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公开(公告)号：CN104803346B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201510202690.3
申请日：2010-01-06
Applicant: 精材科技股份有限公司
Inventor： 刘建宏
IPC: B81C1/00 , H01L21/60 , H01L21/683
CPC classification number: B81C1/00325 , B81B2207/092 , B81B2207/097 , B81C1/00301 , B81C2201/0115 , B81C2203/0118 , H01L21/6835 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/93 , H01L2221/68304 , H01L2221/68331 , H01L2221/6834 , H01L2221/68372 , H01L2221/68377 , H01L2221/68386 , H01L2224/02313 , H01L2224/02371 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/11009 , H01L2224/11019 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/29007 , H01L2224/29011 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/93 , H01L2924/0001 , H01L2924/01013 , H01L2924/01021 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01075 , H01L2924/014 , H01L2924/10156 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15151 , H01L2924/15788 , H01L2224/0231 , H01L2224/11 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电子元件封装体及其制作方法，上述电子元件封装体，包括感测芯片，上述感测芯片的上表面包括感测薄膜；具有开口结构的盖板，覆盖上述感测芯片的上述上表面，上述盖板与上述感测芯片之间于对应上述感测薄膜位置上包括连通上述开口结构的间隙；间隔层，介于上述盖板与上述感测芯片之间且围绕着上述间隙，其中上述间隔层与上述感测薄膜水平方向之间包括应力缓冲区。
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公开(公告)号：CN102050421B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201010545583.8
申请日：2010-11-09
Applicant: 罗伯特.博世有限公司
CPC classification number: A61M37/0015 , A61M2037/0053 , B81B2201/055 , B81B2203/0361 , B81C1/00111 , B81C2201/0114 , B81C2201/0115 , B81C2203/0118 , B81C2203/054 , Y10T225/10 , Y10T225/12
Abstract: 本发明涉及微型针装置的制造方法、微型针装置以及基片复合体。本发明提供了用于多孔的微型针装置的制造方法以及相应的多孔的微型针装置和相应的基片复合体。所述方法具有以下步骤：在半导体基片(1)的正面(VS)形成多个分别具有至少一根微型针(4a；4b；4c；4d)和处于其下面的多孔的载体区域(6)的多孔的微型针装置(4)；在半导体基片(1)的处于该半导体基片(1)的背面(RS)上的非多孔的剩余层(1a)与载体区域(6)之间形成分离层(3)，该分离层(3)具有比载体区域(6)高的孔隙率；通过分离层(3)的拆开将剩余层(1a)从载体区域(6)上分开；并且将微型针装置(4)分割为相应的芯片(C)。
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公开(公告)号：CN103569948A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310319903.1
申请日：2013-07-26
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
Inventor： R·K·科特兰卡 , R·库马尔 , P·奇拉亚瑞卡帝维度桑卡拉皮莱 , H·林 , P·耶勒汉卡
CPC classification number: B81B7/0006 , B81C1/00269 , B81C3/001 , B81C2201/0115 , H01L21/50 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种使用多孔化表面用于制作堆栈结构的接合方法，其中，揭露有具有至少一多孔化表面的接合装置。多孔化工艺将纳米多孔性孔洞带进装置接合表面的微结构。多孔化材料的材料特性比非多孔化材料软。对于相同的接合条件，与非多孔化材料相比较，多孔化接合表面的使用得强化接合接口的接合强度。
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公开(公告)号：CN102050421A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010545583.8
申请日：2010-11-09
Applicant: 罗伯特.博世有限公司
CPC classification number: A61M37/0015 , A61M2037/0053 , B81B2201/055 , B81B2203/0361 , B81C1/00111 , B81C2201/0114 , B81C2201/0115 , B81C2203/0118 , B81C2203/054 , Y10T225/10 , Y10T225/12
Abstract: 本发明涉及微型针装置的制造方法、微型针装置以及基片复合体。本发明提供了用于多孔的微型针装置的制造方法以及相应的多孔的微型针装置和相应的基片复合体。所述方法具有以下步骤：在半导体基片(1)的正面(VS)形成多个分别具有至少一根微型针(4a；4b；4c；4d)和处于其下面的多孔的载体区域(6)的多孔的微型针装置(4)；在半导体基片(1)的处于该半导体基片(1)的背面(RS)上的非多孔的剩余层(1a)与载体区域(6)之间形成分离层(3)，该分离层(3)具有比载体区域(6)高的孔隙率；通过分离层(3)的拆开将剩余层(1a)从载体区域(6)上分开；并且将微型针装置(4)分割为相应的芯片(C)。
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公开(公告)号：CN104555897B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201410550919.8
申请日：2014-10-16
Applicant: 原子能和替代能源委员会
Inventor： 埃里克·奥里尔 , 弗里德里克-格扎维埃·盖拉德 , 卡琳·马库克斯
IPC: B81C1/00
CPC classification number: C25F3/12 , B81B2201/0214 , B81C1/00206 , B81C2201/0115 , C25F3/02
