公开(公告)号：CN117265506A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311164463.7

申请日：2023-09-07

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于严淏 ,  王皓川 ,  李春

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  C23C14/12 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34

Abstract: 本申请属于半导体的技术领域，提供了区域选择性沉积的方法，包括：获取所述半导体基底；构筑液态密封层于所述掩膜板的一侧端，将带有所述液态密封层的一端置于所述半导体基底上；沉积指定材料至所述液封掩膜板。本申请通过液态密封层填充于基底和掩膜板的间隙中，防止原子层沉积在不需要的区域生长的问题，有效填充掩膜板和基底之间的所有间隙，直至分子水平，从而实现密封基底和掩膜板间的间隙的效果，以解决原子层沉积在不需要的区域生长的技术问题。

公开(公告)号：CN115386854A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210813498.8

申请日：2022-07-11

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于严淏 ,  李春

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/455 ,  H01L21/768 ,  C23C14/04 ,  C23C14/22 ,  C23C14/24 ,  C23C14/35

Abstract: 一种区域选择性沉积的方法，包括：有机功能分子修饰步骤，包括使用有机功能分子对金属互联半导体基底的金属表面和半导体表面进行分步化学修饰，获得的金属互联半导体基底具有亲油改性的金属表面以及疏油改性的半导体表面；涂覆步骤，包括使用化合物在亲油改性的金属表面形成阻隔层；沉积步骤，包括将涂覆后的基底置于沉积设备腔室内，使用前驱体进行沉积，获得沉积后的基底。该方法具备简洁性、普适性等优势，无需光刻蚀刻进行微观图案化，对介电氧化物的延迟成核效果明显高于目前主流的自组装单分子层技术，使选区原子层沉积选择率显著提升，有效解决了芯片制造工业中金属互联半导体材料选区原子层沉积选择率低的问题。

公开(公告)号：CN115386854B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202210813498.8

申请日：2022-07-11

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于严淏 ,  李春

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/455 ,  H01L21/768 ,  C23C14/04 ,  C23C14/22 ,  C23C14/24 ,  C23C14/35

Abstract: 一种区域选择性沉积的方法，包括：有机功能分子修饰步骤，包括使用有机功能分子对金属互联半导体基底的金属表面和半导体表面进行分步化学修饰，获得的金属互联半导体基底具有亲油改性的金属表面以及疏油改性的半导体表面；涂覆步骤，包括使用化合物在亲油改性的金属表面形成阻隔层；沉积步骤，包括将涂覆后的基底置于沉积设备腔室内，使用前驱体进行沉积，获得沉积后的基底。该方法具备简洁性、普适性等优势，无需光刻蚀刻进行微观图案化，对介电氧化物的延迟成核效果明显高于目前主流的自组装单分子层技术，使选区原子层沉积选择率显著提升，有效解决了芯片制造工业中金属互联半导体材料选区原子层沉积选择率低的问题。

公开(公告)号：CN113621163A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110945121.3

申请日：2021-08-17

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于严淏 ,  李春

IPC: C08J7/048 ,  C08J7/06 ,  C08L23/22 ,  C08L23/28 ,  C08L53/02 ,  H01L23/29

Abstract: 一种柔性封装材料及其制备方法，柔性封装材料包括基体以及复合至所述基体至少部分表面的疏水油。本发明将疏水油与基体复合，有效阻隔外界环境中水氧物质对器件的侵蚀，提高了器件的环境适应性和使用寿命。