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公开(公告)号：CN1425805A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN03101271.X
申请日：2003-01-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 涉及采用约束刻蚀剂层技术在金属表面进行复杂三维微结构的加工。步骤为将带有微结构的加工工具固定于固定架上；刻蚀溶液注入容器；加工工具进入溶液；启动电化学系统，在加工工具表面产生刻蚀剂；利用清除剂将刻蚀剂层压缩到纳米级或微米级厚度；启动驱动装置，对工件刻蚀，使工件表面凹陷脱离刻蚀剂层，至刻蚀完毕。加工装置设加工工具、固定架、驱动装置、计算机、电化学系统。可进行各种复杂三维微结构的批量复制加工；一步完成批量微结构的刻蚀，省去光刻中的涂胶、曝光、显影和去胶，降低成本，提高了加工精度和表面平整度；加工过程具有距离敏感性，可通过精确控制模板的进给距离精确控制加工量。
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公开(公告)号：CN100406618C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN03101271.X
申请日：2003-01-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 涉及采用约束刻蚀剂层技术在金属表面进行复杂三维微结构的加工。步骤为将带有微结构的加工工具固定于固定架上；刻蚀溶液注入容器；加工工具进入溶液；启动电化学系统，在加工工具表面产生刻蚀剂；利用清除剂将刻蚀剂层压缩到纳米级或微米级厚度；启动驱动装置，对工件刻蚀，使工件表面凹陷脱离刻蚀剂层，至刻蚀完毕。加工装置设加工工具、固定架、驱动装置、计算机、电化学系统。可进行各种复杂三维微结构的批量复制加工；一步完成批量微结构的刻蚀，省去光刻中的涂胶、曝光、显影和去胶，降低成本，提高了加工精度和表面平整度；加工过程具有距离敏感性，可通过精确控制模板的进给距离精确控制加工量。
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公开(公告)号：CN1274582C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410037771.4
申请日：2004-05-12
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C5/00 , C01B33/021
Abstract: 硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置，将模板固定于架上，浸入电化学刻蚀溶液，以模板作为工作电极，另在容器中设辅助电极和参比电极，启动电化学系统，将模板逐步移向硅片，进行刻蚀，刻蚀完模板离开硅片表面。由于刻蚀剂寿命缩短而只能扩散很短距离，所以在模板表面形成的刻蚀剂层极薄，以极高的分辨率保持了模板本身的复杂三维立体图形加工于硅片上。可对硅材料进行各种复杂三维微结构(如半球面、锥面等)的批量复制加工。在适当的条件下，以此体系进行硅的加工可以达到每分钟约10微米深度的速度，分辨率达0.1微米以上。
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公开(公告)号：CN1569610A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410037771.4
申请日：2004-05-12
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C5/00 , C01B33/021
Abstract: 硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置，将模板固定于架上，浸入电化学刻蚀溶液，以模板作为工作电极，另在容器中设辅助电极和参比电极，启动电化学系统，将模板逐步移向硅片，进行刻蚀，刻蚀完模板离开硅片表面。由于刻蚀剂寿命缩短而只能扩散很短距离，所以在模板表面形成的刻蚀剂层极薄，以极高的分辨率保持了模板本身的复杂三维立体图形加工于硅片上。可对硅材料进行各种复杂三维微结构(如半球面、锥面等)的批量复制加工。在适当的条件下，以此体系进行硅的加工可以达到每分钟约10微米深度的速度，分辨率达0.1微米以上。
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