公开(公告)号：CN119949059A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380068559.5

申请日：2023-08-08

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 山本才气 ,  冈久强志 ,  松冈真也

IPC: H10H29/855 ,  H10H20/813 ,  H01S5/42 ,  F21S2/00 ,  G03B15/05 ,  G03B30/00 ,  G03B15/06

Abstract: 光源装置具备一个以上的第一光源部、一个以上的第二光源部以及配置于所述第一光源部与所述第二光源部之间的遮光部件。所述第一光源部具有两个以上的第一层叠体，该第一层叠体沿着第一方向层叠有p型半导体层、活性层以及n型半导体层。所述第二光源部具有一个以上的第二层叠体，该第二层叠体沿着所述第一方向层叠有p型半导体层、活性层以及n型半导体层。在所述第一光源部，所述两个以上的第一层叠体沿着所述第一方向连续层叠。所述第一光源部所包含的所述第一层叠体的数量比所述第二光源部所包含的所述第二层叠体的数量多。

公开(公告)号：CN119836069A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510006480.0

申请日：2025-01-02

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王丹 ,  王灿 ,  余洪涛 ,  陈小川 ,  王久石 ,  李杨 ,  周旗旗 ,  赵蛟 ,  刘超 ,  贡云芳 ,  丛宁 ,  牛晋飞 ,  张粲

IPC: H10H20/84 ,  H01L25/16 ,  H10H20/83 ,  H10H20/831 ,  H10H20/819 ,  H10H29/00 ,  H10H20/813 ,  G09F9/33 ,  H10H29/20

Abstract: 本公开实施例提供一种发光单元及其制备方法、发光面板和显示装置。发光单元包括：第一半导体层；活性层；彼此分离的多个第一柱状结构，位于活性层背离第一半导体层的一侧，包括第二半导体层，相邻的第一柱状结构之间设置有第一沟槽，第一沟槽的底壁与活性层的朝向第一柱状结构一侧的表面之间的距离大于或等于0；第一钝化层，位于多个第一柱状结构上，开设有第一过孔，第一过孔位于第二半导体层上；第一电极，通过第一过孔与第二半导体层耦接；第二电极层，位于第一半导体层背离活性层的一侧，第二电极层与第一半导体层耦接。本公开中，可以避免刻蚀损伤对发光的影响，提高出光效率。

公开(公告)号：CN119767889A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411839568.2

申请日：2024-12-13

Applicant: 江西兆驰半导体有限公司

Inventor： 高虹 ,  郑文杰 ,  舒俊 ,  张彩霞 ,  刘春杨 ,  胡加辉 ,  金从龙

IPC: H10H20/813 ,  H10H20/812 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明涉及光电技术领域，公开了一种全光谱LED外延片及其制备方法、LED芯片，外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型GaN层、多光谱发光阱层、P型GaN层；所述多光谱发光阱层包括依次层叠的第一发光阱层、第二发光阱层和第三发光阱层，所述第一发光阱层包括若干组依次层叠的InxGa(1‑x)N量子阱层、AlaGa(1‑a)N界面层和第一GaN量子垒层，所述第二发光阱层包括若干组依次层叠的InyGa(1‑y)N量子阱层、AlbGa(1‑b)N界面层和第二GaN量子垒层，所述第三发光阱层包括若干组依次层叠的InzGa(1‑z)N量子阱层、AlcGa(1‑c)N界面层和第三GaN量子垒层。本发明提供的全光谱LED外延片能够提升全光谱芯片发光效率和显色指数。

公开(公告)号：CN119384117B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411945191.9

申请日：2024-12-27

Applicant: 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司

Inventor： 宋长伟 ,  叶大千 ,  连伟杰 ,  郭园 ,  黄理承 ,  芦玲

IPC: H10H20/812 ,  H10H20/813 ,  H10H20/815 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明涉及发光二极管技术领域，具体而言，涉及一种LED芯片及其制备方法、半导体发光元件。LED芯片包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，发光层包括绿光发光区、蓝光发光区和增补发光区；增补肼层In浓度≥蓝光肼层In浓度，增补肼层厚度＞蓝光肼层厚度。通过在蓝光发光区之后生长增补发光区，增补发光区的阱层较厚，其能障较低，可以拉动整个发光区的能带，改变载流子在整个量子阱中的分布，使载流子分布更靠近第二半导体层侧，且增补区因其有较厚的肼层，可以缓冲与后面第二半导体层产生的失配应力，减少后续生长对发光区的破坏，从而提升整个器件的亮度；最后，增补发光发出的波长与蓝光发光区接近，可增强蓝光发光区的强度。

公开(公告)号：CN119384122B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411945107.3

