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公开(公告)号:CN104555897A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201410550919.8
申请日:2014-10-16
Applicant: 原子能和替代能源委员会
Inventor: 埃里克·奥里尔 , 弗里德里克-格扎维埃·盖拉德 , 卡琳·马库克斯
IPC: B81C1/00
CPC classification number: C25F3/12 , B81B2201/0214 , B81C1/00206 , B81C2201/0115 , C25F3/02
Abstract: 一种用于制作至少一个多孔区域(ZP)的工艺,所述至少一个多孔区域(ZP)在导电的有源层(6)的至少一部分中,有源层(6)形成堆叠的正面,堆叠层包括导电材料的背面(2)以及介于有源层(6)与背面(2)之间的绝缘层(4),所述工艺包括以下步骤:a)在背面(2)与有源层(6)之间制作穿过绝缘层(2)的至少一个接触垫(14);b)将堆叠放置在电化学槽中;c)在背面(2)与有源层(6)之间施加一个通过接触垫(14)的电流,以引起接触垫(14)附近的有有源层(6)的区域(ZP)的多孔化;d)形成微电子结构。
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公开(公告)号:CN104326435B
公开(公告)日:2018-06-05
申请号:CN201410351867.1
申请日:2014-07-22
Applicant: 原子能和替代能源委员会
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , B81B2201/0292 , B81B2201/058 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00309 , B81C2203/0118 , G01N30/6095
Abstract: 本发明涉及具有流体通道的装置以及用于制造该装置的方法,所述装置包括基底,基底包括至少一个微电子和/或纳米电子结构和一个流体通道(2),微电子和/或纳米电子结构包括至少一个敏感部分,流体通道(2)被限定在基底与帽盖(6)之间,其中,流体通道(2)包括至少两个开口以便实现所述通道中的流动,其中,微电子和/或纳米电子结构位于流体通道内部,其中,帽盖与基底在装配界面处装配,其中,所述装置包括所述微电子和/或纳米电子结构与所述流体通道(2)外部之间的至少一个电连接,其中,所述电连接(8)由穿过基底(4)并且位于所述微电子和/或纳米电子结构正下方而且与所述微电子和/或纳米电子结构接触的通孔形成。
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公开(公告)号:CN104555897B
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201410550919.8
申请日:2014-10-16
Applicant: 原子能和替代能源委员会
Inventor: 埃里克·奥里尔 , 弗里德里克-格扎维埃·盖拉德 , 卡琳·马库克斯
IPC: B81C1/00
CPC classification number: C25F3/12 , B81B2201/0214 , B81C1/00206 , B81C2201/0115 , C25F3/02
Abstract: 一种用于制作至少一个多孔区域(ZP)的工艺,所述至少一个多孔区域(ZP)在导电的有源层(6)的至少一部分中,有源层(6)形成堆叠的正面,堆叠层包括导电材料的背面(2)以及介于有源层(6)与背面(2)之间的绝缘层(4),所述工艺包括以下步骤:a)在背面(2)与有源层(6)之间制作穿过绝缘层(2)的至少一个接触垫(14);b)将堆叠放置在电化学槽中;c)在背面(2)与有源层(6)之间施加一个通过接触垫(14)的电流,以引起接触垫(14)附近的有有源层(6)的区域(ZP)的多孔化;d)形成微电子结构。
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公开(公告)号:CN104326435A
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:CN201410351867.1
申请日:2014-07-22
Applicant: 原子能和替代能源委员会
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , B81B2201/0292 , B81B2201/058 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00309 , B81C2203/0118 , G01N30/6095
Abstract: 本发明涉及具有流体通道的装置以及用于制造该装置的方法,所述装置包括基底,基底包括至少一个微电子和/或纳米电子结构和一个流体通道(2),微电子和/或纳米电子结构包括至少一个敏感部分,流体通道(2)被限定在基底与帽盖(6)之间,其中,流体通道(2)包括至少两个开口以便实现所述通道中的流动,其中,微电子和/或纳米电子结构位于流体通道内部,其中,帽盖与基底在装配界面处装配,其中,所述装置包括所述微电子和/或纳米电子结构与所述流体通道(2)外部之间的至少一个电连接,其中,所述电连接(8)由穿过基底(4)并且位于所述微电子和/或纳米电子结构正下方而且与所述微电子和/或纳米电子结构接触的通孔形成。
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