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    半导体背面用薄膜
    4.
    发明公开
    半导体背面用薄膜 无效

    公开(公告)号：CN107078102A

    公开(公告)日：2017-08-18

    申请号：CN201680001818.2

    申请日：2016-06-17

    Applicant: 古河电气工业株式会社

    Inventor： 杉山二朗 ,  青山真沙美

    IPC: H01L23/00 ,  B32B27/00 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/683

    Abstract: 本发明提供一种能够防止半导体晶片或半导体芯片的翘曲、并且能够防止碎片或回焊破裂的发生的半导体背面用薄膜。本发明的半导体保护用薄膜的特征在于，具有用于贴合在半导体芯片的背面的金属层、和用于将所述金属层粘接于所述半导体芯片的背面的粘接剂层，所述粘接剂层的粘接于所述半导体芯片的一侧的面及与所述金属剂层粘接侧的面的表面自由能均为35mJ/m2以上，B阶段的所述粘接剂层与所述金属层的剥离力为0.3N/25mm以上。

    晶片加工用带
    5.
    发明公开
    晶片加工用带 有权

    公开(公告)号：CN105694748A

    公开(公告)日：2016-06-22

    申请号：CN201510870713.8

    申请日：2015-12-02

    Applicant: 古河电气工业株式会社

    Inventor： 青山真沙美 ,  大田乡史 ,  木村和宽 ,  佐久间登 ,  杉山二朗

    IPC: C09J7/02 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78

    CPC classification number: C09J7/20 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/006 ,  C09J2461/006 ,  C09J2463/006 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78

    Abstract: 本发明提供一种晶片加工用带，所述晶片加工用带能够降低标签痕迹的产生，且能够降低粘接剂层与粘合膜之间的空气(air)的卷入。其特征在于，具有：长的脱模膜(11)；粘接剂层(12)，其设置在脱模膜(11)的第1面上、且具有规定的平面形状；粘合膜(13)，其具有标签部(13a)和包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b)，标签部(13a)以覆盖粘接剂层(12)、且在粘接剂层(12)的周围与上述脱模膜(11)接触的方式设置，并且具有规定的平面形状；以及支承构件(14)，其设置在脱模膜(11)的与第1面相反的第2面上、且为脱模膜(12)的短边方向的两端部，并且以达到所述脱模膜(11)的短边方向中的与粘接剂层(12)的端部对应的区域的方式设置。

    粘合带及晶片加工用胶带
    6.
    发明授权
    粘合带及晶片加工用胶带 有权

    公开(公告)号：CN105143380B

    公开(公告)日：2019-05-17

    申请号：CN201480016641.4

    申请日：2014-03-27

    Applicant: 古河电气工业株式会社

    Inventor： 佐野透 ,  杉山二朗 ,  矢吹朗

    IPC: C09J7/38 ,  C09J4/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

    Abstract: 本发明的目的在于，提供一种晶片加工用胶带，其具有适于利用扩张来截断胶粘剂层的工序的均匀扩张性和拾取性，并且刀片划片工序中的切削性和拾取性也优异。本发明使用如下的粘合带，其特征在于，在基材膜的一方的面上层叠粘合剂层，在比较从所述粘合剂层的所述基材膜侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱、和从所述粘合剂层的与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的基于红外吸收光谱分析的4000～650cm－1的红外光谱时，匹配度为95％以下，从与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1μm的区域的粘合剂层含有在分子中具有放射线固化性碳－碳双键的化合物(A)、和选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺‑甲醛树脂及环氧树脂中的至少1种的化合物(B)。

    晶片加工用带
    7.
    发明授权
    晶片加工用带 有权

    公开(公告)号：CN105694745B

    公开(公告)日：2018-10-09

    申请号：CN201510870409.3

    申请日：2015-12-02

    Applicant: 古河电气工业株式会社

    Inventor： 杉山二朗 ,  青山真沙美 ,  佐久间登 ,  大田乡史 ,  木村和宽

    IPC: C09J7/20 ,  H01L21/683

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种晶片加工用带，其可以减少标签痕迹的产生，且可以不论胶粘剂层的厚度如何地选择支承构件，同时可以减少在胶粘剂层与粘合膜之间卷入空气。其特征在于，具有：长的脱模膜(11)；胶粘剂层(12)，设置在脱模膜(11)的第1面上、且具有规定的平面形状；粘合膜(13)，具有标签部(13a)和包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b)，标签部(13a)以覆盖胶粘剂层(12)、且在胶粘剂层(12)的周围与脱模膜(11)接触的方式设置，并且具有规定的平面形状；以及支承构件(14)，设置在脱模膜(11)的与第1面相反的第2面上，并且在包含与胶粘剂层(12)对应的部分、且不包含与标签部(13a)的在所述脱模膜(11)的短边方向上的端部对应的部分的区域内，沿脱模膜(11)的长边方向设置。

    导电性粘接剂组合物及使用其的导电性粘接膜和切割芯片接合膜
    8.
    发明公开
    导电性粘接剂组合物及使用其的导电性粘接膜和切割芯片接合膜 有权

    公开(公告)号：CN108473845A

    公开(公告)日：2018-08-31

    申请号：CN201680077009.X

    申请日：2016-12-16

    Applicant: 古河电气工业株式会社

    Inventor： 佐藤俊一郎 ,  三原尚明 ,  杉山二朗

    IPC: C09J201/00 ,  C09J7/24 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J157/12 ,  H01B1/22 ,  H01L21/301 ,  H01L21/60

    Abstract: 本发明提供导电性粘接剂组合物及使用其的导电性粘接膜和切割芯片接合膜，该导电性粘接剂组合物例如适合作为将半导体芯片(尤其是功率器件)接合于引线框的元件承载部上或者绝缘基板的电路电极部上时的导电接合材料，并能将在实现无铅化的同时在接合以及烧结后的耐热性与安装可靠性两方面特别优良的接合层形成于半导体芯片与引线框的元件承载部上或者绝缘基板的电路电极部之间。本发明的导电性粘接剂组合物包含金属粒子(Q)以及规定的有机磷化合物(A)，金属粒子(Q)包含第一金属粒子(Q1)，第一金属粒子(Q1)由从铜、镍、铝以及锡所组成的组中选择的1种金属构成或者由含有从该组中选择的2种以上金属的合金构成。

    导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜
    9.
    发明公开
    导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜 有权

    公开(公告)号：CN108431159A

    公开(公告)日：2018-08-21

    申请号：CN201680076981.5

    申请日：2016-12-16

    Applicant: 古河电气工业株式会社

    Inventor： 三原尚明 ,  切替德之 ,  杉山二朗

    IPC: C09J7/10 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J157/12 ,  C09J161/10 ,  C09J201/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01L21/301 ,  H01L21/60

    Abstract: 本发明提供导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜，该导电性粘接膜例如适合用作将半导体芯片(尤其是功率器件)接合于引线框的元件承载部上或者绝缘基板的回路电极部上时的导电接合材料，并能将在实现无铅化的同时具有特别优良的导电性、且在接合以及烧结后的耐热性与安装可靠性两方面优良的接合层形成于半导体芯片与引线框的元件承载部上或者绝缘基板的回路电极部之间。本发明的导电性粘接膜包含金属粒子(Q)、树脂(M)以及规定的有机磷化合物(A)，所述树脂(M)包含热固性树脂(M1)，所述金属粒子(Q)的平均粒径(d50)为20μm以下，且所述金属粒子(Q)包含10质量％以上的第一金属粒子(Q1)，所述第一金属粒子(Q1)在一次粒子的状态下利用投影图观察时的分形维数为1.1以上。

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