公开(公告)号：CN106252314B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201510844723.4

申请日：2015-11-26

Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 ,  意法半导体有限公司

Inventor： N·奥特利耶 ,  R·富尔内尔 ,  F·加内塞罗 ,  F·居亚代 ,  V·菲奥里

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/762

CPC classification number: H05K1/0216 ,  H01L21/762 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/764 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2924/00014 ,  H05K1/111 ,  H05K1/181 ,  H05K3/0011 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种电子器件，具有后板，该后板包括衬底后层、衬底前层以及在衬底后层与衬底前层之间的电介质中间层。电子结构在衬底前层上并且包括电子部件和电气连接。衬底后层包括实心的局部区域以及空心的局部区域。空心的局部区域在所有的衬底后层上延伸。衬底后层并不覆盖对应于空心的局部区域的电介质中间层的至少一个局部区带。

公开(公告)号：CN103227155B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201310034892.2

申请日：2013-01-30

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： V·马修

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/293 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种封装的电子装置包括电子装置（101）、导电结构（129）和包封剂（201）。所述包封剂具有氯化物（303）和带负电荷的腐蚀阻抑剂（307），用于防止导电结构的腐蚀。

公开(公告)号：CN108281404A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810166272.7

申请日：2015-04-30

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 符会利 ,  蔡树杰 ,  罗飞宇

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明实施例提供了一种IC管芯及制造方法，用以解决采用目前的IC芯片的散热方法在降低IC芯片表面上的热点的温度方面所起的作用有限的问题。该IC管芯包括衬底；有源器件；互连层，覆盖在所述有源器件上，所述互连层包括多层金属层和多层介质层，所述多层金属层和所述多层介质层交替设置；所述多层金属层中距离所述有源器件最远的一层金属层包括金属走线和金属焊垫；及散热层，所述散热层覆盖在所述互连层上除所述金属焊垫对应的位置以外的区域，所述散热层位于封装层之下，所述封装层包括塑封材料，所述散热层包括导热率大于预设值且电绝缘的材料。

公开(公告)号：CN105051886B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201380075051.4

申请日：2013-03-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 船矢琢央 ,  五十岚孝行

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/3205 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L22/14 ,  H01L22/32 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0688 ,  H01L28/10 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01015

Abstract: 在半导体基板(SB)上隔着第1绝缘膜地形成线圈(CL1)，以覆盖第1绝缘膜以及线圈(CL1)的方式形成第2绝缘膜，在第2绝缘膜上形成有焊盘(PD1)。在第2绝缘膜上形成有具有使焊盘(PD1的一部分露出的开口部(OP1)的层叠膜(LF)，在所述层叠绝缘膜上形成有线圈(CL2)。线圈(CL2)配置在线圈(CL1)的上方，线圈(CL2)与线圈(CL1)进行磁耦合。层叠膜(LF)由氧化硅膜(LF1)、其上的氮化硅膜(LF2)、以及其上的树脂膜(LF3)构成。

公开(公告)号：CN104769711B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201380057472.4

申请日：2013-10-30

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： Y·孙 ,  L·赵 ,  M·韩

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/43 ,  B81B2207/093 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/768 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L29/84 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/13688 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种导电互连(340、440、540、640)包括导电支承层(330、430、530、630)，在该导电支承层(330、430、530、630)上的导电材料(320、520、620)，以及部分地包围该导电材料(320、520、620)的无机套环(350、450、550、650)。无机套环(350、450、550、650)也被布置在导电支承层(330、430、530、630)的侧壁上。一种制造导电互连(340、440、540、640)的方法包括在籽晶层(304、504)上制造导电材料(320、520、620)，形成有机套环(310、510)以部分地包围该导电材料(320、520、620)，蚀刻导电籽晶层(304、504)以形成导电支承层(330、430、530、630)，以及进行加热以将有机套环(310、510)转变为无机套环(350、450、550、650)，该无机套环(350、450、550、650)部分地包围导电材料(320、520、620)并布置在导电支承层(330、430、530、630)的侧壁上。有机套环(310、510)可通过在导电材料(320、520、620)上沉积光敏旋涂电介质材料并图案化该光敏旋涂电介质材料来形成。导电材料(620)可以是单个导电材料(320)或者可包括由势垒层分隔的第一导电层(332)和第二导电层(324)的堆叠，在这种情况下加热步骤还导致导电材料堆叠中的第二导电层(324)的回流。

