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    导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜
    3.
    发明授权
    导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜 有权

    公开(公告)号：CN108473825B

    公开(公告)日：2023-03-03

    申请号：CN201680077028.2

    申请日：2016-12-16

    Applicant: 古河电气工业株式会社

    Inventor： 三原尚明 ,  切替德之 ,  杉山二朗

    IPC: C09J7/10 ,  C09J4/00 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01L21/301 ,  H01L21/60

    Abstract: 本发明提供导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜，该导电性粘接膜例如适合用作将半导体芯片(尤其是功率器件)接合于引线框的元件承载部上或者绝缘基板的回路电极部上时的导电接合材料，并能将在实现无铅化的同时具有特别优良的导电性、且在接合以及烧结后的耐热性与安装可靠性两方面优良的接合层形成于半导体芯片与引线框的元件承载部上或者绝缘基板的回路电极部之间。本发明的导电性粘接膜包含金属粒子(P)以及树脂(M)，所述树脂(M)包含热固性树脂(M1)，所述金属粒子(P)的平均粒径(d50)为20μm以下，且所述金属粒子(P)包含10质量％以上的第一金属粒子(P1)，所述第一金属粒子(P1)在一次粒子的状态下利用投影图观察时的分形维数为1.1以上。

    导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜
    4.
    发明授权
    导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜 有权

    公开(公告)号：CN108473831B

    公开(公告)日：2021-07-13

    申请号：CN201680077029.7

    申请日：2016-12-16

    Applicant: 古河电气工业株式会社

    Inventor： 三原尚明 ,  切替德之 ,  杉山二朗

    IPC: C09J7/30 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J157/12 ,  C09J163/02 ,  C09J201/00 ,  H01B1/22 ,  H01L21/301 ,  H01L21/60

    Abstract: 本发明提供导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜，该导电性粘接膜例如适合用作将半导体芯片(尤其是功率器件)接合于引线框的元件承载部上或者绝缘基板的回路电极部上时的导电接合材料，并能将实现无铅化且在接合以及烧结后的耐热性与安装可靠性两方面优良的接合层形成于半导体芯片与引线框的元件承载部上或者绝缘基板的回路电极部之间。本发明的导电性粘接膜包含金属粒子(Q)、树脂(M)以及选自规定的有机膦类(A)和规定的硫醚系化合物(B)中的至少一者，在烧结后的状态下测定的1Hz时的储能弹性模量为20GPa以下，并且在氮气氛围下于250℃加热2小时时的加热重量减少率低于1％。

    粘接膜
    6.
    发明授权
    粘接膜 有权

    公开(公告)号：CN106459682B

    公开(公告)日：2019-09-24

    申请号：CN201580033222.6

    申请日：2015-08-10

    Applicant: 古河电气工业株式会社

    Inventor： 青山真沙美 ,  切替德之

    IPC: C09J7/30 ,  C09J4/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J201/02 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52

    Abstract: 本发明目的在于，提供能够不对被粘体给予大的应力而缓和由被粘体间的线性膨胀系数之差引起的翘曲且可靠性更高的粘接膜。具体而言，一种粘接膜，其特征在于，包含：(A)固化性树脂，具有碳原子数为5～8的脂环烃被至少4个碳原子数为4～12的烷基取代的结构，进一步具有至少一个固化性部分；以及(B)聚合引发剂，1小时的半衰期温度为140℃以上。另外，一种带有切割胶带的粘接膜，将这样的粘接膜层压于切割胶带而成。

    膜状粘接剂、使用了膜状粘接剂的半导体封装体的制造方法
    7.
    发明公开
    膜状粘接剂、使用了膜状粘接剂的半导体封装体的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN110023444A

    公开(公告)日：2019-07-16

    申请号：CN201880003308.8

    申请日：2018-07-25

    Applicant: 古河电气工业株式会社

    Inventor： 森田稔 ,  切替德之

    IPC: C09J163/00 ,  C09J7/30 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  H01L21/52

    Abstract: 本申请的目的在于提供能够防止半导体芯片背面、基板表面、散热器表面被填料局部性破坏的情形的膜状粘接剂、使用了膜状粘接剂的半导体封装体的制造方法。特征在于：含有环氧树脂(A)、环氧树脂固化剂(B)、苯氧基树脂(C)、导热性填充材料(D)，上述导热性填充材料(D)的平均粒径为0.1～10.0μm，在微小压缩试验中的破坏时压缩率为试样的平均粒径的5～50％，在微小压缩试验中的破坏强度为0.01～2.0GPa，导热率为30W/m·K以上，(D)的含量相对于上述(A)～(D)的总量为10～70体积％，热固化后导热率为1.0W/m·K以上。

    膜状粘接剂、使用了膜状粘接剂的半导体封装体的制造方法
    9.
    发明授权
    膜状粘接剂、使用了膜状粘接剂的半导体封装体的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN110023444B

    公开(公告)日：2021-07-06

    申请号：CN201880003308.8

    申请日：2018-07-25

    Applicant: 古河电气工业株式会社

    Inventor： 森田稔 ,  切替德之

    IPC: C09J163/00 ,  C09J7/30 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  H01L21/52

    Abstract: 本申请的目的在于提供能够防止半导体芯片背面、基板表面、散热器表面被填料局部性破坏的情形的膜状粘接剂、使用了膜状粘接剂的半导体封装体的制造方法。特征在于：含有环氧树脂(A)、环氧树脂固化剂(B)、苯氧基树脂(C)、导热性填充材料(D)，上述导热性填充材料(D)的平均粒径为0.1～10.0μm，在微小压缩试验中的破坏时压缩率为试样的平均粒径的5～50％，在微小压缩试验中的破坏强度为0.01～2.0GPa，导热率为30W/m·K以上，(D)的含量相对于上述(A)～(D)的总量为10～70体积％，热固化后导热率为1.0W/m·K以上。

    导电性粘接膜
    10.
    发明授权
    导电性粘接膜 有权

    公开(公告)号：CN106574151B

    公开(公告)日：2020-06-09

    申请号：CN201580045111.7

    申请日：2015-08-10

    Applicant: 古河电气工业株式会社

    Inventor： 三原尚明 ,  切替德之 ,  杉山二郎 ,  青山真沙美

    IPC: C09J7/30 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J183/04 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52

    Abstract: 本发明提供一种粘接膜和使用了该粘接膜的半导体加工方法，所述粘接膜耐热性优异且应力缓和性也优异，并且无需使用银等昂贵的贵金属即可获得还可适用于功率半导体背面电极的这样的高导电性，不会从元件中溢出，可获得足够的粘接强度。具体而言，提供一种导电性粘接膜，所述导电性粘接膜包含至少含Cu的两种以上的金属颗粒和具有聚二甲基硅氧烷骨架的高分子。另外，还提供一种在该导电性接合膜上层叠切割胶带而形成的切割芯片粘接膜、以及使用了该粘接膜、切割芯片粘接膜的半导体晶片的加工方法。

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