷 ,  黄示 ,  张长春 ,  夏晓娟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。