公开(公告)号：CN110875179A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910808067.0

申请日：2019-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏宇 ,  周其雨 ,  李显铭 ,  杨怀德 ,  王俊杰 ,  白岳青 ,  杨淇任 ,  汤宗达 ,  王宜婷

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体器件和一种制造半导体结构的方法。方法包括在衬底中形成开口和在开口中沉积共形金属层。沉积包括执行一个或多个沉积循环。沉积包括将第一前体流入沉积室中和净化沉积室以去除至少一部分第一前体。方法还包括将第二前体流入沉积室中以形成共形金属层的子层和净化沉积室以去除至少一部分第二前体。方法还包括执行金属卤化物蚀刻(MHE)工艺，工艺包括将第三前体流入沉积室中。本发明实施例涉及金属层的形成和原位蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN113540220A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110347242.8

申请日：2021-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李家庆 ,  蔡昕翰 ,  邱诗航 ,  汤宗达 ,  吴仲强 ,  锺鸿钦 ,  李显铭 ,  李达元 ,  陈建豪 ,  陈建豪 ,  游国丰 ,  陈嘉伟 ,  许智育

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包括移除虚置栅极与虚置栅极介电层以形成凹陷于相邻的多个栅极间隔物之间。沉积栅极介电层于凹陷中，并沉积阻挡层于栅极介电层上。沉积第一功函数层于阻挡层上。形成第一抗反应层于第一功函数层上，而第一抗反应层减少第一功函数层的氧化。沉积填充材料于第一抗反应层上。

公开(公告)号：CN110970303B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201910899779.8

申请日：2019-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汤宗达 ,  王宜婷 ,  陈仲达 ,  李显铭

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括在晶圆中形成栅极电极。形成栅极电极包括沉积功函数层，在沉积功函数层之后，对晶圆执行处理，其中，该处理是通过使用含硅气体浸泡晶圆来执行的；在处理之后，在功函数层上方形成金属帽盖层；以及在金属帽盖层上方沉积填充金属。

公开(公告)号：CN110875179B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201910808067.0

申请日：2019-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏宇 ,  周其雨 ,  李显铭 ,  杨怀德 ,  王俊杰 ,  白岳青 ,  杨淇任 ,  汤宗达 ,  王宜婷

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体器件和一种制造半导体结构的方法。方法包括在衬底中形成开口和在开口中沉积共形金属层。沉积包括执行一个或多个沉积循环。沉积包括将第一前体流入沉积室中和净化沉积室以去除至少一部分第一前体。方法还包括将第二前体流入沉积室中以形成共形金属层的子层和净化沉积室以去除至少一部分第二前体。方法还包括执行金属卤化物蚀刻(MHE)工艺，工艺包括将第三前体流入沉积室中。本发明实施例涉及金属层的形成和原位蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN110970303A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910899779.8

申请日：2019-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汤宗达 ,  王宜婷 ,  陈仲达 ,  李显铭

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括在晶圆中形成栅极电极。形成栅极电极包括沉积功函数层，在沉积功函数层之后，对晶圆执行处理，其中，该处理是通过使用含硅气体浸泡晶圆来执行的；在处理之后，在功函数层上方形成金属帽盖层；以及在金属帽盖层上方沉积填充金属。