公开(公告)号：CN110875179A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910808067.0

申请日：2019-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏宇 ,  周其雨 ,  李显铭 ,  杨怀德 ,  王俊杰 ,  白岳青 ,  杨淇任 ,  汤宗达 ,  王宜婷

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体器件和一种制造半导体结构的方法。方法包括在衬底中形成开口和在开口中沉积共形金属层。沉积包括执行一个或多个沉积循环。沉积包括将第一前体流入沉积室中和净化沉积室以去除至少一部分第一前体。方法还包括将第二前体流入沉积室中以形成共形金属层的子层和净化沉积室以去除至少一部分第二前体。方法还包括执行金属卤化物蚀刻(MHE)工艺，工艺包括将第三前体流入沉积室中。本发明实施例涉及金属层的形成和原位蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN112310200A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010711928.6

申请日：2020-07-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俊杰 ,  叶升韦 ,  白岳青 ,  杨淇任

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L27/088

Abstract: 提供一种栅极结构和一种形成栅极结构的方法。栅极结构包含栅极介电层、金属层以及簇层。金属层安置在栅极介电层上方。簇层包夹在金属层与栅极介电层之间，其中簇层至少包含非晶硅层、非晶碳层或非晶锗层。另外，提供一种包含栅极结构的半导体器件。

公开(公告)号：CN110875179B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201910808067.0

申请日：2019-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏宇 ,  周其雨 ,  李显铭 ,  杨怀德 ,  王俊杰 ,  白岳青 ,  杨淇任 ,  汤宗达 ,  王宜婷

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体器件和一种制造半导体结构的方法。方法包括在衬底中形成开口和在开口中沉积共形金属层。沉积包括执行一个或多个沉积循环。沉积包括将第一前体流入沉积室中和净化沉积室以去除至少一部分第一前体。方法还包括将第二前体流入沉积室中以形成共形金属层的子层和净化沉积室以去除至少一部分第二前体。方法还包括执行金属卤化物蚀刻(MHE)工艺，工艺包括将第三前体流入沉积室中。本发明实施例涉及金属层的形成和原位蚀刻工艺。