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公开(公告)号：CN106878447B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710140873.6
申请日：2017-03-10
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种基于ZigBee通信的数据采集系统及系统，包括服务器、多个中转装置和多个采集终端。各采集终端在上传数据时，会在多个中转装置中随机选择一个传输，降低了数据阻塞的情况。本发明所提出的系统应答机制可以解决当某个中转装置出现故障时，自动调整至其他通道，避免了因通道故障而造成数据丢失的情况，提高了通信系统的稳定性和健壮性。
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公开(公告)号：CN105139695A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510629507.8
申请日：2015-09-28
Applicant: 南通大学
IPC: G09B5/00
Abstract: 本发明涉及一种基于脑电波采集的课堂教学监测方法及系统，主要监测课堂教学中学生脑电波的波动情况。系统的采集终端通过脑波感应器获取被采集学生的脑电波数据，经过处理组帧后，经WIFI模块从无线局域网送至服务器。系统的监测终端经局域网从服务器的数据库中获取并显示各采集终端的脑波数据，实时显示被采集学生脑电波的个体波动信息和整体波动信息。该系统可以为讲课教师提供学生听课中真实客观的反应，还可以为教师及教学管理者完整地重现课堂教学情景，为课堂教学过程的改进和评价提供了真实的量化的数据支持。
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公开(公告)号：CN106878447A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710140873.6
申请日：2017-03-10
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种基于ZigBee通信的数据采集系统及系统，包括服务器、多个中转装置和多个采集终端。各采集终端在上传数据时，会在多个中转装置中随机选择一个传输，降低了数据阻塞的情况。本发明所提出的系统应答机制可以解决当某个中转装置出现故障时，自动调整至其他通道，避免了因通道故障而造成数据丢失的情况，提高了通信系统的稳定性和健壮性。
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公开(公告)号：CN104346839A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410589114.4
申请日：2014-12-02
Applicant: 南通大学
CPC classification number: G07C1/12 , G06Q10/063114
Abstract: 本发明涉及一种基于局域网的员工电子考勤系统，尤其可用于对三班制员工的考勤。系统包括与局域网相连的多个考勤终端和一个服务器。考勤终端不仅包括微处理器、考勤采集模块、局域网通信模块和显示模块，还包括系统时钟模块。服务器不仅运行有数据库系统，还运行有数据接口模块，该模块一端以TCP方式通过局域网与所述考勤终端进行数据交互，另一端使用数据库组件访问数据库系统。本发明将传统的从考勤终端向服务器单向数据传送模式转变成考勤终端与服务器双向数据交互模式；对系统部件的功能进行了调整，将考勤处理流程从服务器端移植到考勤终端，并采用了结合考勤历史数据的考勤自动处理方法，达到了提高考勤系统实时性和智能性的目的。
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公开(公告)号：CN117038811A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311011316.6
申请日：2023-08-11
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种倒装结构的表面等离激元耦合的深紫外AlGaN基发光二极管。所述深紫外LED器件至少包含：衬底、n型半导体层、有源层、p型半导体层、Al纳米光栅，其特征在于：位于所述有源层附近的金属Al纳米光栅结构，与有源层中电子‑空穴对发生耦合，可以增强LED器件的辐射复合效率以及改变发射光的透射率，所述衬底具有粗糙的下表面，可以增强LED器件的光提取效率，从而改善深紫外氮化物发光二极管的光学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109786241B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201910108427.6
申请日：2019-02-03
Applicant: 南通大学
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及一种微损伤减缓铝蚀刻侧腐的方法，包括以下步骤：S1、使用光刻胶作为掩膜，利用刻蚀气体在金属表面刻蚀，形成槽；S2、利用氧化气体对槽壁和槽底的金属进行氧化，形成金属氧化物；S3、利用刻蚀气体对槽底的金属氧化物进行刻蚀，去除所述槽底的金属氧化物，保留槽壁的金属氧化物；S4、重复步骤S2和S3，直到刻槽深度达到要求为止。本发明通过循环次数来控制刻蚀深度，利用反应离子刻蚀机（RIE）刻蚀材料时是各向异性的特点，侧壁的刻蚀作用低于Bias方向。因此在刻蚀时，底部的金属氧化物被受到较强的轰击作用，很容易被刻蚀掉，而对侧壁的金属氧化物刻蚀作用非常小。故，侧壁的金属氧化物得以保留，防止内部的金属被刻蚀，从而能够控制线宽。
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公开(公告)号：CN109950374B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910262252.4
申请日：2019-04-02
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，从下到上至少包括：N型半导体层、发光层、P型半导体层，发光层为由势垒层和势阱层交替堆叠形成的多量子阱结构，其改进之处在于：相邻势垒层和势阱层之间设置有InxAl1‑xN插入层，且InxAl1‑xN插入层的能隙大于势阱层的能隙。本发明通过利用InxAl1‑xN插入层结构设计，降低TM主导的跃迁能级的电子‑空穴交叠积分，显著地增强TE模的自发辐射效率，提高c面深紫外LED的光抽取效率。
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公开(公告)号：CN109950374A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910262252.4
申请日：2019-04-02
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，从下到上至少包括：N型半导体层、发光层、P型半导体层，发光层为由势垒层和势阱层交替堆叠形成的多量子阱结构，其改进之处在于：相邻势垒层和势阱层之间设置有InxAl1-xN插入层，且InxAl1-xN插入层的能隙大于势阱层的能隙。本发明通过利用InxAl1-xN插入层结构设计，降低TM主导的跃迁能级的电子-空穴交叠积分，显著地增强TE模的自发辐射效率，提高c面深紫外LED的光抽取效率。
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公开(公告)号：CN109524519A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811546510.3
申请日：2018-12-18
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明氮化物量子阱结构发光二极管，由下至上依次包括：N型氮化物半导体、量子阱和P型氮化物半导体，量子阱为多量子阱结构，由垒层与阱层交叠构成，阱层由下至上包含有AlxGa1-xN层和InyAl1-yN层，其中，0.9≥x≥0.4，0.35≥y≥0.04。本发明通过设计一种type-II型能带排列的量子阱结构，提高TE偏振的发光强度，从而提高沿c轴生长的深紫外LED的光抽取效率。
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公开(公告)号：CN112951957A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110299287.2
申请日：2021-03-21
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种耦合量子阱结构深紫外AlGaN基发光二极管，至少包含：n型半导体层、由势垒层和耦合AlGaN阱层周期交叠构成的多量子阱结构、p型半导体层，其特征在于：所述耦合AlGaN阱层至少包括三层结构，从下到上依次为AlxGa1‑xN阱层、AlyGa1‑yN隔离层、和AlxGa1‑xN阱层。通过利用耦合阱层结构设计，增强c面LED的TE/TM模自发辐射复合率，提高LED器件的内量子效率，抑制氮化物LED器件的效率下降效应，从而改善深紫外氮化物发光二极管的光学性能。
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