公开(公告)号：CN109641741A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780053215.1

申请日：2017-07-05

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·克拉森

IPC: B81C1/00 ,  H04R19/00

CPC classification number: B81C1/00309 ,  B81B3/0005 ,  B81B7/0051 ,  B81B7/0061 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00325 ,  B81C1/00968 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2201/112 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006

Abstract: 本发明涉及一种用于制造微机械传感器的方法(100)，所述方法具有以下步骤：提供具有MEMS衬底(1)的MEMS晶片(10)，其中，在所述MEMS衬底(1)中在膜片区域(3a)中构造限定数量的蚀刻沟，其中，所述膜片区域构造在第一硅层(3)中，该第一硅层以与所述MEMS衬底(1)隔开限定的间距的方式布置；提供罩晶片(20)；将所述MEMS晶片(10)与所述罩晶片(20)键合；并且通过所述MEMS衬底(1)的磨削构造通向所述膜片区域(3a)的介质入口(6)。

公开(公告)号：CN106276780A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610481536.9

申请日：2016-06-27

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： U·汉森 ,  S·舒勒·瓦特金斯

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01D11/00

CPC classification number: G01D11/00 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00309 ,  B81C2201/0123 ,  B81C1/00182 ,  B81B3/0021 ,  B81B7/02

Abstract: 根据本发明涉及一种用于制造微机械元件的方法以及用此方法制造的微机械元件。所述微机械元件具有传感器衬底和安装在传感器衬底上的罩。为了制造该罩，在罩衬底的正面的表面上在一个被限制的区域设置多个开口，例如呈微孔的形式(直径几微米)。在制造这些开口时应注意，开口在罩衬底内终止，即不完全穿过罩衬底并具有较小的深度。然后将如此加工的罩衬底安装在传感器衬底上，其中，带有多个开口的罩衬底正面朝向传感器衬底。然后将罩衬底的一部分从背面去除，例如通过从背面减薄、磨削工艺或者其他适合于此的半导体工艺。通过从背面去除罩衬底材料来产生通向所述开口的进入口。

公开(公告)号：CN104882418A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510091860.5

申请日：2015-02-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K·埃利安 ,  H·托伊斯

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/3135 ,  B29C64/00 ,  B29C64/10 ,  B29C64/106 ,  B29C70/72 ,  B29K2025/08 ,  B29K2033/04 ,  B29K2105/253 ,  B29L2031/3481 ,  B33Y40/00 ,  B33Y80/00 ,  B81C1/00309 ,  B81C2203/0136 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/315 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及封装半导体芯片的方法及具有倾斜表面的半导体封装体。在一个方面中，一种封装半导体模块的方法包括提供半导体模块，该半导体模块具有第一表面、与第一表面相对的第二表面和在第一表面和第二表面之间延伸的边侧。至少部分地通过3D印制工艺形成封装组件。该封装组件包括半导体模块和在第一表面上方延伸的保护罩。

公开(公告)号：CN104030233A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410077250.5

申请日：2014-03-04

Applicant: 宇芯(马)有限公司

Inventor： R·普罗瑟罗 ,  A·伊凡斯 ,  梁建明 ,  唐明项 ,  管军华

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00309 ,  B81C1/00333 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/052 ,  G01L9/0042 ,  H01L23/053 ,  H01L2224/16225 ,  H04R1/021 ,  H04R1/04 ,  H04R2201/003

Abstract: 一种用于制造包封微机电系统（MEMS）设备的封装的方法提供具有盖（13）和侧壁（15）的覆盖物（12），端口（16）通过盖（13）延伸。第一底座部件（14）结合到侧壁（15），从而限定内腔体。该第一底座部件（14）进一步包括通过其延伸的孔隙（38）。MEMS设备（18）通过孔隙插入并且结合到盖（13），该MEMS设备（18）至少部分地与端口（16）重叠。组装通过将第二底座部件（32）结合到第一底座部件（14）以便密封孔隙（38）而完成。

公开(公告)号：CN102381678A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110262810.0

申请日：2011-08-31

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 马克·E·施拉曼 ,  林毅桢

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00309 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2203/0154 ,  G01L9/0073 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种MEMS装置组件(20)及其封装方法。MEMS装置组件(20)包括MEMS印模(22)以及集成电路(IC)印模(24)。MEMS印模(22)包括形成于衬底(38)上的MEMS装置(36)以及盖层(34)。封装工艺(72)包括在衬底(38)上形成MEMS装置(36)，并移除围绕装置(36)的衬底(38)的材料部分，以形成其上设置MEMS装置(36)的悬臂式衬底平台(46)。盖层(34)连接至衬底(38)以覆盖MEMS装置(36)。MEMS印模(22)与IC印模(24)电互连。施加模制化合物(32)以基本上包封MEMS印模(22)、IC印模(24)以及电互连MEMS装置(22)和IC印模(24)的互连(30)。盖层(34)防止模制化合物(32)接触MEMS装置(36)。

公开(公告)号：CN109668949A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811195171.9

