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公开(公告)号：CN107017873B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201611187515.2
申请日：2016-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175 , G11C11/419
Abstract: 根据本发明的一些实施例，提供了一种电路结构。电路结构包括第一晶体管、第二晶体管、存储节点和字线。两个晶体管中的每一个均包括栅极、源极和漏极。存储节点连接至第一晶体管的栅极。字线连接至第二晶体管的栅极。第一晶体管和所述第二晶体管串联连接。第一和第二阈值电压分别与第一和第二晶体管相关联，并且第一阈值电压低于第二阈值电压。
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公开(公告)号：CN106997775A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201611173936.X
申请日：2016-12-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/412 , G11C11/417
CPC classification number: G11C11/419 , G11C11/412 , G11C11/413 , H01L27/11 , G11C11/417
Abstract: 本发明的实施例公开了一种包括第一存储单元、第二存储单元、第一导线和第二导线的器件及其操作方法。第一导线与第二导线电断开。第一导线接收用于多个第一存储器单元的第一电源电压。第二导线接收用于多个第二存储器单元的第二电源电压，第二电源电压独立于第一电源电压。
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公开(公告)号：CN104575587A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310698578.4
申请日：2013-12-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C5/02 , G11C5/025 , G11C7/22 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C11/418
Abstract: 本发明提供了存储器布置以及激活存储器布置中的存储单元以为读操作和写操作中的至少一个做准备的技术和系统。存储器布置包括至少包含第一输入端和第二输入端的字线驱动器。第一输入端可操作地连接至第一解码器，而第二输入端可操作地连接至第二解码器。当字线驱动器在第一输入端感测第一电压并且在第二输入终端感测第二电压时，字线驱动器输出激活存储单元的门电压信号。
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公开(公告)号：CN118380028A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410349922.7
申请日：2024-03-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种存储器单元，包括第一和第二传输通过门、读取字线和写入字线。第一传输通过门包括第一通过门晶体管和第二通过门晶体管。第二传输通过门包括第三通过门晶体管和第四通过门晶体管。读取字线在衬底的前侧上方的第一金属层上。写入字线在与衬底的前侧相对的衬底的背侧下方的第二金属层上。在写入操作期间，第一通过门晶体管和第三通过门晶体管响应于写入字线信号而接通。在接通第一通过门晶体管和第三通过门晶体管之后，在写入操作期间，响应于读取字线信号而接通第二通过门晶体管和第四通过门晶体管。本申请的实施例还公开了制造存储器单元的方法。
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公开(公告)号：CN104575587B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201310698578.4
申请日：2013-12-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C5/02 , G11C5/025 , G11C7/22 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C11/418
Abstract: 本发明提供了存储器布置以及激活存储器布置中的存储单元以为读操作和写操作中的至少一个做准备的技术和系统。存储器布置包括至少包含第一输入端和第二输入端的字线驱动器。第一输入端可操作地连接至第一解码器，而第二输入端可操作地连接至第二解码器。当字线驱动器在第一输入端感测第一电压并且在第二输入终端感测第二电压时，字线驱动器输出激活存储单元的门电压信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039068A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611187332.0
申请日：2016-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/417 , G11C11/419
Abstract: 本发明的实施例提供了存储电路及其写入方法。一种存储电路，包括：第一存储单元列，沿第一方向布置；第一电源电压线，在所述存储电路的第一导电层中沿所述第一方向延伸；第二电源电压线；第一电阻器件，将所述第一电源电压线和所述第二电源电压线电连接。所述第一存储单元列的存储单元的每一个均包括电源电压线段。所述第一电源电压线至少由所述第一存储单元列的所述电源电压线段组成。电压源，通过一条或多条导电路径与第一电源电压线电连接，并且所述第二电源电压线和所述第一电阻器件在所述一条或多条导电路径的最小电阻路径中。
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公开(公告)号：CN113257295B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110178972.X
申请日：2021-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供用于存储器电路的系统和方法，该存储器电路包括响应于位线信号线和位线条信号线且被配置为存储数据位的位单元。预充电电路被配置为在读取操作之前对位线和位线条信号线之一进行充电，其中预充电电路包括第一预充电组件和第二预充电组件，第一和第二预充电组件可单独控制以对位线和位线条信号线充电。本发明的实施例还涉及存储器电路及控制多级预充电电路的方法。
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公开(公告)号：CN106997775B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201611173936.X
申请日：2016-12-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/412 , G11C11/417
Abstract: 本发明的实施例公开了一种包括第一存储单元、第二存储单元、第一导线和第二导线的器件及其操作方法。第一导线与第二导线电断开。第一导线接收用于多个第一存储器单元的第一电源电压。第二导线接收用于多个第二存储器单元的第二电源电压，第二电源电压独立于第一电源电压。
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公开(公告)号：CN106024051B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510731978.X
申请日：2015-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C8/08
Abstract: 本发明公开了一种包括存储器单元、字线、选择单元和自升压驱动器的电子器件。将存储器单元配置为存储数据。字线连接至存储器单元。选择单元设置在字线的第一端处，并且被配置为传输选择信号，以根据读命令和写命令中的一个来激活字线。自升压驱动器设置在字线的第二端处，并且被配置为根据字线的电压电平和控制信号来对字线的电压电平进行上拉。本发明还提供了一种驱动该电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN119028396A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411051979.5
申请日：2024-08-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/408 , G11C11/4094 , G11C11/418 , G11C11/419
Abstract: 一种存储器电路包括阵列和多个电压控制电路，阵列包括跨过多个列布置的多个存储器单元，多个电压控制电路中的每个可操作地耦接到多个列中的对应列的存储器单元。多个电压控制电路中的每个包括第一部分和第二部分，第一部分被配置为在电源电压耦接到对应列的存储器单元时提供第一电压降，第二部分被配置为在电源电压耦接到对应列的存储器单元时提供第二电压降。第一电压降基本上小于第二电压降。本申请的实施例还提供了操作存储器电路的方法。
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