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公开(公告)号:CN108957960A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201810574721.1
申请日:2018-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70125 , G03F7/7085
Abstract: 本发明涉及一种提升衬底有效芯片数目的曝光方法,包含如下步骤:1)制作掩模版:所述掩模版的每层光刻图形包含纯芯片层和PCM层两种版图,两种版图尺寸相同;2)设定曝光位置:按照PCM测试位置的要求,在需进行PCM测试的位置设定曝光PCM层,其他区域设置曝光对应的纯芯片层;3)设定曝光参数:分别设置PCM层和纯芯片层曝光参数;4)PCM测试。优点:1)有效降低圆片上PCM图形占空比,提高单位圆片有效芯片数目,实现成本节约和效率提升。2)不限于圆片衬底,不限于光刻机品牌和型号等,适用于所有采用步进式曝光和PCM测试技术的半导体制造工艺。3)该设计也可推广至接触式光刻机1:1的掩模制作。
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公开(公告)号:CN106575087B
公开(公告)日:2018-06-26
申请号:CN201580043589.6
申请日:2015-06-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/7085 , G03F7/70775 , G03F7/709
Abstract: 光刻设备包括光学传感器(24)、可移动主体(20)、支撑件、偏转器系统(22)、第一驱动系统和第二驱动系统。可移动主体能够相对于传感器移动。支撑件用于保持传感器。第一驱动系统被设置为使可移动主体相对于传感器移动。第二驱动系统被设置为使第一驱动系统相对于传感器移动。第二驱动系统被设置为使偏转器系统相对于传感器移动。可移动主体的移动引起扰动。偏转器系统被设置为形成用于将扰动反射离开支撑件的偏转区域。
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公开(公告)号:CN107810399A
公开(公告)日:2018-03-16
申请号:CN201680035995.2
申请日:2016-03-31
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B7/003 , G01M11/0221 , G01M11/0292 , G02B7/023 , G03F7/7015 , G03F7/70258 , G03F7/7085
Abstract: 本发明涉及制造光刻设备(100)的镜头(104)的方法,该方法包括如下步骤:a)提供至少一个第一部分镜头和至少一个第二部分镜头(200A,200B),其中所述至少一个第一部分镜头(200A)包括多个光学元件(202A)且所述至少一个第二部分镜头(200B)包括至少一个光学元件(202B),其中所述至少一个第一部分镜头和至少一个第二部分镜头(200A,200B)各具有束路径(204A,204B),所述束路径在特定部分镜头(200A,200B)的输入侧和/或输出侧(206,210,212)上是非同心的;b)沿着所述至少一个第一部分镜头和至少一个第二部分镜头(200A,200B)的各束路径(204A,204B)传输至少一个第一光束(500,602),并且在所述特定部分镜头(200A,200B)的之后感测所述至少一个第一光束(500,602);c)基于感测的、至少一个第一光束(500,602),确定各部分镜头(200A,200B)的至少一个光学特性;d)根据确定的光学特性,调节所述第一部分镜头(200A)的多个光学元件(202A)和所述第二部分镜头(200B)的至少一个光学元件(202B);以及e)接合所述至少一个第一部分镜头和所述至少一个第二部分镜头(200A,200B),以制造所述镜头(104)。
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公开(公告)号:CN107388976A
公开(公告)日:2017-11-24
申请号:CN201710236373.2
申请日:2017-04-12
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G01B11/0616 , B82Y10/00 , G01J1/0238 , G01J1/429 , G01N21/41 , G01N21/4785 , G01N21/554 , G01N21/94 , G01N2021/9511 , G03F7/70591 , G03F7/7085 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G01B11/0625
Abstract: 本发明涉及一种用于确定光学系统中的表面(7)处、尤其在EUV光刻系统(101)中的表面(7)处的污染层(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的种类的方法,该方法包括:用测量射线(10)来照射在其处形成有等离激元纳米颗粒(8a,b)的表面(7),检测在所述等离激元纳米颗粒(8a,b)处散射的测量射线(10a),以及借助所检测到的测量射线(10a)来确定污染层(13)的厚度(d1,d2)和/或污染材料的种类。本发明还涉及一种用于反射EUV射线(4)的光学元件(1)以及一种EUV光刻系统。
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公开(公告)号:CN107290930A
公开(公告)日:2017-10-24
申请号:CN201610193253.4
申请日:2016-03-30
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
Inventor: 李莉
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70725 , G03F7/70775 , G03F7/7085
