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公开(公告)号：CN113725354A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110451919.2
申请日：2021-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 杨宗学
Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法，其中利用间隔件以帮助保护底部电极通孔。在实施例中，穿过介电层形成开口，并且沿介电层的侧壁形成间隔件。形成与间隔件、底部电极相邻的底部电极通孔，在底部电极上方形成磁性隧道结(MTJ)结构，并且在MTJ结构上方形成顶部电极。图案化结构，并且在图案化工艺期间，间隔件有助于保护底部电极通孔免受不期望的损坏。
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公开(公告)号：CN113725354B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202110451919.2
申请日：2021-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 杨宗学
Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法，其中利用间隔件以帮助保护底部电极通孔。在实施例中，穿过介电层形成开口，并且沿介电层的侧壁形成间隔件。形成与间隔件、底部电极相邻的底部电极通孔，在底部电极上方形成磁性隧道结(MTJ)结构，并且在MTJ结构上方形成顶部电极。图案化结构，并且在图案化工艺期间，间隔件有助于保护底部电极通孔免受不期望的损坏。
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公开(公告)号：CN117542806A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311339417.6
申请日：2023-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 杨宗学
IPC: H01L23/427 , H01L23/34 , H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本公开实施例针对包括位于半导体衬底上面的加热器结构的集成芯片。相变元件(PCE)设置在加热器结构上方。热阻挡结构设置在加热器结构和PCE之间。PCE的外侧壁在热阻挡结构的外侧壁之间横向间隔开。本申请的实施例还涉及形成集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN105932012B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201510565703.3
申请日：2015-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/02
Abstract: 一种电容器结构包括深沟槽、接触插塞、间隔件和金属‑绝缘体‑金属膜。深沟槽延伸至冠状氧化物衬底内，并且接触插塞完全地设置在冠状氧化物衬底下方。间隔件内衬于深沟槽，并且金属‑绝缘体‑金属膜设置在深沟槽中。本发明的实施例还涉及电容器结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN112670405A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010269632.3
申请日：2020-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种在衬底上方包含磁阻随机存取存储(magnetoresistive random access memory，MRAM)单元的集成芯片。介电结构上覆于衬底。磁阻随机存取存储单元设置在介电结构内。磁阻随机存取存储单元包含包夹在底部电极与顶部电极之间的磁性隧道结(magnetic tunnel junction，MTJ)。导电线上覆于顶部电极。侧壁间隔物结构沿着磁性隧道结和顶部电极的侧壁不断延伸。侧壁间隔物结构包含第一侧壁间隔物层、第二侧壁间隔物层以及包夹在第一侧壁间隔物层与第二侧壁间隔物层之间的保护侧壁间隔物层。第一侧壁间隔物层和第二侧壁间隔物层包括第一材料，保护侧壁间隔物层包括与第一材料不同的第二材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106033759B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201510114776.0
申请日：2015-03-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/1157 , H01L29/423 , H01L29/792
CPC classification number: H01L29/42344 , H01L27/1157 , H01L29/792
Abstract: 本发明涉及自对准的分裂栅极存储单元以及相关的方法。自对准的分裂栅极存储单元具有长方体形的存储栅极以及选择栅极，其中，存储栅极以及选择栅极的上表面被一些间隔件覆盖。因此，存储栅极和选择栅极被保护以免受到硅化物的影响。通过所述间隔件限定自对准的存储栅极和选择栅极。通过回蚀刻未被间隔件覆盖的相应的导电材料而非凹进工艺形成存储栅极和选择栅极。因此，存储栅极和选择栅极具有平坦的上表面并且被良好地限定。由于减少了光刻工艺，所公开的器件和方法也能够进一步缩放。本发明涉及自对准的分裂栅极闪存。
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公开(公告)号：CN109427968A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711130778.4
申请日：2017-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本公开实施例提供存储单元，其硬掩模与侧壁间隔物的材料不同。存储单元包括底电极于基板上。切换介电物位于底电极上并具有可变电阻。顶电极位于切换介电物上。硬掩模位于顶电极上。侧壁间隔物沿着切换介电物、顶电极、与硬掩模的侧壁向上延伸。硬掩模与侧壁间隔物具有不同的蚀刻选择性。本公开实施例也提供上述存储单元的形成方法。
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公开(公告)号：CN109427961A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711204164.6
申请日：2017-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开关于存储单元上的顶电极盖结构的形成方法。在一些实施例中，形成顶电极盖结构于存储单元上的方法包括提供存储单元，其包括顶电极、底电极、与阻值存储器夹设于顶电极与底电极之间。对覆盖存储单元的层间介电层进行蚀刻，以形成通孔开口露出存储单元的顶电极。接着形成集气层以衬垫通孔开口，且集气层位于存储单元的顶电极上并邻接顶电极。形成阻氧层于集气层上，且阻氧层邻接集气层。
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公开(公告)号：CN112670405B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202010269632.3
申请日：2020-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种在衬底上方包含磁阻随机存取存储(magnetoresistive random access memory，MRAM)单元的集成芯片。介电结构上覆于衬底。磁阻随机存取存储单元设置在介电结构内。磁阻随机存取存储单元包含包夹在底部电极与顶部电极之间的磁性隧道结(magnetic tunnel junction，MTJ)。导电线上覆于顶部电极。侧壁间隔物结构沿着磁性隧道结和顶部电极的侧壁不断延伸。侧壁间隔物结构包含第一侧壁间隔物层、第二侧壁间隔物层以及包夹在第一侧壁间隔物层与第二侧壁间隔物层之间的保护侧壁间隔物层。第一侧壁间隔物层和第二侧壁间隔物层包括第一材料，保护侧壁间隔物层包括与第一材料不同的第二材料。
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公开(公告)号：CN119325332A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411327035.6
申请日：2024-09-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 杨宗学
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种具有PCM凹陷的相变材料(PCM)射频(RF)开关。PCM结构上覆于加热器，第一电极和第二电极分别位于PCM结构的相对侧并与其电耦合。PCM凹陷位于PCM结构的顶部，并在PCM结构的有源部分上覆于加热器。此外，PCM凹陷的宽度与有源部分相同或基本相同。有源部分被配置为在结晶相和非晶相之间变化，而PCM结构的其余部分(例如，无源部分)处于结晶相。由于PCM凹陷，PCM结构在有源部分的厚度小于在无源部分的厚度。本申请的实施例还提供了半导体器件及其形成方法。
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