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公开(公告)号：CN105800547A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610217363.X
申请日：2016-04-08
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C3/00
CPC classification number: B81C3/001
Abstract: 用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法，涉及半导体工艺和微制造领域。在承载片上加工出比超薄硅片外径略大三段等径同心圆弧槽，并开设三段溢流槽，溢流槽与圆弧槽相连；采用旋涂的方法，把黏胶涂覆于圆弧槽底，用于圆弧槽定位和承载超薄硅片；对整体硅片进行热压；当超薄硅片完成后续化学机械抛光后，先后采用冷却后硫酸和双氧水混合液与热丙酮即可完全溶解并去除黏胶，实现超薄硅片与承载片的无破损、无应力分离。不仅可解决超薄硅片在化学机械抛光过程中难以夹持，易破碎的问题，同时能有效减小超薄硅片后续抛光时累积加工误差，显著降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN101510659B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910111375.4
申请日：2009-03-27
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: G04F5/14
Abstract: 一种芯片式铷吸收泡，涉及一种铷吸收泡，尤其是涉及一种适用于常规、微小型化与芯片式以及应用激光作为光源的各种铷原子钟的芯片式铷吸收泡。提供一种体积较小、功耗较低和吸收效果较好的芯片式铷吸收泡。设有一硅片，在硅片中央设有一个通孔，在通孔的一边上设有沟道，通孔经沟道与外部连通。在硅片两侧面分别设有玻璃片，硅片与两侧面的玻璃片键合成一块芯片，硅片中央的通孔与硅片两侧面的玻璃片构成的腔体内充入铷-87和惰性气体。
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公开(公告)号：CN101510659A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910111375.4
申请日：2009-03-27
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: G04F5/14
Abstract: 一种芯片式铷吸收泡，涉及一种铷吸收泡，尤其是涉及一种适用于常规、微小型化与芯片式以及应用激光作为光源的各种铷原子钟的芯片式铷吸收泡。提供一种体积较小、功耗较低和吸收效果较好的芯片式铷吸收泡。设有一硅片，在硅片中央设有一个通孔，在通孔的一边上设有沟道，通孔经沟道与外部连通。在硅片两侧面分别设有玻璃片，硅片与两侧面的玻璃片键合成一块芯片，硅片中央的通孔与硅片两侧面的玻璃片构成的腔体内充入铷－87和惰性气体。
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公开(公告)号：CN117352853A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311272235.1
申请日：2023-09-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M10/058 , H01M10/0525 , H01M10/04 , H01M4/04 , H01M50/117 , H01M50/102 , C23C14/35 , C23C14/14 , C23C14/08 , C23C14/06
Abstract: 一种全固态薄膜锂离子电池及其封装方法，通过微纳加工技术进行全固态薄膜锂离子电池的逐层制备氧化层、负极集流体层、负极层、固态电解质层、正极层、正极集流体层来实现薄膜锂离子电池的微型化与集成化；同时使用电感耦合等离子体化学气相沉积系统(ICPECVD)制备氮化硅钝化封装层。本发明通过稳定控制氮化硅制备温度在较低的130℃来防止全固态电池的固态电解质层材料在较高沉积温度下离子电导率降低进而影响电池循环性能。制备出的氮化硅薄膜降低了封装的水汽透过率，防止电池中的活性物质在日常使用中与环境中的空气和水分反应，提高电池的可靠性以及使用寿命。
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公开(公告)号：CN117154019A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311272213.5
申请日：2023-09-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M4/1391 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M10/0525
Abstract: 一种多孔钛酸锂薄膜电极的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)将钛酸四丁酯、氢氧化锂、聚乙烯醇配制成前驱体溶液；2)将前驱体溶液用喷雾热解方式在基片表面生长出钛酸锂前驱体薄膜；3)将前驱体薄膜放入马弗炉高温煅烧后得到多孔钛酸锂薄膜。本发明采用改进的前驱体溶液，通过喷雾热解工艺方法制备锂电池钛酸锂负极薄膜材料不仅成本低，工艺简单，制备效率高，并且制备的钛酸锂负极薄膜材料拥有优异的倍率性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104485150B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201410804724.1
