-
公开(公告)号：CN109994351B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201810000743.7
申请日：2018-01-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/317 , H01L21/67 , H01L31/18 , H01L33/00
Abstract: 一种离子布植机及离子布植机腔室的制造方法。此离子布植机包含腔室。腔室包含至少一第一腔壁及第一类金刚石碳层。所述至少一第一腔壁定义出制程空间。第一类金刚石碳层配置于所述至少一第一腔壁上。第一类金刚石碳层包含经修饰的第一表面，经修饰的第一表面面向制程空间。
-
公开(公告)号：CN102738066B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201110317983.8
申请日：2011-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76801 , H01L21/02057 , H01L21/3065 , H01L21/76898
Abstract: 一种形成硅通孔(TSV)开口的方法包括穿过衬底形成TSV开口。利用第一化学产品去除在该TSV开口的侧壁上的衬底材料的重铸物。利用第二化学产品基本上去除第一化学产品的残留物来清洁TSV开口的侧壁。
-
公开(公告)号：CN102790149A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210107454.X
申请日：2012-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/2654 , H01L21/26546 , H01L21/26593 , H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 一种方法包括提供LED元件，该LED元件包括衬底和在该衬底上设置的氮化镓(GaN)层。对该GaN层进行处理。处理包括对该GaN层实施离子注入工艺。该离子注入工艺可以提供该GaN层的粗糙化的表面区域。在实施例中，该离子注入工艺在低于约25摄氏度的温度下进行实施。在另外的实施例中，该衬底在该离子注入工艺期间处于低于约零摄氏度的温度下。本发明还提供了一种发光二极管及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN101846451A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010133401.6
申请日：2010-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/324 , F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: 一种适于晶片的化学汽相淀积工艺的半导体炉。该炉包括热反应室，其具有顶部、底部、侧壁和用于可移动地保持批量垂直堆叠的晶片的内部腔。提供了加热系统，包括多个可旋转的加热器，其设置并运行以加热该室。在一个实施例中，侧壁加热器之间的间距是可调整的。加热系统控制该室内的温度变化，并改进均匀的晶片上的薄膜淀积厚度。
-
公开(公告)号：CN101807512A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910252738.6
申请日：2009-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , H01L21/265
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L22/12
Abstract: 一种设备包括配置用来执行离子注入工艺的处理室。在处理室内部提供冷却滚筒或静电盘被。冷却滚筒或静电盘被配置用来支撑半导体晶片。冷却滚筒或静电盘具有多个温度区。每个温度区包括位于冷却滚筒或静电盘内部或者与冷却滚筒或静电盘邻近的至少一个流体管道。提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体连接到对应的流体管道的一个上，并被配置以在离子注入工艺过程提供对应不同的冷却剂到多个温度区中一个对应的区域中。冷却剂源分别包括不同的冷却或冷冻单元。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102694082B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110349002.8
申请日：2011-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L33/505 , H01L25/167 , H01L33/486 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种，制造发光二极管器件的方法，具体公开了一种制造多个发光二极管(LED)的方法，该方法包括：提供多个LED管芯；将多个LED管芯接合到载体基板；形成经过图案化的掩模层，经过图案化的掩模层在载体基板上包括多个开口，其中，多个LED管芯中的每个都分别通过多个开口中的其中一个暴露出来；将多个开口中的每个中填充荧光粉，从而将多个LED管芯中的每个都覆盖有荧光粉；将荧光粉固化；将荧光粉和经过图案化的掩模层抛光，从而将覆盖多个LED管芯中的每个的荧光粉减薄；以及在抛光荧光粉之后，移除经过图案化的掩模层。
-
公开(公告)号：CN102694082A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201110349002.8
申请日：2011-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L33/505 , H01L25/167 , H01L33/486 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种，制造发光二极管器件的方法，具体公开了一种制造多个发光二极管(LED)的方法，该方法包括：提供多个LED管芯；将多个LED管芯接合到载体基板；形成经过图案化的掩模层，经过图案化的掩模层在载体基板上包括多个开口，其中，多个LED管芯中的每个都分别通过多个开口中的其中一个暴露出来；将多个开口中的每个中填充荧光粉，从而将多个LED管芯中的每个都覆盖有荧光粉；将荧光粉固化；将荧光粉和经过图案化的掩模层抛光，从而将覆盖多个LED管芯中的每个的荧光粉减薄；以及在抛光荧光粉之后，移除经过图案化的掩模层。
-
公开(公告)号：CN101781797B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910162396.9
申请日：2009-08-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C30B31/22 , H01L21/265 , H01L21/425
CPC classification number: C30B31/22
Abstract: 一种方法，包括：在工艺室之外将第一半导体晶片从15℃或以上的温度预冷却到5℃以下的温度。该预冷却的第一晶片在进行预冷却步骤之后被置于工艺室之内。在放置第一晶片之后在第一晶片上进行低温离子注入。
-
公开(公告)号：CN101839624A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200910173957.5
申请日：2009-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67109 , F27B17/0025
Abstract: 适用于晶片的化学气相淀积工艺的半导体炉。该炉包括一个热反应室，该室具有顶部、底部、侧壁和内部空腔，用以容纳一批垂直堆叠的晶片。具有一加热系统，包括多个配置的加热器，可以加热反应室。加热系统包括至少一个顶加热器、至少一个底加热器和多个沿反应室的高度间隔排布的侧壁加热器，以控制室内温度变化和提高晶片膜淀积厚度的一致性。
-
公开(公告)号：CN119028933A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411066248.8
申请日：2024-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/60
Abstract: 封装件包括：第一封装组件；第二封装组件，通过第一多个焊料连接件接合至第一封装组件；以及第一多个间隔连接件，从第一封装组件延伸至第二封装组件。第一多个间隔连接件的间隔连接件的直径大于第一多个焊料连接件的焊料连接件的高度，并且第一多个间隔连接件包括与第一多个焊料连接件不同的材料。本申请的实施例还涉及形成封装件的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.03 seconds)
