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公开(公告)号：CN105723282A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201480062219.2
申请日：2014-08-18
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20 , B08B7/00 , B24C1/00 , B24C7/00 , B24C11/00 , C01B31/22 , G01N21/88 , G21K1/06 , H01J65/04 , H05G2/00 , G02B27/00 , G01N21/94
CPC classification number: B08B7/0092 , B08B5/04 , B24C1/003 , B24C7/0053 , C01B32/55 , G01N21/8806 , G01N21/94 , G02B27/0006 , G03F7/70841 , G03F7/7085 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G03F7/70975 , H01J65/048 , H05G2/001
Abstract: 本发明涉及光学组件，尤其是等离子体光源(1′)或EUV光刻系统，包含：壳体(2)，其包围内壳空间(3)；真空生成单元，用于在上述壳体(2)中产生真空；至少一个表面(13)，布置在所述内壳空间(3)中；清洁装置(15)，用于移除沉积在所述表面(13)上的污染物质(14)；以及观察装置(25)，用于观察所述表面(13)，其中，所述观察装置(25)具有能够朝着所述表面(13)取向的观察光学单元(26)。所述清洁装置(15)设计为通过释放CO2颗粒(17)形式的CO2移除沉积的污染物质(14)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110050231B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201780075378.X
申请日：2017-12-04
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种光学系统的光学元件，该光学系统用在极紫外光或软X射线辐射的波长光谱中的工作光来操作，特别是EUV微光刻的光学系统，该光学元件包括EUV辐射或软X射线辐射的吸收体层(12)，所述吸收体层沿着光学有效表面延伸并具有相对于光学有效表面垂直限定的厚度，其中吸收体层的厚度在光学有效表面上变化，以及由其粗糙度在表面上变化的反射镜的至少一个粗糙表面形成的反射镜。本发明还涉及EUV投射曝光设备的照明系统，涉及产生对应强度适配滤光器的方法，以及涉及对应滤光器的用途。
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公开(公告)号：CN108713168B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201780016341.X
申请日：2017-02-22
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种制造EUV系统的照明系统的方法，该方法包括以下步骤：将照明系统的反射镜模块安装在提供给反射镜模块的安装位置处，以便确立从源位置引导到照明场的照明束路径，其中该反射镜模块包括第一安装位置处具有第一分面反射镜的第一反射镜模块和照明系统的第二安装位置处具有第二分面反射镜的第二反射镜模块；在照明束路径的第一反射镜模块之前的输入耦合位置处将测量光耦合到照明束路径中；在测量光在照明束路径的反射镜模块中的每一个处反射之后，检测测量光；从检测的测量光来确定至少一个系统测量变量的实际测量值，其中实际测量值表示照明系统的系统测量变量的实际状态；通过使用灵敏度从实际测量值来确定校正值，该灵敏度表示系统测量变量和至少一个反射镜模块在其安装位置的情形的变化之间的关系；通过使用校正值调整至少一个反射镜模块，致使改变刚性主体的自由度上安装位置中的反射镜模块的情形，以便于改变实际状态使得在辐射进EUV辐射源的EUV辐射的情况下，照明场中的照明辐射满足照明规范。
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公开(公告)号：CN110050231A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780075378.X
申请日：2017-12-04
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种光学系统的光学元件，该光学系统用在极紫外光或软X射线辐射的波长光谱中的工作光来操作，特别是EUV微光刻的光学系统，该光学元件包括EUV辐射或软X射线辐射的吸收体层(12)，所述吸收体层沿着光学有效表面延伸并具有相对于光学有效表面垂直限定的厚度，其中吸收体层的厚度在光学有效表面上变化，以及由其粗糙度在表面上变化的反射镜的至少一个粗糙表面形成的反射镜。本发明还涉及EUV投射曝光设备的照明系统，涉及产生对应强度适配滤光器的方法，以及涉及对应滤光器的用途。
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公开(公告)号：CN105723282B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201480062219.2
申请日：2014-08-18
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20 , B08B7/00 , B24C1/00 , B24C7/00 , B24C11/00 , C01B32/55 , G01N21/88 , G21K1/06 , H01J65/04 , H05G2/00 , G02B27/00 , G01N21/94
Abstract: 本发明涉及光学组件，尤其是等离子体光源(1′)或EUV光刻系统，包含：壳体(2)，其包围内壳空间(3)；真空生成单元，用于在上述壳体(2)中产生真空；至少一个表面(13)，布置在所述内壳空间(3)中；清洁装置(15)，用于移除沉积在所述表面(13)上的污染物质(14)；以及观察装置(25)，用于观察所述表面(13)，其中，所述观察装置(25)具有能够朝着所述表面(13)取向的观察光学单元(26)。所述清洁装置(15)设计为通过释放CO2颗粒(17)形式的CO2移除沉积的污染物质(14)。
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公开(公告)号：CN108713168A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780016341.X
申请日：2017-02-22
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70141 , G03F7/70033 , G03F7/70075 , G03F7/702 , G03F7/7085
Abstract: 本发明涉及一种制造EUV系统的照明系统的方法，该方法包括以下步骤：将照明系统的反射镜模块安装在提供给反射镜模块的安装位置处，以便确立从源位置引导到照明场的照明束路径，其中该反射镜模块包括第一安装位置处具有第一分面反射镜的第一反射镜模块和照明系统的第二安装位置处具有第二分面反射镜的第二反射镜模块；在照明束路径的第一反射镜模块之前的输入耦合位置处将测量光耦合到照明束路径中；在测量光在照明束路径的反射镜模块中的每一个处反射之后，检测测量光；从检测的测量光来确定至少一个系统测量变量的实际测量值，其中实际测量值表示照明系统的系统测量变量的实际状态；通过使用灵敏度从实际测量值来确定校正值，该灵敏度表示系统测量变量和至少一个反射镜模块在其安装位置的情形的变化之间的关系；通过使用校正值调整至少一个反射镜模块，致使改变刚性主体的自由度上安装位置中的反射镜模块的情形，以便于改变实际状态使得在辐射进EUV辐射源的EUV辐射的情况下，照明场中的照明辐射满足照明规范。
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