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公开(公告)号：CN105551937A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510958197.4
申请日：2015-12-18
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L21/02425 , B82Y30/00 , H01L21/02472 , H01L21/02603 , H01L21/02609 , H01L21/0262
Abstract: 在氧化锌掺铝导电玻璃上可控生长氧化锌纳米结构的方法，涉及纳米材料的制备。提供一种工艺简单、成本低、无毒、沉积速率快、纯度高、无需添加催化剂的在氧化锌掺铝导电玻璃上可控生长氧化锌纳米结构的方法。1)将衬底清洗，去除表面污染物；2)将清洗后的衬底放入盛有锌粉的刚玉舟里，然后放入化学气相沉积炉内中央温度区并开始抽真空；3)待化学气相沉积炉内的真空度达到8.6mbar时，开始升温，对于三温区化学气相沉积炉，炉两侧温度分别升到250℃，中心区温度升到650℃；再通入氧气和氩气的混气气体；4)待步骤3)完成以后，系统进行降温，即可得到均匀的氧化锌纳米结构。
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公开(公告)号：CN105551937B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510958197.4
申请日：2015-12-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 在氧化锌掺铝导电玻璃上可控生长氧化锌纳米结构的方法，涉及纳米材料的制备。提供一种工艺简单、成本低、无毒、沉积速率快、纯度高、无需添加催化剂的在氧化锌掺铝导电玻璃上可控生长氧化锌纳米结构的方法。1)将衬底清洗，去除表面污染物；2)将清洗后的衬底放入盛有锌粉的刚玉舟里，然后放入化学气相沉积炉内中央温度区并开始抽真空；3)待化学气相沉积炉内的真空度达到8.6mbar时，开始升温，对于三温区化学气相沉积炉，炉两侧温度分别升到250℃，中心区温度升到650℃；再通入氧气和氩气的混气气体；4)待步骤3)完成以后，系统进行降温，即可得到均匀的氧化锌纳米结构。
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公开(公告)号：CN105543795A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510960178.5
申请日：2015-12-18
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0635 , C23C14/5806
Abstract: 一种多晶碳化硅薄膜的生长方法，涉及碳化硅薄膜。提供可有效减少碳化硅薄膜内部的杂质和缺陷，避免薄膜中因为较大的张应力造成薄膜破裂现象，显著提高碳化硅薄膜质量的一种多晶碳化硅薄膜的生长方法。将清洗后的衬底送入磁控溅射仪溅射，溅射结束后降温，形成非晶碳化硅薄膜样品，退火后即得多晶碳化硅薄膜。采用磁控溅射设备在掺铝氧化锌衬底上制备多晶碳化硅薄膜样品，通过控制生长参数，得到尺寸均匀碳化硅薄膜，制备过程简单、工艺稳定、重复性好、无需使用有毒或危险气体，而且制得的多晶碳化硅薄膜沉积速率高、致密性好。可以应用于微电子、光伏行业。具有成本低、易于大面积生产、无污染等优点。
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