公开(公告)号：CN118475222A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410570543.0

申请日：2024-05-09

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 程鑫 ,  彭辉仁 ,  马续航

IPC: H10N70/00 ,  H10B63/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C8/36

Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别是涉及一种基于IGZO薄膜阻变的多级存储器单元及其制备方法。其中，基于IGZO薄膜阻变的多级存储器单元包括底部电极层，所述底部电极层为Ti，所述底部电极层上设有底部电极氧化层，所述底部电极氧化层为TiO2。本发明能有效改善IGZO薄膜阻变存储器单元的多级存储性能。

公开(公告)号：CN105206761B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510622188.8

申请日：2015-09-25

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 陈树明 ,  彭辉仁 ,  王为高

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明实施例提供了一种发光二极管，包括基底，以及依次层叠设置在所述基底表面的第一电极、发光功能层和第二电极，所述发光功能层至少包括发光层，所述第二电极的材料为镓合金，所述镓合金的熔点低于30℃，在室温下为液态，所述镓合金的表面具有一层天然氧化层。该发光二极管由于采用镓合金金属电极，而镓合金在室温下具有流动性、形变性和可塑性，因此可通过打印、印刷、涂覆的方法成型，从而使整个发光二极管的制备无需采用真空蒸镀设备，实现了真正的全印刷光电器件。此外，该发光二极管由于采用镓合金金属电极，稳定性好，效率高。本发明实施例还提供了该发光二极管的制备方法。

公开(公告)号：CN108878540A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810762819.X

申请日：2018-07-12

Applicant: 南方科技大学 ,  北京协同创新研究院

Inventor： 程鑫 ,  彭辉仁 ,  蔡如平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种底栅薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管包括：衬底、设置在所述衬底上的栅极、覆盖所述栅极的介电层、设置在所述介电层上的源极和漏极，以及覆盖所述源极和所述漏极的半导体材料层；所述源极和所述漏极相互间隔，且与所述栅极对准；所述介电层上开设有与所述栅极的连接线连通的通道。本发明提供的薄膜晶体管能够消除寄生电容，具有较短的沟道，其性能检测方便快捷，半导体材料层可反复洗脱和生长，实现了下层基材的重复利用。

公开(公告)号：CN105206761A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510622188.8

申请日：2015-09-25

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 陈树明 ,  彭辉仁 ,  王为高

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/5203 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0022

Abstract: 本发明实施例提供了一种发光二极管，包括基底，以及依次层叠设置在所述基底表面的第一电极、发光功能层和第二电极，所述发光功能层至少包括发光层，所述第二电极的材料为镓合金，所述镓合金的熔点低于30℃，在室温下为液态，所述镓合金的表面具有一层天然氧化层。该发光二极管由于采用镓合金金属电极，而镓合金在室温下具有流动性、形变性和可塑性，因此可通过打印、印刷、涂覆的方法成型，从而使整个发光二极管的制备无需采用真空蒸镀设备，实现了真正的全印刷光电器件。此外，该发光二极管由于采用镓合金金属电极，稳定性好，效率高。本发明实施例还提供了该发光二极管的制备方法。