公开(公告)号：CN104464868B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410808033.9

申请日：2014-12-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郭航 ,  戴昌鸿 ,  笪凯 ,  吴凯

IPC: G21H1/06

Abstract: GaN肖特基结型核电池及其制备方法，涉及核电池。核电池从下至上依次包括蓝宝石衬底层、GaN缓冲层、n+GaN层、n-GaN层、肖特基金属层、SiO2保护层、欧姆接触层和放射性同位素层。在蓝宝石衬底上依次生长GaN缓冲层、n+GaN层、n-GaN层；在n-GaN层上得到两个暴露出n+GaN层的窗口；在整个器件的上表面生长SiO2保护层；在SiO2保护层上腐蚀出用于肖特基接触的窗口；通过光刻和溅射的方法得到肖特基金属层；光刻并腐蚀出用于欧姆接触的窗口；通过光刻和溅射的步骤得到欧姆接触层，退火，得到良好的欧姆接触，SiO2保护层在此过程中起到保护的作用；加上放射性同位素层以形成核电池。

公开(公告)号：CN104464868A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410808033.9

申请日：2014-12-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郭航 ,  戴昌鸿 ,  笪凯 ,  吴凯

IPC: G21H1/06

CPC classification number: G21H1/06

Abstract: GaN肖特基结型核电池及其制备方法，涉及核电池。核电池从下至上依次包括蓝宝石衬底层、GaN缓冲层、n+GaN层、n-GaN层、肖特基金属层、SiO2保护层、欧姆接触层和放射性同位素层。在蓝宝石衬底上依次生长GaN缓冲层、n+GaN层、n-GaN层；在n-GaN层上得到两个暴露出n+GaN层的窗口；在整个器件的上表面生长SiO2保护层；在SiO2保护层上腐蚀出用于肖特基接触的窗口；通过光刻和溅射的方法得到肖特基金属层；光刻并腐蚀出用于欧姆接触的窗口；通过光刻和溅射的步骤得到欧姆接触层，退火，得到良好的欧姆接触，SiO2保护层在此过程中起到保护的作用；加上放射性同位素层以形成核电池。

公开(公告)号：CN104485150B

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201410804724.1

申请日：2014-12-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郭航 ,  戴昌鸿 ,  吴凯 ,  笪凯

IPC: G21H1/06

Abstract: 多孔硅PN结型核电池及其制备方法，涉及核电池。所述核电池从上至下依次设有放射性同位素层、上电极金属层、多孔硅层、硅衬底层和下电极金属层；各层尺寸相同。所述制备方法：在硅衬底层上扩散磷或者硼得到PN结；采用电化学阳极氧化的方法在硅片上腐蚀得到多孔硅层；在硅片的两面分别溅射上电极金属层和下电极金属层；在上电极金属层的上方耦合一层放射性同位素层。增加了放射性同位素层辐射出的电子与半导体PN结区的作用面积，并利用多孔硅的量子限制效应使硅的禁带得到展宽，从而提高该核电池的开路电压、短路电流和转换效率。能明显地提高电池的转换效率，在更小的体积内提供更多的电能。

公开(公告)号：CN104485150A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410804724.1

申请日：2014-12-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郭航 ,  戴昌鸿 ,  吴凯 ,  笪凯

IPC: G21H1/06

CPC classification number: G21H1/06

Abstract: 多孔硅PN结型核电池及其制备方法，涉及核电池。所述核电池从上至下依次设有放射性同位素层、上电极金属层、多孔硅层、硅衬底层和下电极金属层；各层尺寸相同。所述制备方法：在硅衬底层上扩散磷或者硼得到PN结；采用电化学阳极氧化的方法在硅片上腐蚀得到多孔硅层；在硅片的两面分别溅射上电极金属层和下电极金属层；在上电极金属层的上方耦合一层放射性同位素层。增加了放射性同位素层辐射出的电子与半导体PN结区的作用面积，并利用多孔硅的量子限制效应使硅的禁带得到展宽，从而提高该核电池的开路电压、短路电流和转换效率。能明显地提高电池的转换效率，在更小的体积内提供更多的电能。