Abstract: 一种用于制作至少一个多孔区域(ZP)的工艺，所述至少一个多孔区域(ZP)在导电的有源层(6)的至少一部分中，有源层(6)形成堆叠的正面，堆叠层包括导电材料的背面(2)以及介于有源层(6)与背面(2)之间的绝缘层(4)，所述工艺包括以下步骤：a)在背面(2)与有源层(6)之间制作穿过绝缘层(2)的至少一个接触垫(14)；b)将堆叠放置在电化学槽中；c)在背面(2)与有源层(6)之间施加一个通过接触垫(14)的电流，以引起接触垫(14)附近的有有源层(6)的区域(ZP)的多孔化；d)形成微电子结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1564780B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN02819846.8
申请日：2002-07-25
Applicant: 罗伯特-博希股份公司
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136 , G01L9/0042
Abstract: 本发明涉及一种制造一个具有一个半导体载体(1)的半导体构件的方法，其中为形成无支撑式的用于一个构件的结构(3)而制造了一个平面的多孔的薄膜层(3)和一个在该多孔的薄膜层(3)之下的凹槽(2)。本发明的任务是避免在制造时或者在有规则地出现的使用情况下发生薄膜损坏。所述任务可以通过不同的方式措施来解决。在第一种解决方案中半导体载体(1)在形成薄膜的部位中与凹槽相比获得不同种类和程度的掺杂，因而可以制成不同的孔隙尺寸和/或孔隙率，这在产生凹槽时可以用来改善腐蚀气体的运输。然而该任务也可以在形成薄膜的部位中产生中孔隙，而在以后形成凹槽的部位中产生纳米孔隙来作为辅助结构。此外还建议了一个基于一种或多种所述方法的半导体构件。
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公开(公告)号：CN1288724C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN02819431.4
申请日：2002-09-27
Applicant: 瓦尔蒂翁特克尼里伦图基穆斯克斯库斯公司
Inventor： J·基哈梅基
IPC: H01L21/306 , H01L27/12 , B81C3/00
CPC classification number: B81C1/00047 , B81C1/00412 , B81C2201/0115 , B81C2203/0145 , H01L21/76286
Abstract: 本发明公开了一种用于在预先制造的硅晶片中形成腔的方法，该硅晶片包括第一硅层(1)、取向为大致平行于所述第一硅层(1)的第二单晶硅层或者所谓的结构层(3)，以及位于所述第一和第二层(1、3)之间的绝缘层(2)。根据该方法，在导电硅层(1、3)中的至少一个中制造延伸通过该层的厚度的窗(4)，以及在绝缘层(2)中由通过所述制造的窗(4)来通过该层的蚀刻剂来蚀刻腔。根据本发明，在窗(4)的制造步骤以后，且在所述蚀刻步骤以前，在要加工的表面上形成薄的多孔层(5)，使得蚀刻剂可以通过所述多孔层进入被蚀刻的所述腔(6)，以及在腔(6)被蚀刻完成以后，沉积至少一层补充层(7)，以便使得所述多孔层的材料不能渗透气体。
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公开(公告)号：CN1160186C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN00808385.1
申请日：2000-05-30
Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会
CPC classification number: B81C1/0038 , B81C1/00047 , B81C2201/0115 , B81C2201/0139 , B81C2201/018 , C23C16/24 , C23C16/511 , G01N21/17 , G01N27/121 , G01N27/44717 , G01N30/6095 , H01J49/0418 , Y10T428/24174 , Y10T428/249953
Abstract: 公开了一种新型多孔薄膜(3)，包含在连续空隙中的硅柱网络，可以使用高密度等离子体沉积在低温即低于约250℃来制备。这种硅薄膜是棒状柱的二维纳米尺寸的排列。这种空隙-柱形态可以用沉积条件控制，孔隙率可以改变到高达90%。在所利用的等离子体方法中低温沉积和蚀刻的同时使用提供了同时获得柱状结构、连续空隙和多晶柱组成的独特机会。使用这种多孔连续薄膜通过该薄膜在玻璃、金属箔、绝缘体或塑料基材(5)上的等离子体沉积可以制造独特的装置。
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公开(公告)号：CN1379712A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN00808385.1
申请日：2000-05-30
Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会
CPC classification number: B81C1/0038 , B81C1/00047 , B81C2201/0115 , B81C2201/0139 , B81C2201/018 , C23C16/24 , C23C16/511 , G01N21/17 , G01N27/121 , G01N27/44717 , G01N30/6095 , H01J49/0418 , Y10T428/24174 , Y10T428/249953
Abstract: 公开了一种新型多孔薄膜(3),包含在连续空隙中的硅柱网络,可以使用高密度等离子体沉积在低温即低于约250℃来制备。这种硅薄膜是棒状柱的二维纳米尺寸的排列。这种空隙－柱形态可以用沉积条件控制,孔隙率可以改变到高达90%。在所利用的等离子体方法中低温沉积和蚀刻的同时使用提供了同时获得柱状结构、连续空隙和多晶柱组成的独特机会。使用这种多孔连续薄膜通过该薄膜在玻璃、金属箔、绝缘体或塑料基材(5)上的等离子体沉积可以制造独特的装置。
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公开(公告)号：CN104555897A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410550919.8
申请日：2014-10-16
Applicant: 原子能和替代能源委员会
Inventor： 埃里克·奥里尔 , 弗里德里克-格扎维埃·盖拉德 , 卡琳·马库克斯
IPC: B81C1/00
CPC classification number: C25F3/12 , B81B2201/0214 , B81C1/00206 , B81C2201/0115 , C25F3/02
Abstract: 一种用于制作至少一个多孔区域(ZP)的工艺，所述至少一个多孔区域(ZP)在导电的有源层(6)的至少一部分中，有源层(6)形成堆叠的正面，堆叠层包括导电材料的背面(2)以及介于有源层(6)与背面(2)之间的绝缘层(4)，所述工艺包括以下步骤：a)在背面(2)与有源层(6)之间制作穿过绝缘层(2)的至少一个接触垫(14)；b)将堆叠放置在电化学槽中；c)在背面(2)与有源层(6)之间施加一个通过接触垫(14)的电流，以引起接触垫(14)附近的有有源层(6)的区域(ZP)的多孔化；d)形成微电子结构。
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