一种高速直调两段式分布反馈半导体激光器芯片

    公开(公告)号:CN115528538A

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202211387960.9

    申请日:2022-11-08

    Abstract: 一种高速直调两段式分布反馈(DFB)半导体激光器芯片,由传统的DFB激光器和光栅反射器组成,两段共享同一外延层和波导结构,由电隔离隔开,通过独立电极分别注入电流。该设计结合了失谐加载效应、光子‑光子谐振(PPR)效应和腔内频率调制‑幅度调制转换效应,增加激光器的3‑dB带宽,实现高速直调。此外,本发明使用重构‑等效啁啾技术设计高速直调两段式DFB激光器的光栅,不仅能够精确控制两段光栅之间的失谐量,而且大大减小了激光器芯片的制造难度和制造成本。

    一种基于单片集成线性调频双频DFB激光器的测速与测距系统

    公开(公告)号:CN111983628A

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN202010878128.3

    申请日:2020-08-27

    Abstract: 本发明提供一种基于单片集成线性调频双频DFB激光器的测速与测距系统,包括注入锁定双频DFB激光器、线性调频微波信号产生器、光分束器、掺铒光纤放大器、光纤环形器、光学收发天线、延迟光纤、光电探测器、混频器、低通滤波器和信号采集与处理模块;本发明使用单片集成线性调频双频DFB激光器作为光源,利用边带注入锁定技术实现两个激光器的相位相关,系统的测量精度等参数指标直接与注入的微波信号的质量相关,降低了系统对激光器光源的要求;信号提取部分由两个个光电探测器和一个混频器组成,降低了信号采集系统对采集带宽的要求。

    一种基于单片集成线性调频双频DFB激光器的测速与测距系统

    公开(公告)号:CN111983628B

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202010878128.3

    申请日:2020-08-27

    Abstract: 本发明提供一种基于单片集成线性调频双频DFB激光器的测速与测距系统,包括注入锁定双频DFB激光器、线性调频微波信号产生器、光分束器、掺铒光纤放大器、光纤环形器、光学收发天线、延迟光纤、光电探测器、混频器、低通滤波器和信号采集与处理模块;本发明使用单片集成线性调频双频DFB激光器作为光源,利用边带注入锁定技术实现两个激光器的相位相关,系统的测量精度等参数指标直接与注入的微波信号的质量相关,降低了系统对激光器光源的要求;信号提取部分由两个个光电探测器和一个混频器组成,降低了信号采集系统对采集带宽的要求。

    一种基于交错光栅的硅基可调谐激光器及实现方法

    公开(公告)号:CN110544874B

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN201910971616.6

    申请日:2019-10-14

    Abstract: 本发明提供一种基于交错光栅的硅基可调谐激光器及实现方法。采用交错光栅将硅波导中的基模变换为高阶模,使模式的有效折射率降低,从而增大取样光栅滤波器的尺寸,降低了可调谐激光器的制造难度,解决现有的硅基可调谐激光器光栅加工难度大的问题。该方案不仅可用于外腔结构的可调谐激光器,也可用于键合方式的可调谐激光器。共同相位区和支路相位区的共同作用使得激光器的模式更稳定。由于两个取样光栅在增益芯片的同侧,相比于取样光栅在增益芯片异侧的可调谐激光器,可以获得更好的边模抑制比。

    一种表面发射的DFB半导体激光器阵列及制作方法

    公开(公告)号:CN110661172A

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201910938647.1

    申请日:2019-09-29

    Abstract: 本发明提供了一种表面发射的DFB半导体激光器阵列及制作方法,将边发射DFB半导体激光器或激光器阵列的出光方向通过一定的结构转换为表面发射的,能够充分利用PWB技术在芯片横向平面上的高分辨率,便于三维聚合物波导的设计和制作,提高激光器阵列与SOI波导阵列集成的耦合效率和综合性能,有利于大规模硅基光子集成芯片的生产和应用;表面发射可以在不解理的情况下对激光器阵列芯片进行测试和挑选,过滤掉一些性能不满足要求的激光器,提高了集成芯片的处理和制作效率。

