公开(公告)号：CN118712135A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410739900.1

申请日：2024-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林民和 ,  庄曜滕 ,  侯承浩 ,  林宗达 ,  李达元 ,  徐志安

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括形成CFET结构，CFET结构具有底部栅极区和顶部栅极区，底部栅极区具有围绕第一多个沟道缠绕的第一多个栅极介电层，顶部栅极区具有包绕第二多个沟道的第二多多个栅极介电层。该方法包括执行第一偶极环工艺以将第一偶极掺杂剂驱入到第一多个栅极介电层中，以及执行第二偶极环工艺来将第二偶极掺杂剂驱入第二多个栅极介电层中。并且在执行第一和第二偶极环工艺之后，该方法包括在第一和第二多个栅极介电层上沉积栅极金属。本申请的实施例还公开了一种半导体器件。

公开(公告)号：CN114695262A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202110889860.5

申请日：2021-08-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱彦睿 ,  庄曜滕 ,  林揆伦

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种晶体管栅极的形成方法包含形成第一及第二鳍片，各个鳍片包含交替堆叠的第一及第二半导体层；在第一及第二鳍片上方形成虚设栅极结构，及在虚设栅极结构的任一侧上形成栅极间隔物；移除虚设栅极结构以形成第一及第二栅极沟渠；移除第一半导体层使得第二半导体层悬置在第一及第二栅极沟渠中；在第二半导体层周围沉积第一介电层，及在第一介电层周围沉积第二介电层；执行ALD制程以在第二介电层周围形成硬遮罩层，ALD制程包含在长于约1秒的第一脉冲时间内脉冲第一前驱物；图案化硬遮罩层；及在第二栅极沟渠中蚀刻第二栅极介电层的一部分。

公开(公告)号：CN118213327A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410203689.1

申请日：2024-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄曜滕 ,  赖德洋 ,  林揆伦 ,  林宗达 ,  徐志安

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本文公开了用于堆叠器件结构的偶极工程技术。根据本公开实施例的各个方面，示例性偶极工程技术包括：(1)至少形成具有不同图案并且覆盖一些晶体管(但不是其它晶体管)的栅极介电层的两个图案化偶极掺杂剂源层；(2)实施热驱入工艺(例如，偶极驱入退火)；以及(3)在去除偶极掺杂剂源层之后，形成用于晶体管的栅电极，其中相同的栅电极材料用于晶体管。图案化偶极掺杂剂源层的厚度和/或材料特性(例如，偶极掺杂剂)和/或热驱入工艺的参数可以配置为实现期望的阈值电压。这样的技术可以提供2N个阈值电压(Vt)，其中N是形成在晶体管的栅极介电层上以调整其阈值电压的图案化偶极掺杂剂源层的数量。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN116666306A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310388319.5

申请日：2023-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄曜滕 ,  林揆伦 ,  赖德洋 ,  李达元 ,  张文 ,  徐志安

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了半导体器件和制造具有不同阈值电压的半导体器件的方法。在实施例中，通过偶极子材料的沉积、扩散和去除来调谐各个半导体器件的阈值电压，以便在不同的晶体管内提供不同的偶极子区域。这些不同的偶极子区域使得不同的晶体管具有不同的阈值电压。

公开(公告)号：CN116544234A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310292622.5

申请日：2023-03-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄曜滕 ,  林揆伦 ,  赖德洋 ,  李达元 ,  张文 ,  徐志安

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请公开了具有掺杂栅极电介质层的半导体器件及其形成方法。在实施例中，提供了包括第一掺杂栅极电介质层和第二掺杂栅极电介质层的半导体器件，其中第一掺杂栅极电介质层和第二掺杂栅极电介质层包括掺杂有偶极掺杂剂的高k材料。第一掺杂栅极电介质层中的偶极掺杂剂的浓度大于第二掺杂栅极电介质层的偶极掺杂剂的第二浓度，第一掺杂栅极电介质层中的偶极掺杂剂的浓度峰值比第二掺杂栅极电介质层中的偶极掺杂剂的浓度峰值深。第一栅极电极在第一掺杂栅极电介质层之上，与第一栅极电极相同宽度的第二栅极电极在第二掺杂栅极电介质层之上。

公开(公告)号：CN114883264A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210286773.5

申请日：2022-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖善美 ,  詹咏翔 ,  庄曜滕 ,  陈建豪 ,  游国丰

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提供一种半导体装置的制造方法，包括接收在第一区域具半导体层的第一堆叠且在第二区域具半导体层的第二堆叠的工作件；形成围绕第一堆叠的每一层的第一栅极介电层以及围绕第二堆叠的每一层的第二栅极介电层；形成第一偶极层及第二偶极层，第一偶极层围绕第一栅极介电层并在第一栅极介电层的垂直相邻的部分间融合，而第二偶极层围绕第二栅极介电层并在第二栅极介电层的垂直相邻的部分间融合；移除第一偶极层；在移除第一偶极层后，对工作件执行第一退火；移除第二偶极层的剩余部分；以及在第一区域及第二区域中形成栅极电极层。

公开(公告)号：CN220753436U

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202321400009.2

申请日：2023-06-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈健源 ,  游国丰 ,  陈建豪 ,  许智育 ,  庄曜滕 ,  廖善美

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提供一种半导体装置。所述半导体装置包括第一P型晶体管，形成在基板上且包括第一有源区、第一栅极介电层在第一有源区上、以及第一导电层设置在第一栅极介电层上。第二P型晶体管，形成在基板上且包括第二有源区、第二栅极介电层在第二有源区上、以及第二导电层设置在第二栅极介电层上。第三P型晶体管，形成在基板上且包括第三有源区、第三栅极介电层在第三有源区上、以及第三导电层设置在第三栅极介电层上，其中第一栅极介电层的成分与第二栅极介电层的成分不同，且第二栅极介电层的成分与第三栅极介电层的成分不同，以及其中第一栅极介电层的厚度等于第二栅极介电层的厚度以及第三栅极介电层的厚度。