公开(公告)号：CN119889387A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202410770289.9

申请日：2024-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周晏圻 ,  徐绍轩 ,  林姿均 ,  黄健羽 ,  李政宏 ,  廖宏仁

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4096

Abstract: 一种记忆体装置及其操作方法，记忆体装置具有记忆体单元，记忆体单元在具有第一电压位准的第一电源域中操作。记忆体字线连接至记忆体单元，且记忆体位元线连接至记忆体单元。字线解码器电路在第一电源域中操作，且字线驱动器电路用以自字线解码器电路接收行地址信号且输出字线致能信号至记忆体字线。IO电路连接至记忆体位元线，且IO电路在具有低于第一电压位准的第二电压位准的第二电源域中操作。追踪字线连接至追踪单元，且追踪字线用以在第一电源域中输出追踪单元致能信号。追踪位元线连接至追踪单元，且追踪位元线用以在第一电源域中输出触发信号至IO电路。

公开(公告)号：CN222319757U

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202420843191.7

申请日：2024-04-22

Applicant: 台积电(南京)有限公司 ,  台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林姿均 ,  黄健羽 ,  李政宏 ,  刘俊丞 ,  周晏圻 ,  徐绍轩

IPC: G11C11/4063 ,  H10B10/00

Abstract: 一种集成电路装置包含多个静态随机存取记忆体(SRAM)单元、一第一位元线、一电容器、一写入驱动器晶体管及一负电压产生器电路。该第一位元线与所述多个SRAM单元的一行耦接，其中该第一位元线实质上沿着一第一方向延伸。该电容器包含一第一电极及与该第一电极间隔开的一第二电极。在一俯视图中，该第一电极具有实质上沿着该第一方向延伸的至少一条第一金属线，且该至少一条第一金属线的一长度小于该第一位元线的一长度。该写入驱动器晶体管耦接于该第一位元线与该电容器的该第一电极之间。该负电压产生器电路耦接至该电容器的该第二电极。