公开(公告)号：CN119028933A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202411066248.8

申请日：2024-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林威宏 ,  谢棋君 ,  罗明华 ,  陈中志 ,  吴欣贤

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 封装件包括：第一封装组件；第二封装组件，通过第一多个焊料连接件接合至第一封装组件；以及第一多个间隔连接件，从第一封装组件延伸至第二封装组件。第一多个间隔连接件的间隔连接件的直径大于第一多个焊料连接件的焊料连接件的高度，并且第一多个间隔连接件包括与第一多个焊料连接件不同的材料。本申请的实施例还涉及形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN113130319B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202110048995.9

申请日：2021-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 殷立钊 ,  林鸿彬 ,  吴欣贤 ,  柯志明 ,  陈其贤 ,  罗明华

IPC: H01L21/324

Abstract: 在方法中，制备包括具有不同热膨胀系数的两种或更多种材料的结构，并且对该结构进行低温处理。在前述和以下实施例中的一个或多个中，该结构包括半导体晶圆，并且一个或多个层形成在该半导体晶圆上。本申请的实施例还涉及制造半导体器件和电子器件的方法。

公开(公告)号：CN118610106A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410512230.X

申请日：2024-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗明华 ,  林威宏 ,  陈中志 ,  吴欣贤 ,  陈其贤

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/50 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请涉及形成接合组件的方法及接合设备。接合组件可以通过以下方式形成：将具有基板侧接合结构的封装基板放置在透明板之上；使用辐射加热来加热封装基板，其中辐射热源提供辐射穿过透明板到封装基板的底表面；将具有晶粒侧接合结构的半导体晶粒附接到热压接合头的底部；使半导体晶粒与封装基板彼此间接接触，其中焊料部分的阵列位于其间；以及通过回焊及固化焊料部分，将半导体晶粒接合到封装基板。

公开(公告)号：CN113130319A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110048995.9

申请日：2021-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 殷立钊 ,  林鸿彬 ,  吴欣贤 ,  柯志明 ,  陈其贤 ,  罗明华

IPC: H01L21/324

Abstract: 在方法中，制备包括具有不同热膨胀系数的两种或更多种材料的结构，并且对该结构进行低温处理。在前述和以下实施例中的一个或多个中，该结构包括半导体晶圆，并且一个或多个层形成在该半导体晶圆上。本申请的实施例还涉及制造半导体器件和电子器件的方法。