-
公开(公告)号:CN106206335B
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201510243509.3
申请日:2015-05-13
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor: 朴廷修
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/482 , H01L23/49
CPC classification number: H01L24/48 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05553 , H01L2224/06135 , H01L2224/32014 , H01L2224/32145 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48105 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
Abstract: 本发明提供具有悬垂部分的半导体封装及其制造方法。一种用于制造半导体封装的方法包括:在基板的形成有多个接合指和多个虚拟接合指的一个表面上设置结构体;通过在所述结构体之上堆叠邻近一个边缘形成有多个接合垫和多个虚拟接合垫的半导体芯片,使得所述一个边缘从所述结构体的侧表面伸出,来形成悬垂部分;形成多条虚拟引线,所述多条虚拟引线将虚拟接合垫与虚拟接合指电连接;以及在形成虚拟引线之后,形成多条导线,所述多条导线将接合垫与接合指电连接。
-
公开(公告)号:CN109207077A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201810725608.9
申请日:2018-07-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , C09J7/245 , C09J2201/122 , C09J2423/046 , C09J2427/006 , H01L21/52 , H01L24/27
Abstract: 本发明提供切割带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法。提供在常温扩展时及之后不易发生带有芯片接合薄膜的半导体芯片的浮起的切割带及使用该切割带的切割芯片接合薄膜。一种切割带,其具有:基材、和层叠在前述基材上的粘合剂层,切割带的至少一个方向的、在23℃的温度条件下进行30%拉伸1000秒之后的应力松弛率为45%以上,前述至少一个方向的、在23℃的温度条件下进行30%拉伸1000秒之后的应力值为4MPa以下。
-
公开(公告)号:CN109037184A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810790404.3
申请日:2014-07-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/49
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L25/065 , H01L25/0657 , H01L2224/04042 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/0612 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/48499 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/4917 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2224/4945 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83101 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85986 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01079 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明公开了一种可提高半导体器件的可靠性的技术。所述半导体器件包括具有形成于芯片装载面上的多个焊点(引脚)BF的布线基板3、搭载于布线基板3上的半导体芯片、以及分别具有球形部Bnd1及接合部Bnd2的多条引线BW。多个焊点BF具有分别与引线BWa的接合部Bnd2连接的焊点BF1、以及与引线BWb的球形部Bnd1连接的焊点BF2。另外,在俯视观察时,焊点BF2配置在与多个焊点BF1的配置列Bd1上不同的位置上,而且,焊点BF2的宽度W2比焊点BF1的宽度W1大。
-
公开(公告)号:CN108666301A
公开(公告)日:2018-10-16
申请号:CN201710761250.0
申请日:2017-08-30
Applicant: 意法半导体公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/552 , B32B7/12 , B32B2457/14 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83851 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81
Abstract: 半导体封装包括衬底、管芯、绝缘管芯贴装薄膜、仿真管芯、传导层和导电模塑料或密封剂。衬底的第一表面包括多个内部引线,并且衬底的第二表面包括多个外部导电焊盘和导电接地端子。非传导线上流动管芯贴装薄膜被放置以围绕并且包住管芯。仿真管芯覆在管芯上面,并且传导层覆在仿真管芯上面。导电模塑料被形成以包住半导体器件的各种组件。导电模塑料被电气耦合到导电接地端子和传导层,从而形成用于封装中的管芯的EMI屏蔽。
-
公开(公告)号:CN108475713A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201780006837.9
申请日:2017-01-13
Applicant: 西铁城时计株式会社 , 西铁城电子株式会社 , 荒川化学工业株式会社 , 朋诺株式会社
IPC: H01L33/48 , C08L83/06 , C09J11/02 , C09J183/04 , H01L21/52
CPC classification number: H01L33/60 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08L83/04 , C08L83/06 , C09J183/04 , H01L21/52 , H01L33/48 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种电极产生导电不良的可能性低的LED发光装置。芯片粘合剂为对具有被金覆盖的连接面的LED元件进行接合的缩合反应型粘合剂,其含有:(A)室温下为固体状的聚倍半硅氧烷,其具有以R1SiO3/2(式中,R1表示从碳原子数1~15的烷基、苯基和苄基组成的组中选择的一种。)表示的三硅氧基单元(TA)且具有羟基,(B)室温下为液体状的聚倍半硅氧烷,其具有以R2SiO3/2(式中,R2表示从碳原子数1~15的烷基、苯基和苄基组成的组中选择的一种。)表示的三硅氧基单元(TB)且具有-OR2(式中,R2表示从碳原子数1~15的烷基、苯基和苄基组成的组中选择的一种。),以及(C)缩合反应催化剂。
-
公开(公告)号:CN106252246B
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:CN201610763464.7