申请日：2018-10-15

Applicant: 马克西姆综合产品公司

Inventor： J·T·琼斯 ,  R·B·库 ,  P·G·施罗德 ,  A·宋 ,  S·乌普力 ,  X·严 ,  Q·罗 ,  S·卡希尔 ,  H·格拉格

IPC: G01N27/30 ,  G01N33/50

CPC classification number: B01L3/508 ,  B01L3/502715 ,  B01L2200/026 ,  B01L2200/0647 ,  B01L2300/042 ,  B01L2300/0645 ,  B01L2300/0848 ,  B01L2300/0877 ,  B01L2300/0887 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00309 ,  B81C2203/035 ,  G01N27/30 ,  G01N33/50

Abstract: 一种传感器系统包括被配置用于接收流体样本的测定腔室。分配化学品被布置在所述测定腔室内。第一电极结构包括至少一个导电元件，并且靠近所述第一电极结构的第二电极结构被配置用于通过所述流体样本来传输电信号。所述第一电极结构被配置用于接收通过所述流体样本传输的所述电信号并且响应性地生成感测信号。所述感测信号指示所述流体样本与所述分配化学品的相互作用。控制器电耦合至所述第一电极结构并且被配置用于至少基于由所述第一电极结构生成的所述感测信号来识别所述流体样本中的至少一种分析物。所述第一电极结构嵌入在衬底基板内，并且所述第二电极结构嵌入在耦合至所述衬底基板的微流体盖件内。

公开(公告)号：CN109502537A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811083883.1

申请日：2018-09-17

Applicant: 梅斯瑞士公司

Inventor： P.德尔雅卡

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R19/00 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/0023 ,  B81C1/00309 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/035 ,  H04R1/06 ,  H04R31/006 ,  H04R2499/10 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2203/1147 ,  B81B3/00 ,  B81B3/0027 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00134 ,  B81C1/00261

Abstract: 本发明涉及传感器组件、组装这样的传感器组件的对应方法、以及传感器系统。传感器组件包括至少一个换能器元件(106，106’，106”；206；306；406)，用于监测至少一个被测变量并生成与至少一个被测变量相关的电输出信号；以及传感器基板(112；312；406)，其包括换能器元件。传感器基板(112；312；406)可安装在电路载体(104；204；304；404)上，使得穿透电路载体的介质通道(124)允许至少一个被测变量到换能器元件的接取。电路载体具有导电的可焊接的第一密封图案(132；432)，其至少部分地围绕介质通道且与布置在传感器基板上的可焊接的第二密封图案(134；434)对齐，使得至少部分地围绕介质通道的焊接的密封连接形成在第一密封图案和第二密封图案之间。

公开(公告)号：CN108136415A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201580083523.X

申请日：2015-11-05

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： 陈建华 ,  D·A·莫雷 ,  M·G·格罗

IPC: B05B1/02 ,  B05B1/14 ,  B05B15/00 ,  B41J2/14 ,  B01L99/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C99/008 ,  B01L3/0268 ,  B41J2/155 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1637 ,  B41J2202/19 ,  B41J2202/20 ,  B41J2202/21 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0338 ,  B81C1/00309 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2203/0154

Abstract: 示例包括一种设备，其包括模制到模制面板中的集成电路管芯。模制面板具有在其中形成的三维特征，其中三维特征与集成电路管芯相关联。为了形成三维特征，沉积特征形成材料、形成模制面板以及去除特征形成材料。

公开(公告)号：CN104326435B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410351867.1

申请日：2014-07-22

Applicant: 原子能和替代能源委员会

Inventor： 埃里克·奥里尔 ,  卡琳·马库克斯

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/058 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00309 ,  B81C2203/0118 ,  G01N30/6095

Abstract: 本发明涉及具有流体通道的装置以及用于制造该装置的方法，所述装置包括基底，基底包括至少一个微电子和/或纳米电子结构和一个流体通道(2)，微电子和/或纳米电子结构包括至少一个敏感部分，流体通道(2)被限定在基底与帽盖(6)之间，其中，流体通道(2)包括至少两个开口以便实现所述通道中的流动，其中，微电子和/或纳米电子结构位于流体通道内部，其中，帽盖与基底在装配界面处装配，其中，所述装置包括所述微电子和/或纳米电子结构与所述流体通道(2)外部之间的至少一个电连接，其中，所述电连接(8)由穿过基底(4)并且位于所述微电子和/或纳米电子结构正下方而且与所述微电子和/或纳米电子结构接触的通孔形成。

公开(公告)号：CN106082104A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510800507.X

申请日：2015-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张贵松

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00261 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/0035 ,  B81B7/0061 ,  B81C1/00309

Abstract: 本发明涉及MEMS衬底。在一些实施例中，MEMS衬底包括具有微电子机械系统(MEMS)器件的器件衬底以及定位在邻近MEMS器件的位置处的器件衬底上方的接合材料的层。盖衬底具有设置在邻接接合材料的层的表面内的凹陷。盖衬底内的凹陷形成垂直设置在器件衬底和盖衬底之间并且邻接MEMS器件的室。一个或多个压力调节通道垂直设置在器件衬底和盖衬底之间并且从室的侧壁向外横向延伸。本发明的实施例还涉及用于双压MEMS器件的密封和屏蔽的方法。