公开(公告)号：CN113284950B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202110046200.0

申请日：2021-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄文宏 ,  游国丰 ,  陈建豪 ,  廖善美 ,  王哲夫 ,  詹咏翔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括：形成分别位于第一半导体区、第二半导体区、和第三半导体区上方的第一栅极电介质、第二栅极电介质、和第三栅极电介质。该方法还包括：沉积覆盖第一栅极电介质的第一含镧层；以及沉积覆盖第二栅极电介质的第二含镧层。第二含镧层薄于第一含镧层。然后实施退火工艺以将第一含镧层和第二含镧层中的镧分别驱动至第一栅极电介质和第二栅极电介质中。在退火工艺期间，第三栅极电介质上不具有含镧层，根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件。

公开(公告)号：CN115084023A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210524276.4

申请日：2022-05-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 包家豪 ,  杨智铨 ,  林士豪 ,  林建隆 ,  李致葳 ,  陈健源 ,  洪若珺 ,  詹咏翔 ,  林祐宽 ,  洪连嵘

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括提供基板、虚设鳍片、多个半导体通道层的堆叠；形成包绕堆叠的每个半导体通道层的界面层；沉积高介电常数介电层，其中高介电常数介电层的第一部分沉积在界面层上方且其和高介电常数介电层的第二部分间隔第一距离；在虚设鳍片上方和半导体通道层的堆叠上方，沉积第一介电层，其中第一介电层的合并临界尺寸大于第一距离，造成第一介电层沉积在虚设鳍片和半导体通道层的堆叠的最顶层之间的横向空间，以提供气隙，其垂直方向上位于半导体通道层的堆叠的相邻的多个层之间、且水平方向上位于虚设鳍片和半导体通道层的堆叠之间。

公开(公告)号：CN114975262A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210286222.9

申请日：2022-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 詹咏翔 ,  黄文宏 ,  廖善美 ,  林揆伦 ,  陈建豪 ,  游国丰

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体装置，包括多个半导体层的堆叠，垂直配置于半导体基底结构上；栅极介电层，具有多个部分各自围绕半导体层的一者；以及栅极，围绕栅极介电层。栅极介电层的每一部分具有顶部位于个别的半导体层上，以及底部位于半导体层下。顶部具有沿着垂直于半导体基底结构的上表面的垂直方向的顶部厚度，且底部具有沿着垂直方向的底部厚度。顶部厚度大于底部厚度。

公开(公告)号：CN114883264A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210286773.5

申请日：2022-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖善美 ,  詹咏翔 ,  庄曜滕 ,  陈建豪 ,  游国丰

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提供一种半导体装置的制造方法，包括接收在第一区域具半导体层的第一堆叠且在第二区域具半导体层的第二堆叠的工作件；形成围绕第一堆叠的每一层的第一栅极介电层以及围绕第二堆叠的每一层的第二栅极介电层；形成第一偶极层及第二偶极层，第一偶极层围绕第一栅极介电层并在第一栅极介电层的垂直相邻的部分间融合，而第二偶极层围绕第二栅极介电层并在第二栅极介电层的垂直相邻的部分间融合；移除第一偶极层；在移除第一偶极层后，对工作件执行第一退火；移除第二偶极层的剩余部分；以及在第一区域及第二区域中形成栅极电极层。

公开(公告)号：CN114664738A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210132246.9

申请日：2022-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 詹咏翔 ,  廖善美 ,  黄文宏 ,  陈建豪 ,  游国丰 ,  王美匀

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及提供多个阈值电压的器件及其制造方法。一种方法包括：在半导体工件上形成电介质层、在电介质层上形成第一偶极材料的第一图案化层、并且在第一温度下执行第一热驱入操作，以在电介质层的位于第一图案化层下面的第一部分中形成扩散特征。该方法还包括：形成第二偶极材料的第二图案化层，其中，第二图案化层的第一区段在扩散特征上并且第二图案化层的第二区段与扩散特征相偏离。该方法还包括：在第二温度下执行第二热驱入操作，其中，第二温度低于第一温度。该方法另外包括：在电介质层上形成栅极电极层。

公开(公告)号：CN113284950A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110046200.0

申请日：2021-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄文宏 ,  游国丰 ,  陈建豪 ,  廖善美 ,  王哲夫 ,  詹咏翔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括：形成分别位于第一半导体区、第二半导体区、和第三半导体区上方的第一栅极电介质、第二栅极电介质、和第三栅极电介质。该方法还包括：沉积覆盖第一栅极电介质的第一含镧层；以及沉积覆盖第二栅极电介质的第二含镧层。第二含镧层薄于第一含镧层。然后实施退火工艺以将第一含镧层和第二含镧层中的镧分别驱动至第一栅极电介质和第二栅极电介质中。在退火工艺期间，第三栅极电介质上不具有含镧层，根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件。

公开(公告)号：CN107123670B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201710100429.1

申请日：2017-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政达 ,  王永裕 ,  詹咏翔 ,  蔡佳萦 ,  王廷君

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 描述一种鳍式场效应晶体管，其包括衬底、至少一个栅极结构、间隔件以及应变源极和漏极区。至少一个栅极结构设置在衬底上方以及隔离结构上。间隔件设置在至少一个栅极结构的侧壁上。第一阻挡材料层设置在间隔件上。应变源极和漏极区设置在至少一个栅极结构的两个相对侧上。第二阻挡材料层设置在应变源极和漏极区上。第一阻挡材料层和第二阻挡材料层包括富氧氧化物材料。本发明实施例还提供一种用于形成鳍式场效应晶体管的方法。

公开(公告)号：CN107123670A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710100429.1

申请日：2017-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政达 ,  王永裕 ,  詹咏翔 ,  蔡佳萦 ,  王廷君

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42364

Abstract: 描述一种鳍式场效应晶体管，其包括衬底、至少一个栅极结构、间隔件以及应变源极和漏极区。至少一个栅极结构设置在衬底上方以及隔离结构上。间隔件设置在至少一个栅极结构的侧壁上。第一阻挡材料层设置在间隔件上。应变源极和漏极区设置在至少一个栅极结构的两个相对侧上。第二阻挡材料层设置在应变源极和漏极区上。第一阻挡材料层和第二阻挡材料层包括富氧氧化物材料。本发明实施例还提供一种用于形成鳍式场效应晶体管的方法。

公开(公告)号：CN220172136U

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202321276935.3

申请日：2023-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 詹咏翔 ,  戴安闳 ,  陈蕙祺 ,  阙瑞甫 ,  林彦达 ,  黄铭淇 ,  杜政杰 ,  陈建豪 ,  游国丰

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。半导体装置包括通道区、第一栅极介电层以及栅极电极层。第一栅极介电层设置于通道区上方；栅极电极层设置于第一栅极介电层上方，其中第一栅极介电层包括第一部分及第二部分，而且第二部分包括稀土元素并且第一部分不包括所述稀土元素。