申请日：2024-12-27

Applicant: 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司

Inventor： 郭园 ,  叶大千 ,  连伟杰 ,  宋长伟 ,  黄理承 ,  芦玲

IPC: H10H20/813 ,  H10H20/851 ,  H10H29/14

Abstract: 本发明涉及发光二极管技术领域，具体而言，涉及一种单片多色发光二极管和LED背光源。单片多色发光二极管包括设置在N型层和P型层之间的多色发光层；多色发光层包括发射第一颜色的光的第一发光层以及发射第二颜色的光的第二发光层；其中，第二颜色的光的峰值波长λp2大于第一颜色的光的峰值波长λp1，且λp2‑λp1≥50nm；第二发光层中的第二阱层的厚度

公开(公告)号：CN119730490A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411748250.3

申请日：2024-12-02

Applicant: 佛山市国星半导体技术有限公司

Inventor： 旷明胜 ,  周鑫 ,  曹一伟

IPC: H10H20/813 ,  H10H20/831 ,  H10H20/821 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明公开了一种并联式垂直LED芯片及其制备方法，所述并联式垂直LED芯片包括：设置在芯片底部的共极电极、设置在芯片顶面的第一电极、第二电极以及发光区域；所述发光区域内设置有环形沟槽，且所述发光区域基于所述环形沟槽划分为外发光区和内发光区，所述外发光区与所述第一电极电性连接，所述内发光区与所述第二电极电性连接，且所述外发光区和所述内发光区基于所述共极电极形成并联连接。通过设置环形沟槽，将LED芯片的出光区域划分为并联布置的内发光区和外发光区，基于互不干扰的两个发光区提高芯片的容错性，从而提高发光器件的可靠性。

公开(公告)号：CN119698141A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202410681083.9

申请日：2024-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩周宪 ,  崔浚熙 ,  金洛铉 ,  金柱成 ,  金泰坤

IPC: H10H20/813 ,  H10H20/812 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明公开了一种发光器件和包括其的显示装置，该发光器件包括：半导体发光结构，该半导体发光结构包括包含多个孔的第一半导体层、提供在第一半导体层上的发光层和提供在发光层上的第二半导体层；提供在所述多个孔中的多个量子点；以及至少部分地围绕半导体发光结构的侧壁的外部钝化层，其中所述多个量子点提供在所述多个孔和外部钝化层之间。

公开(公告)号：CN114373839B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202011099277.6

申请日：2020-10-14

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 张立震 ,  袁广才 ,  姚琪 ,  王明星

IPC: H10H20/813 ,  H10H20/831 ,  H10H20/01 ,  H10H29/14 ,  H10H29/24

Abstract: 本公开提供了一种发光二极管芯片，包括：发光功能层，包括：依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层包括：间隔设置的多个第二半导体图形；第一电极层，包括：第一电极图形，所述第一电极图形与所述第一半导体层电连接；第二电极层，位于所述第二半导体层背向所述发光层的一侧，包括：与所述第二半导体图形一一对应的多个第二电极图形，所述第二电极图形与对应的所述第二半导体图形电连接。本公开实施例还提供了一种发光二极管芯片的制备方法和显示装置。

公开(公告)号：CN119497912A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202380049262.4

申请日：2023-06-23

Applicant: 亮锐有限责任公司

Inventor： R·阿米蒂奇

IPC: H01L25/075 ,  H10H20/813 ,  H10H20/832 ,  H10H20/01 ,  H10H20/857 ,  G09G3/32

Abstract: 提供了一种单片集成的红绿蓝(RGB)发光二极管(LED)阵列，其被制造具有减少数量的台面蚀刻步骤和接触端子。LED阵列可以具有在晶片上顺序生长的两个或三个p‑n结。其中一个p‑n结具有与n层和p层相反的沉积顺序。发光有源区嵌入在每个p‑n结的n层和p层之间。每个有源区发射不同波长的光。晶片被蚀刻成多级台面，从而创建两个独立的电压端子和一个接地接触，以控制特定半导体层之间的偏置。所有p‑n结共享公共接地接触。

公开(公告)号：CN119487997A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380050260.7

申请日：2023-06-28

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 长谷川利昭 ,  三浦利仁 ,  柏原博之

IPC: H10H20/814 ,  H10H20/813 ,  H10H20/831 ,  H10H20/832

Abstract: 发光装置包括：第一导电类型的第一化合物半导体层；有源层，层压在第一化合物半导体层上；为与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二化合物半导体层，并且第二化合物半导体层在与第一化合物半导体层相反的一侧上层压至有源层；第一反射层，与第二化合物半导体层的表面分开地设置在与有源层相反的一侧上，并且反射从有源层发射的光；以及第一电极，被设置在第二化合物半导体层与第一反射层之间并且电连接第二化合物半导体层与第一反射层的相应部分。