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公开(公告)号：CN105206761A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510622188.8
申请日：2015-09-25
Applicant: 南方科技大学
CPC classification number: H01L51/5203 , H01L51/0021 , H01L51/0022
Abstract: 本发明实施例提供了一种发光二极管，包括基底，以及依次层叠设置在所述基底表面的第一电极、发光功能层和第二电极，所述发光功能层至少包括发光层，所述第二电极的材料为镓合金，所述镓合金的熔点低于30℃，在室温下为液态，所述镓合金的表面具有一层天然氧化层。该发光二极管由于采用镓合金金属电极，而镓合金在室温下具有流动性、形变性和可塑性，因此可通过打印、印刷、涂覆的方法成型，从而使整个发光二极管的制备无需采用真空蒸镀设备，实现了真正的全印刷光电器件。此外，该发光二极管由于采用镓合金金属电极，稳定性好，效率高。本发明实施例还提供了该发光二极管的制备方法。
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公开(公告)号：CN110323348A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910585293.7
申请日：2019-07-01
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明提供了一种顶发射量子点发光器件、其制备方法及显示装置。所述顶发射量子点发光器件包括依次层叠设置的反射电极、量子点层、透明电极和分布式布拉格反射镜。所述分布式布拉格反射镜是通过溅射沉积的方法制备得到，且溅射的功率≤100W。所述显示装置包括阵列排布的至少两个上述顶发射量子点发光器件。本发明提供的顶发射量子点发光器件相较于普通的顶发射量子点发光器件，具有更高的量子效率、发光亮度和色纯度；相较于底发射量子点发光器件，具有更大的开口率，出光率更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110165067A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910584879.1
申请日：2019-07-01
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明提供了一种全透明倒置量子点发光器件、其制备方法及显示装置。所述全透明倒置量子点发光器件包括依次层叠设置的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、保护层和阳极；或者包括依次层叠设置的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、保护层、空穴传输层和阳极。所述保护层是通过直接蒸镀或原子层沉积保护层材料，或者先蒸镀保护层材料的前体，然后氧化的方法制备得到。所述显示装置包括阵列排布的至少两个上述全透明倒置量子点发光器件。本发明提供的全透明倒置量子点发光器件能够减轻制备过程中量子点发光层的损伤，与全透明正置量子点发光器件相比，可以使驱动电路的设计更加简单高效。
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公开(公告)号：CN105206761B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510622188.8
申请日：2015-09-25
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种发光二极管，包括基底，以及依次层叠设置在所述基底表面的第一电极、发光功能层和第二电极，所述发光功能层至少包括发光层，所述第二电极的材料为镓合金，所述镓合金的熔点低于30℃，在室温下为液态，所述镓合金的表面具有一层天然氧化层。该发光二极管由于采用镓合金金属电极，而镓合金在室温下具有流动性、形变性和可塑性，因此可通过打印、印刷、涂覆的方法成型，从而使整个发光二极管的制备无需采用真空蒸镀设备，实现了真正的全印刷光电器件。此外，该发光二极管由于采用镓合金金属电极，稳定性好，效率高。本发明实施例还提供了该发光二极管的制备方法。
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公开(公告)号：CN114388720B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111463607.X
申请日：2021-12-02
Applicant: 南方科技大学
IPC: H10K71/16 , H10K71/13 , H10K50/11 , H10K50/856
Abstract: 本申请公开了一种量子点显示器件制造方法、量子点显示器件。该方法包括：对基底层进行图案刻画，以划分发光功能区域；在基底层上以预设的第一沉积工艺将预设第一材料沉积得到金属反射层；在金属反射层上以预设的第二沉积材料将预设第二材料沉积得到透明电极层；对透明电极层以预设的刻画工艺进行图案刻画，以划分不同颜色的子像素区域；在透明电极层上以预设的第三沉积工艺沉积预设的量子点材料，得到量子发光层；在透明电极层上以预设的第四沉积工艺将预设第三材料沉积得到半透明反射层。本申请的量子点制造方法，能够实现具有高像素密度的量子点图案化显示，并且不会破坏量子点材料。
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公开(公告)号：CN114388720A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111463607.X
申请日：2021-12-02
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本申请公开了一种量子点显示器件制造方法、量子点显示器件。该方法包括：对基底层进行图案刻画，以划分发光功能区域；在基底层上以预设的第一沉积工艺将预设第一材料沉积得到金属反射层；在金属反射层上以预设的第二沉积材料将预设第二材料沉积得到透明电极层；对透明电极层以预设的刻画工艺进行图案刻画，以划分不同颜色的子像素区域；在透明电极层上以预设的第三沉积工艺沉积预设的量子点材料，得到量子发光层；在透明电极层上以预设的第四沉积工艺将预设第三材料沉积得到半透明反射层。本申请的量子点制造方法，能够实现具有高像素密度的量子点图案化显示，并且不会破坏量子点材料。
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公开(公告)号：CN106352805A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610632873.3
申请日：2016-08-04
Applicant: 南方科技大学
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0675
Abstract: 本发明公开了一种用于测量光学薄膜厚度的光学微腔结构、制造方法及测量方法，其中一种光学微腔结构，包括全反射层，所述全反射层承载于一衬底之上；待测薄膜层，设置于所述反射层表面；半反射膜层，设置于所述待测薄膜层表面。本申请中，通过半反射层与待测薄膜层的接触表面形成第一介质分界面，待测薄膜层与全发射膜层的接触表面形成第二介质分界面。入射光在第一介质分界面与第二介质分界面之间来回反复反射，一束光线通过第一介质分界面、第二介质分界面形成多束用以产生干涉效应的光线，使得反射谱上呈现出较明显的尖锐干涉峰，有利于在后续测量过程中，能够较准确地实现光谱拟合，提高待测薄膜厚度测量准确度。
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