Abstract: 本发明提供一种电机定子自动复位装置和光刻机系统以及运动台直线电机定子自动复位方法,皆在电机定子上连接复位执行元件,并在电机上安装能够检测电机定子实时位置与位移的检测装置,当电机定子未回复至指定位置时,由复位执行元件将电机定子移动至指定位置,无需定期进行人工复位,即可实现运动台的自动运行,省时省力且提供了效率。
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公开(公告)号:CN104797981B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201380060745.0
申请日:2013-10-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L27/146 , H01L27/148
CPC classification number: H01L27/1464 , G03F7/70558 , G03F7/7085 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/1804
Abstract: 一种背照式传感器,包括支撑衬底、半导体层和p型掺杂保护材料层,半导体层包括光电二极管,光电二极管包括p型掺杂半导体区域和设置在半导体层的第一表面处的n型掺杂半导体区域,其中耗尽区域被形成在n型掺杂半导体区域和p型掺杂半导体区域之间,p型掺杂保护材料层设置在半导体层的第二表面上,其中半导体层的第一表面被固定到支撑衬底的表面。
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公开(公告)号:CN106547173A
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201611122015.0
申请日:2016-12-08
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/7085
Abstract: 本发明是一种基于啁啾光栅间隙检测与控制的超分辨光刻装置,属于超分辨光刻装置的改进和创新技术领域。该装置的特点在于包括超精密环控系统、主动隔振平台、支撑框架、光源、间隙检测系统、对准模块、光刻镜头模块、承片台模块和控制系统。该装置通过啁啾光栅衍射成像技术,实现了纳米量级的在线间隙检测和控制;实现了间隙曝光,有效的保护了超分辨光刻器件;通过激光干涉仪、精密位移台、纳米位移台、对准模块和间隙检测模块进行反馈控制,实现了超精密套刻对准和步进光刻功能。
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公开(公告)号:CN106527062A
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201710020601.2
申请日:2017-01-11
Applicant: 惠科股份有限公司 , 重庆惠科金渝光电科技有限公司
Inventor: 温俊斌
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70716 , G03F7/7085
Abstract: 本发明实施例提供一种曝光机及其图像偏移防治方法和系统,通过在轴承和升降杆相连接的一端设置由透明材料制成的防尘罩,便于通过人工或机器视觉方式检测轴承是否已磨损,从而有效防治因轴承磨损掉落残渣而导致的光阻图像产生局部偏移的现象,可以有效提高黄光制程中经光刻蚀得到的玻璃基板的良品率,从而提高黄光制程的生产效率。
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公开(公告)号:CN106370134A
公开(公告)日:2017-02-01
申请号:CN201610951757.8
申请日:2016-10-27
Applicant: 南京华东电子信息科技股份有限公司
Inventor: 曾祥波
CPC classification number: G01B11/30 , G03F7/7085
Abstract: 本发明公开了一种基板平整度监控装置,包括光路系统、信号处理系统和显示监控系统,光路系统包括线光源和受光系统;线光源用于发射光束照射基板表面;受光系统用于接收经基板反射的光信号;信号处理系统用于分析受光系统接收到的光信号,判断基板平整度是否存在异常;显示监控系统用于显示信号处理系统的结果并在基板平整度存在异常时发出警报。本监控装置实时监控基板平整度,在不影响设备运行的情况下,可以及时发现基板平整度的异常并发出警报,可以及时进行处理,避免了不良产品的产生,降低了生产成本。
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公开(公告)号:CN104321702B
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201380026160.7
申请日:2013-03-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: T·劳伦特 , J·H·W·雅各布斯 , H·考克 , Y·范德维基维尔 , J·范德瓦尔 , B·克拿伦 , R·J·伍德 , J·S·C·维斯特尔拉肯 , H·范德里基德特 , E·库伊克尔 , W·M·J·赫肯斯-墨腾斯 , Y·B·Y·特莱特
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/7085 , G03F7/70341 , G03F7/70666 , G03F7/70858 , G03F7/70891
Abstract: 一种用于浸没类型的光刻设备中的传感器(100),其在使用时接触浸没液体(11),布置成使得从传感器的变换器(104)至温度调节装置(107)的第一热流路径的热阻小于从变换器至浸没液体的第二热流路径的热阻。因此,热流更倾向于流向温度调节装置而不是浸没液体,使得能够减小或最小化浸没液体中的温度引发的扰动。
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