    一种基于集成SOA串联可调谐激光器的全光包交换开关

    公开(公告)号:CN113253539B

    公开(公告)日:2022-04-19

    申请号:CN202110599654.0

    申请日:2021-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于集成SOA串联可调谐激光器的全光包交换开关,包括波导光栅延迟器、SOA全光波长转换器和延迟干涉滤波器,信号光携带光数据经过分波器分为两路,一路进入包头识别器提取出控制信号,该信号输入多稳态触发器转换所需要的连续光,另一路进入波导光栅延迟器,波导光栅延迟器控制待交换的光包与连续光同步到达波分复用器,波分复用器将待交换的光包与连续光同步输入SOA全光波长转换器,SOA全光波长转换器将交换的光包转换到连续光波长上,反码输出,延迟干涉滤波器将反码转换成原码。本发明结构简单易于集成,且无需外部激光的注入就能够实现全光波长转换,极大的节省了成本。

    一种基于交错光栅的硅基可调谐激光器及实现方法

    公开(公告)号:CN110544874A

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201910971616.6

    申请日:2019-10-14

    Abstract: 本发明提供一种基于交错光栅的硅基可调谐激光器及实现方法。采用交错光栅将硅波导中的基模变换为高阶模,使模式的有效折射率降低,从而增大取样光栅滤波器的尺寸,降低了可调谐激光器的制造难度,解决现有的硅基可调谐激光器光栅加工难度大的问题。该方案不仅可用于外腔结构的可调谐激光器,也可用于键合方式的可调谐激光器。共同相位区和支路相位区的共同作用使得激光器的模式更稳定。由于两个取样光栅在增益芯片的同侧,相比于取样光栅在增益芯片异侧的可调谐激光器,可以获得更好的边模抑制比。

    低损耗三维传输波导的自由轨迹生成方法

    公开(公告)号:CN118169872A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410288023.0

    申请日:2024-03-13

    Abstract: 本发明提供一种低损耗三维传输波导的自由轨迹生成方法,通过确定光子引线键合中传输波导的初始位置后,得到距离初始位置长度为传输波导的轨迹的总弧长L处传输波导的功率;得到传输波导的传输损耗函数;确定直角坐标系下传输波导轨迹的位置向量;得到转换后的传输损耗函数;求解直角坐标系下传输波导轨迹的位置向量中的位置系数;获得转换后的传输损耗函数最小值时的最优剩余位置系数;将得到的位置系数和得到的最优剩余位置系数代入直角坐标系下传输波导轨迹的位置向量,即可得到光子引线键合波导轨迹。本发明能够获得基于光子引线键合的低损耗三维波导的中心线轨迹,由该轨迹来实现三维空间内任意形状和尺寸的光波导,损耗低、耦合效率高、自由度高。

    一种单片集成两段式DFB激光器芯片及阵列

    公开(公告)号:CN116487993A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310501758.2

    申请日:2023-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种单片集成两段式DFB激光器芯片及阵列,其中,单片集成两段式DFB激光器芯片包括芯片本体;所述芯片本体包括结构共用的DFB激光器段和光栅反射器段;所述DFB激光器段和光栅反射器段具有不同的布拉格波长;其中,DFB激光器阵列包括多个DFB激光器芯片;各DFB激光器芯片的DFB激光器段的自由端面并列设置;各DFB激光器芯片的DFB激光器段具有不同的布拉格波长。本发明能够获得具有失谐加载效应的单片集成两段式DFB激光器芯片,以及具有不同布拉格波长的DFB激光器阵列。

    一种高集成度低串扰薄膜铌酸锂电光调制器阵列

    公开(公告)号:CN117784453A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202410097269.X

    申请日:2024-01-24

    Abstract: 本发明属于光电子集成技术领域,公开了一种高集成度低串扰薄膜铌酸锂电光调制器阵列,该阵列包括N个薄膜铌酸锂马赫增德尔电光调制器,N≥2,相邻的两调制器之间的信号间距为D,0.4mm≤D<1mm,调制器自左至右包括输入光波导、分束器、信号输入区、调制器第一波导、调制器第二波导、射频电极、匹配电阻、合束器和输出光波导,调制器的横截面结构自下而上包括衬底层、低折射率下盖层、薄膜铌酸锂平板层、波导层、低折射率上盖层、射频电极和匹配电阻。本发明实现单个调制器的差分驱动,并且降低相邻调制器之间的电串扰,提高集成密度。

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