申请日:2016-08-30
Applicant: 长电科技(滁州)有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/85801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种锡球包裹的焊丝键合工艺及芯片封装方法,属于芯片封测制造领域。通过如下步骤:a、植锡球:使用球焊机将锡丝进行加热,在芯片每个需要焊线的压区,预植一个锡球;b、叠球:使用球焊机将焊丝进行加热,在锡球上堆叠键合球;c、拱丝打点:堆叠键合球后,向上拱丝拉弧到框架管脚,形成线弧,同时线弧不接触芯片,框架管脚形成月牙形焊点;d、回流焊:将步骤c芯片放入回流焊机,进行回流焊,完成焊丝键合工艺。它可以实现避免芯片压区受损的效果,焊丝键合工艺成本低。
-
公开(公告)号:CN105789157B
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:CN201510883694.2
申请日:2015-12-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor: R·拜雷尔
IPC: H01L23/48 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49833 , H01L23/49844 , H01L23/4985 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/32225 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40095 , H01L2224/40139 , H01L2224/40227 , H01L2224/4103 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/48227 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/84205 , H01L2224/84214 , H01L2224/84801 , H01L2224/8484 , H01L2224/85801 , H01L2224/92246 , H01L2224/92247 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/1426 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本申请涉及具有低栅极驱动电感柔性板连接的功率半导体模块。一种功率半导体模块包括金属化层和附接至金属化层的功率半导体裸片。裸片具有在裸片的远离金属化层的一侧处设置的第一端子和第二端子。功率半导体模块还包括附接至第一端子的第一互连件、附接至第二端子的第二互连件以及包括第一金属层、第二金属化层和绝缘体的柔性板,该绝缘体位于第一金属层和第二金属层之间使得第一金属层和第二金属层相互电绝缘。第一金属层附接至第一互连件,第二金属层附接至第二互连件,使得柔性板通过第一互连件和第二互连件与功率半导体裸片隔开。
-
公开(公告)号:CN108417499A
公开(公告)日:2018-08-17
申请号:CN201611134822.4
申请日:2016-12-11
Applicant: 优博创新科技有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49568 , H01L21/50 , H01L23/04 , H01L23/3675 , H01L23/3731 , H01L23/4334 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2224/04042 , H01L2224/06181 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/16195 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/315 , H01L23/3672
Abstract: 本申请提供了一种空腔封装结构及其制造方法。根据本申请的一个实施例,所述制造方法包括将一个金属散热片通过一个中间结构连接在一个引线框架上,所述中间结构导热且电绝缘;模塑一个塑料体以包围散热片及引线框架裸露的引线,且有选择地和部分地暴露金属引线上表面、散热片上表面、以及散热片下表面;通过一种导热材料将一个半导体芯片与空腔内散热片暴露的上表面相连;将半导体芯片的焊盘和与之对应的引线上表面进行引线接合从而使其接地;以及在塑料体上安装一个盖子,以保护空腔内引线接合后的半导体芯片。
-
公开(公告)号:CN104347570B
公开(公告)日:2018-07-20
申请号:CN201310317710.2
申请日:2013-07-26
Applicant: 恩智浦美国有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/4842 , H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L2224/32245 , H01L2224/48245 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明公开了一种无引线型半导体封装及其组装方法,无引线型半导体封装具有用于形成模体的模盖。模体的角部以模柱来增强使得角部具有圆形突起而非形成90°角。模柱防止角部焊盘剥落。
-
公开(公告)号:CN105097752B
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201410790717.0
申请日:2014-12-18
Applicant: 联发科技股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/49 , H01L23/50
CPC classification number: H01L25/0655 , H01L23/49575 , H01L23/50 , H01L23/5221 , H01L23/528 , H01L23/5381 , H01L23/5386 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/0612 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48138 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48479 , H01L2224/4903 , H01L2224/4909 , H01L2224/4911 , H01L2224/4912 , H01L2224/4917 , H01L2224/49171 , H01L2224/4945 , H01L2224/73265 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2924/00015 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明提供一种半导体封装结构,包含基底;第一裸芯片,安装在基底,包含布置于第一排的具有第一焊盘面积的多个第一焊盘;以及布置于第二排的具有第二焊盘面积的多个第二焊盘;以及第二裸芯片,安装于基底,包含具有第一焊盘面积的多个第三焊盘,以及具有第二焊盘面积的多个第四焊盘,交替布置于第三排;第一接合导线,具有两个端,分别耦合到第一焊盘的一个和第四焊盘的一个;以及第二接合导线,具有两个端,分别耦合到第三焊盘的一个和第二焊盘的一个。通过上述技术方案,可以减少焊盘间距和焊盘占据面积从而有效地减少芯片大小。
-
-
-
-
-
-
-
-
-