申请日：2014-12-22
Applicant: 厦门大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 多孔硅PN结型核电池及其制备方法，涉及核电池。所述核电池从上至下依次设有放射性同位素层、上电极金属层、多孔硅层、硅衬底层和下电极金属层；各层尺寸相同。所述制备方法：在硅衬底层上扩散磷或者硼得到PN结；采用电化学阳极氧化的方法在硅片上腐蚀得到多孔硅层；在硅片的两面分别溅射上电极金属层和下电极金属层；在上电极金属层的上方耦合一层放射性同位素层。增加了放射性同位素层辐射出的电子与半导体PN结区的作用面积，并利用多孔硅的量子限制效应使硅的禁带得到展宽，从而提高该核电池的开路电压、短路电流和转换效率。能明显地提高电池的转换效率，在更小的体积内提供更多的电能。
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公开(公告)号：CN105428572A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510849210.2
申请日：2015-11-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M2/14 , H01M2/16 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M2/145 , H01M2/1653 , H01M10/0525
Abstract: 一种锂离子电池用静电纺丝复合隔膜的制备方法，涉及锂离子电池。提供离子电导率较高、电化学性质较好、厚度较小的一种锂离子电池用静电纺丝复合隔膜的制备方法。配制聚偏氟乙烯与另一种聚合物复合的前驱体溶液A；配制聚偏氟乙烯与无机纳米材料混合的前驱体溶液B；采用静电纺丝技术，得到所述锂离子电池用静电纺丝复合隔膜。采用PVDF为基材，通过静电纺丝技术，共混聚合物和无机纳米材料，生成多孔网状复合纤维隔膜，降低了PVDF体系结晶度，从而提高了隔膜无定型区的离子传导能力以及拉伸强度和断裂伸长率，保障了锂离子电池电解质较高的离子电导率和安全性能，并且可以获得不同厚度的纤维隔膜，以满足锂离子电池隔膜的应用需求。
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公开(公告)号：CN104730288A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510134504.7
申请日：2015-03-26
Applicant: 厦门大学
IPC: G01P15/09
Abstract: 一种单轴压电加速度计，涉及压电加速度计。提供可提高加速度计灵敏度，增加其频率带宽的一种单轴压电加速度计。设有质量块，质量块呈长方体，在质量块的顶部两侧分别沿设左梁和右梁，左梁、右梁与质量块成一体，在左梁上表面设有左梁左压电片和左梁右压电片，在右梁上表面设有右梁左压电片和右梁右压电片；在各压电片的上表面均设有一层Al电极，在各压电片的下表面均设有一层Pt/Ti电极。将三个方向加速度的检测分配到每一个器件上；获得了较高的电荷灵敏度，三个方向上的检测之间不会存在串扰，通过采用对称连接和反对称连接，有效避免了各个方向检测之间的串扰；提高了加速度计的动态频宽。
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公开(公告)号：CN101510779B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910111374.X
申请日：2009-03-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H03L7/26
Abstract: 一种芯片式铷滤光泡，涉及一种滤光装置，尤其是涉及一种主要适用于常规、微小型化与芯片式以及应用激光作为光源的各种铷原子钟的滤除特定谱线的芯片式铷滤光泡。提供一种不仅体积较小、功耗较低，而且可有效滤除不需要的谱线，减小所需要的谱线的衰减，获得较好滤光效果的芯片式铷滤光泡。设有一硅片，在硅片中央设有一个通孔，在通孔的一边上设有沟道，通孔经沟道与外部连通。在硅片两侧面分别设有玻璃片，硅片与两侧面的玻璃片键合成一块芯片，硅片中央的通孔与硅片两侧面的玻璃片构成的腔体内充入铷-85和惰性气体。
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公开(公告)号：CN117080366A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311272164.5
申请日：2023-09-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M4/1391 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M10/0525 , H01M10/42 , H01M4/62
Abstract: 一种钛酸锂/二氧化钛包覆的三元正极极片及其制备方法和用途，制备方法包括以下步骤：1)将三元材料、导电剂、粘结剂和溶剂混合，得到正极浆料；(2)将正极浆料涂覆于集流体表面，干燥，得到未包覆的三元正极极片；(3)将钛酸锂/二氧化钛材料以磁控溅射的方式包覆于步骤2)所述的未包覆的三元正极极片表面，得到所述钛酸锂/二氧化钛包覆的三元正极极片；本发明通过磁控溅射法在室温下就可以对三元材料进行钛酸锂/二氧化钛包覆，能够避免三元材料的还原与结构破坏，此外，钛酸锂/二氧化钛包覆还能有效地改善三元正极材料的循环性能及热稳定性，提高材料倍率性能。
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