公开(公告)号：CN113257326A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202010436105.7

申请日：2020-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张盟升 ,  黄家恩 ,  周绍禹 ,  王奕

IPC: G11C17/16 ,  G11C5/02

Abstract: 一种存储器器件包含第一存储单元，第一存储单元具有：第一多晶硅线，与第一读取字线相关联且与第一有源区和第二有源区相交；以及第二多晶硅线和第一连续有源区边缘上多晶硅线，与第一编程字线相关联，第二多晶硅线与第二有源区相交且第一连续有源区边缘上多晶硅线与第一有源区相交。存储器器件还包含与第一存储单元相邻的第二存储单元，第二存储单元具有：第三多晶硅线，与第二读取字线相关联且与第一有源区和第二有源区相交；以及第四多晶硅线和第二连续有源区边缘上多晶硅线，与第二编程字线相关联，第四多晶硅线与第一有源区相交且第二连续有源区边缘上多晶硅线与第二有源区相交，以形成连续有源区边缘上多晶硅线的交叉布置。

公开(公告)号：CN112530950A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010241364.4

申请日：2020-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张盟升 ,  黄家恩 ,  杨耀仁 ,  王奕

IPC: H01L27/112

Abstract: 本发明实施例涉及具有更小面积的非易失性存储器装置。本发明一些实施例揭露一种存储器装置，其包含：衬底；半导体鳍片，其在所述衬底上方且在第一方向上延伸；及第一栅极电极及第二栅极电极，其在所述衬底上方且在第二方向上延伸。所述半导体鳍片延伸通过所述第二栅极电极且在所述第一栅极电极上终止。所述存储器装置进一步包含在所述第一栅极电极上方且电耦合到所述第一栅极电极的第一导电通路。

公开(公告)号：CN112216314A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010342168.6

申请日：2020-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张盟升 ,  杨耀仁 ,  周绍禹 ,  王奕

IPC: G11C5/02 ,  G11C17/16 ,  G06F30/392

Abstract: 本发明实施例涉及存储器阵列的布局结构。本发明实施例涉及一种布局方法，其包含：形成具有第一行及第二行的存储器阵列的布局结构，其中所述第一行及所述第二行中的每一者包括多个存储单元；在所述第一行与所述第二行之间安置字线；跨所述字线安置多个控制电极用于分别连接所述第一行的所述多个存储单元及所述第二行的所述多个存储单元；在位于所述字线的第一侧上的所述多个控制电极中的第一控制电极上安置第一切割层；及在位于所述字线的第二侧上的所述多个控制电极中的第二控制电极上安置第二切割层；其中所述字线的所述第一侧与所述字线的所述第二侧相对。