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公开(公告)号：CN108627894B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201710156283.2
申请日：2017-03-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积、均匀的纳米透镜型阵列及其制备方法，包括：1、提供衬底，并对衬底进行清洁、活化；2、在衬底上旋涂负性光刻胶；3、采用可调全息光刻技术，以266nm波长的深紫外激光为光源，通过全息光学元件对负性光刻胶进行图案化曝光；4、经过显影和定影，得到光刻胶纳米透镜型阵列；5、采用各向异性金属沉积的方法对光刻胶模板进行金属化，得到金属的纳米透镜型阵列。光刻可以在几分钟之内大面积的完成，金属沉积也可以大批量的进行，因此突破了现有技术在批量加工方面的限制，制备的结构均匀，可以实现纳米级的精度以及大面积的制备，适用性强，有利于进一步推广本发明在不同技术领域的应用。
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公开(公告)号：CN108622848A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710156275.8
申请日：2017-03-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积、均匀的三维复合纳米结构及其制备方法，包括如下步骤：1、提供衬底；2、在衬底表面沉积第一金属层；3、将负性光刻胶均匀的旋涂在金属表面；4、采用全息光刻的方法在对负性光刻胶进行图案化曝光，并再经过显影、定影、氮气吹扫等步骤后得到大面积、均匀的周期性的光刻胶纳米柱阵列；5、采用电子束真空沉积技术进行第二次金属沉积。本发明的大面积均匀三维复合纳米结构和传统的纳米结构相比，拥有更大的比表面积，同时结合了纳米孔和光学纳米空腔的特点，可以耦合产生更多奇特的光电子学性质；且制备工艺简单、重现性好，并可以通过调节复合结构的周期、排列方式以及纳米空腔的尺寸来改变结构的光电子学性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109748238A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201711091004.5
申请日：2017-11-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积、均匀的纳米二聚体阵列的制备方法，于衬底上依次旋涂剥离光刻胶层和负性光刻胶层，采用可调紫外全息光刻技术对负性光刻胶层进行图案化曝光、显影和定影后得到六角排布的花瓣形纳米通孔阵列，刻蚀去除通孔下方的剥离光刻胶层，然后以所得到的图案为模板进行材料的沉积，并去除光刻胶，得到的大面积、均匀的六角花瓣型纳米二聚体阵列不仅仅具有二聚体单元的性质，还有周期性阵列的特点，应用前景广泛。本发明的方法操作简单，形貌可控性好，可重复，易于形成大面积、均匀的阵列，适于实际应用。
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公开(公告)号：CN109748238B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201711091004.5
申请日：2017-11-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积、均匀的纳米二聚体阵列的制备方法，于衬底上依次旋涂剥离光刻胶层和负性光刻胶层，采用可调紫外全息光刻技术对负性光刻胶层进行图案化曝光、显影和定影后得到六角排布的花瓣形纳米通孔阵列，刻蚀去除通孔下方的剥离光刻胶层，然后以所得到的图案为模板进行材料的沉积，并去除光刻胶，得到的大面积、均匀的六角花瓣型纳米二聚体阵列不仅仅具有二聚体单元的性质，还有周期性阵列的特点，应用前景广泛。本发明的方法操作简单，形貌可控性好，可重复，易于形成大面积、均匀的阵列，适于实际应用。
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公开(公告)号：CN108627894A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710156283.2
申请日：2017-03-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积、均匀的纳米透镜型阵列及其制备方法，包括：1、提供衬底，并对衬底进行清洁、活化；2、在衬底上旋涂负性光刻胶；3、采用可调全息光刻技术，以266nm波长的深紫外激光为光源，通过全息光学元件对负性光刻胶进行图案化曝光；4、经过显影和定影，得到光刻胶纳米透镜型阵列；5、采用各向异性金属沉积的方法对光刻胶模板进行金属化，得到金属的纳米透镜型阵列。光刻可以在几分钟之内大面积的完成，金属沉积也可以大批量的进行，因此突破了现有技术在批量加工方面的限制，制备的结构均匀，可以实现纳米级的精度以及大面积的制备，适用性强，有利于进一步推广本发明在不同技术领域的应用。
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公开(公告)号：CN116589987A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310559150.5
申请日：2023-05-17
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K5/14
Abstract: 一种基于铜纳米线负载的石墨烯基热界面材料的制备方法，涉及纳米材料。所述热界面材料由铜纳米线、石墨烯片层组成；铜纳米线在石墨烯层间原位生长，再采用真空抽滤结合施加压力的方法使石墨烯片层定向排列，得到铜纳米线/石墨烯复合材料。通过在石墨烯表面形成均匀的铜纳米线导热网络，增加了表面的导热途径，提高了热通量；同时铜纳米线掺杂到石墨烯层间之后，可以促进石墨烯层间的导热传递，增加石墨烯基复合材料的纵向导热系数，减小各项异性，从而提高了导热系数，降低了各向异性，散热效果好，可以作为热界面材料显著处理电子器件中以及LED灯产生多余热量的问题。
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公开(公告)号：CN108622848B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201710156275.8
申请日：2017-03-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积、均匀的三维复合纳米结构及其制备方法，包括如下步骤：1、提供衬底；2、在衬底表面沉积第一金属层；3、将负性光刻胶均匀地旋涂在金属表面；4、采用全息光刻的方法在对负性光刻胶进行图案化曝光，并再经过显影、定影、氮气吹扫等步骤后得到大面积、均匀的周期性的光刻胶纳米柱阵列；5、采用电子束真空沉积技术进行第二次金属沉积。本发明的大面积均匀三维复合纳米结构和传统的纳米结构相比，拥有更大的比表面积，同时结合了纳米孔和光学纳米空腔的特点，可以耦合产生更多奇特的光电子学性质；且制备工艺简单、重现性好，并可以通过调节复合结构的周期、排列方式以及纳米空腔的尺寸来改变结构的光电子学性质。
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