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公开(公告)号:CN117784453A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202410097269.X
申请日:2024-01-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于光电子集成技术领域,公开了一种高集成度低串扰薄膜铌酸锂电光调制器阵列,该阵列包括N个薄膜铌酸锂马赫增德尔电光调制器,N≥2,相邻的两调制器之间的信号间距为D,0.4mm≤D<1mm,调制器自左至右包括输入光波导、分束器、信号输入区、调制器第一波导、调制器第二波导、射频电极、匹配电阻、合束器和输出光波导,调制器的横截面结构自下而上包括衬底层、低折射率下盖层、薄膜铌酸锂平板层、波导层、低折射率上盖层、射频电极和匹配电阻。本发明实现单个调制器的差分驱动,并且降低相邻调制器之间的电串扰,提高集成密度。
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公开(公告)号:CN115528538A
公开(公告)日:2022-12-27
申请号:CN202211387960.9
申请日:2022-11-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01S5/12
Abstract: 一种高速直调两段式分布反馈(DFB)半导体激光器芯片,由传统的DFB激光器和光栅反射器组成,两段共享同一外延层和波导结构,由电隔离隔开,通过独立电极分别注入电流。该设计结合了失谐加载效应、光子‑光子谐振(PPR)效应和腔内频率调制‑幅度调制转换效应,增加激光器的3‑dB带宽,实现高速直调。此外,本发明使用重构‑等效啁啾技术设计高速直调两段式DFB激光器的光栅,不仅能够精确控制两段光栅之间的失谐量,而且大大减小了激光器芯片的制造难度和制造成本。
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公开(公告)号:CN116487993A
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202310501758.2
申请日:2023-05-05
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种单片集成两段式DFB激光器芯片及阵列,其中,单片集成两段式DFB激光器芯片包括芯片本体;所述芯片本体包括结构共用的DFB激光器段和光栅反射器段;所述DFB激光器段和光栅反射器段具有不同的布拉格波长;其中,DFB激光器阵列包括多个DFB激光器芯片;各DFB激光器芯片的DFB激光器段的自由端面并列设置;各DFB激光器芯片的DFB激光器段具有不同的布拉格波长。本发明能够获得具有失谐加载效应的单片集成两段式DFB激光器芯片,以及具有不同布拉格波长的DFB激光器阵列。
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