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公开(公告)号:CN117384633A
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN202311321403.1
申请日:2023-10-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种具有超长发射波长的近红外发光材料,该材料的化学组成为:La4Mg1‑xCrxB2O10+0.5x,其中,0<x<0.2。该材料以Cr3+为激活剂,在蓝光激发下,该材料的发射光谱主峰峰位大于1290nm、发射光谱的半高宽大于280nm、量子效率大于85%,从而使该发光材料可应用于近红外光二区的LED器件。
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公开(公告)号:CN117568033A
公开(公告)日:2024-02-20
申请号:CN202311560376.3
申请日:2023-11-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种可被紫光激发的青色氧化物荧光材料及制备方法,该荧光材料的化学组成为:Sr3‑xEuxLu4‑yScyGe5O19,其中,0.1≤x≤0.2,0.5≤y≤1,且0.6≤x+y≤1.1。该材料对应基质的晶体结构属于六方晶系,空间群为P6/m。以Eu2+为激活剂,在紫光405nm的激发下,可被紫光激发的青色氧化物荧光材料发射光谱的主峰位于485~495nm之间,量子效率≥70%,从而使该荧光材料可应用于白光LED器件。
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公开(公告)号:CN117511544A
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN202311350329.6
申请日:2023-10-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种宽谱近红外荧光材料及近红外光源。该荧光材料的化学组成为:Ba3La2中(Mg,01‑<2xCrx<2x0.)(Nb25。2该材料以‑xCrx)O12Cr,其3+为激活剂,在绿光激发下发射近红外光,发射光谱的主峰峰位大于1220nm,发射光谱的半高宽大于240nm;该荧光材料在520nm绿光激发下的量子效率大于80%,从而使该荧光材料应用于近红外光LED器件。
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公开(公告)号:CN117568033B
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202311560376.3
申请日:2023-11-21
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/78 , H10H20/822 , C01G17/00
Abstract: 一种可被紫光激发的青色氧化物荧光材料及制备方法,该荧光材料的化学组成为:Sr3‑xEuxLu4‑yScyGe5O19,其中,0.1≤x≤0.2,0.5≤y≤1,且0.6≤x+y≤1.1。该材料对应基质的晶体结构属于六方晶系,空间群为P6/m。以Eu2+为激活剂,在紫光405nm的激发下,可被紫光激发的青色氧化物荧光材料发射光谱的主峰位于485~495nm之间,量子效率≥70%,从而使该荧光材料可应用于白光LED器件。
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公开(公告)号:CN117586772B
公开(公告)日:2025-04-22
申请号:CN202311557725.6
申请日:2023-11-21
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/79 , H10H20/851 , C01B21/082
Abstract: 一种可被紫光激发的青色氮氧化物荧光材料及制备方法,该荧光材料的化学组成为:Ba2‑xEuxY4SiO7N2,其中,0.05≤x≤0.2。该材料对应基质的晶体结构属于四方晶系,空间群为P4;以Eu2+为激活剂,在紫光激发下,该青色氮氧化物荧光材料在100℃时的发光强度是25℃时的发光强度的0.90~0.95倍,发射光谱的主峰峰位位于485~500nm之间,量子效率大于80%,从而使该荧光材料可应用于白光LED器件。
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公开(公告)号:CN117384636B
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202311321695.9
申请日:2023-10-12
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/81 , H10H29/851
Abstract: 一种半高宽大于300nm的宽谱近红外荧光材料,该荧光材料的化学组成为:Ba3Gd4‑xCrx(PO4)6,其中,0<x<0.5。该材料以Cr3+为激活剂,在蓝光激发下发射近红外光,发射光谱的主峰峰位大于1310nm,发射光谱的半高宽大于300nm;该荧光材料在450nm蓝光激发下的量子效率大于90%,从而使该荧光材料应用于近红外光LED器件。
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公开(公告)号:CN117384636A
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN202311321695.9
申请日:2023-10-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种半高宽大于300nm的宽谱近红外荧光材料,该荧光材料的化学组成为:Ba3Gd4‑xCrx(PO4)6,其中,0<x<0.5。该材料以Cr3+为激活剂,在蓝光激发下发射近红外光,发射光谱的主峰峰位大于1310nm,发射光谱的半高宽大于300nm;该荧光材料在450nm蓝光激发下的量子效率大于90%,从而使该荧光材料应用于近红外光LED器件。
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公开(公告)号:CN117586772A
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202311557725.6
申请日:2023-11-21
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/79 , H01L33/50 , C01B21/082
Abstract: 一种可被紫光激发的青色氮氧化物荧光材料及制备方法,该荧光材料的化学组成为:Ba2‑xEuxY4SiO7N2,其中,0.05≤x≤0.2。该材料对应基质的晶体结构属于四方晶系,空间群为P4;以Eu2+为激活剂,在紫光激发下,该青色氮氧化物荧光材料在100℃时的发光强度是25℃时的发光强度的0.90~0.95倍,发射光谱的主峰峰位位于485~500nm之间,量子效率大于80%,从而使该荧光材料可应用于白光LED器件。
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公开(公告)号:CN117487551A
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202311402520.0
申请日:2023-10-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种具有反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料,该荧光材料的化学组成为:Ba(Mg5‑xCrx)(Zr3‑xCrx)O材料以12,其中Cr,03+<为激活剂并x≤0.1。该产生近红外光发射。在紫光400nm激发下,该反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料在125℃时的发光强度是25℃时的发光强度的1.05~1.15倍,发射光谱的主峰峰位大于1205nm,发射光谱的半高宽大于205nm,量子效率大于80%。
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