公开(公告)号：CN103855156A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310064398.0

申请日：2013-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗哲 ,  张伊锋 ,  李介文

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及一种实施例集成电路(如，二极管)及其制造方法。实施例集成电路包括形成在具有第一掺杂类型的衬底的上方的具有第一掺杂类型的阱，该阱包括鳍、形成在鳍的第一侧的阱的上方的源极、形成在鳍的第二侧的阱的上方的漏极、以及形成在鳍的上方的栅氧化物，其中，源极具有第二掺杂类型、漏极具有第一掺杂类型、以及鳍的回退区将栅氧化物和源极横向分隔开。集成电路与FinFET制造工艺相兼容。

公开(公告)号：CN103811484B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310042256.4

申请日：2013-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗哲 ,  张伊锋 ,  李介文

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66363 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7436

Abstract: 一种包括半导体鳍的ESD器件包括半导体衬底以及从半导体衬底的顶面延伸到半导体衬底中的绝缘区。该器件进一步包括：第一节点和第二节点以及连接在第一节点和第二节点之间的静电放电(ESD)器件。ESD器件包括邻近绝缘区的顶面并且在绝缘区的顶面之上的半导体鳍。ESD器件被配置成响应于第一节点上的ESD瞬态，将电流从第一节点传导至第二节点。

公开(公告)号：CN103855156B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310064398.0

申请日：2013-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗哲 ,  张伊锋 ,  李介文

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及一种实施例集成电路(如，二极管)及其制造方法。实施例集成电路包括形成在具有第一掺杂类型的衬底的上方的具有第一掺杂类型的阱，该阱包括鳍、形成在鳍的第一侧的阱的上方的源极、形成在鳍的第二侧的阱的上方的漏极、以及形成在鳍的上方的栅氧化物，其中，源极具有第二掺杂类型、漏极具有第一掺杂类型、以及鳍的回退区将栅氧化物和源极横向分隔开。集成电路与FinFET制造工艺相兼容。

公开(公告)号：CN103426915B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201310061476.1

申请日：2013-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 池育德 ,  李介文 ,  郭政雄 ,  蔡宗哲 ,  宋明相 ,  宋弘政 ,  王宏烵

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/423 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823493 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括衬底，该衬底包括金属氧化物器件。金属氧化物器件包括设置在衬底中并且在沟道区中界面连接的第一掺杂区和第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区掺杂有第一类型掺杂剂。第一掺杂区具有不同于第二掺杂区的掺杂剂浓度。金属氧化物器件还包括横跨沟道区和第一掺杂区和第二掺杂区的界面并且分离源极区和漏极区的栅极结构。源极区形成在第一掺杂区中，并且漏极区形成在第二掺杂区中。源极区和漏极区掺杂有第二类型的掺杂剂。第二类型的掺杂剂与第一类型相反的掺杂剂。本发明还提供了具有自对准互连件的半导体器件。

公开(公告)号：CN103811484A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310042256.4

申请日：2013-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗哲 ,  张伊锋 ,  李介文

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66363 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7436

Abstract: 一种包括半导体鳍的ESD器件包括半导体衬底以及从半导体衬底的顶面延伸到半导体衬底中的绝缘区。该器件进一步包括：第一节点和第二节点以及连接在第一节点和第二节点之间的静电放电(ESD)器件。ESD器件包括邻近绝缘区的顶面并且在绝缘区的顶面之上的半导体鳍。ESD器件被配置成响应于第一节点上的ESD瞬态，将电流从第一节点传导至第二节点。

公开(公告)号：CN103426915A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310061476.1

申请日：2013-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 池育德 ,  李介文 ,  郭政雄 ,  蔡宗哲 ,  宋明相 ,  宋弘政 ,  王宏烵

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/423 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823493 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括衬底，该衬底包括金属氧化物器件。金属氧化物器件包括设置在衬底中并且在沟道区中界面连接的第一掺杂区和第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区掺杂有第一类型掺杂剂。第一掺杂区具有不同于第二掺杂区的掺杂剂浓度。金属氧化物器件还包括横跨沟道区和第一掺杂区和第二掺杂区的界面并且分离源极区和漏极区的栅极结构。源极区形成在第一掺杂区中，并且漏极区形成在第二掺杂区中。源极区和漏极区掺杂有第二类型的掺杂剂。第二类型的掺杂剂与第一类型相反的掺杂剂。本发明还提供了具有自对准互连件的半导体器件。