公开(公告)号：CN107924901A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680039638.3

申请日：2016-05-02

Applicant: 创研腾科技有限公司 ,  理查德.K.威廉斯

Inventor： 理查德.K.威廉斯 ,  K-H.林

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L21/4828 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49555 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665

Abstract: 一种功率封装，包括从在封装底部被暴露的裸芯垫延伸的散热片，其有助于热从裸芯转移至PCB或其上安装封装的其他表面。该散热片具有底表面，该底表面与裸芯垫的平坦底表面和引线的底表面共面。该引线包括水平底脚段、垂直柱状段，以及面对裸芯垫的水平悬臂段。散热片也可以具有底脚。包含功率器件的裸芯被安装在裸芯垫的顶表面上且使用接合焊线或接线夹可以电连接到引线。裸芯可以被安装在具有导电材料的裸芯垫上，并且封装也可包括从所述裸芯垫延伸并由此电连接到裸芯底部的引线。结果为具有最小的覆盖区的封装，其适用于相对低成本的印刷电路板组装厂中所用的称为“波峰焊接”的技术。封装的制造方法被公开。

公开(公告)号：CN107546206A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710475947.1

申请日：2017-06-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松本雅弘 ,  矢岛明 ,  前川和义

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，实现半导体芯片的缩小化，从而实现半导体器件的小型化。QFP中的半导体芯片的接合焊盘(4c)在其露出部(4ca)具有由连结角部(4n)与第一点(4q)的第一线段(4u)、连结角部(4n)与第二点(4r)的第二线段(4v)、连结第一点(4q)与第二点(4r)且朝向角部(4n)成为凸状的圆弧(4w)构成的连接柱配置区域(4x)。进而，在俯视接合焊盘(4c)时，连接柱(4h)的至少一部分与连接柱配置区域(4x)重叠配置。

公开(公告)号：CN103579008B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201210261996.2

申请日：2012-07-26

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 彭冰清

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种焊盘结构及其制备方法，包括：提供具有顶部金属层和顶部通孔的叠层；在所述叠层上沉积第一钝化层；蚀刻所述第一钝化层，形成第一开口以露出所述顶部金属层；沉积焊盘金属层，通过所述第一开口与顶部金属层相连；平坦化所述焊盘金属层；蚀刻所述焊盘金属层的两侧部分，以露出所述第一钝化层；沉积第二钝化层；蚀刻所述第二钝化层形成第二开口，以露出所述焊盘金属层。本发明中在沉积焊盘金属材料层时，增加所述焊盘金属材料层的厚度，然后执行一平坦化步骤，使所述焊盘金属材料层的表面更加平整，在进行结合线焊接过程中，所述焊接线球与所述焊盘金属材料层表面的接触面积变大，粘合力更强。

公开(公告)号：CN104576582B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201310482869.X

申请日：2013-10-15

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 彭冰清

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/48463

Abstract: 本发明涉及一种接合焊盘结构，包括：按从上到下的顺序设置的焊盘金属层、顶部金属层和底部金属层，其中所述焊盘金属层、顶部金属层和底部金属层的面积逐渐增大。所述焊盘金属层、顶部金属层和底部金属层呈环形结构，并且所述焊盘金属层、顶部金属层和底部金属层的面积逐渐增大，在中间部位形成应力释放通道，以便在所述接合焊盘上进行线接合过程中产生的应力吸收、消除，阻止所述应力往下传到，造成对固体接合焊盘层和下面的金属互联层和介电层的叠层造成损坏，解决了现有技术中存在的弊端。

公开(公告)号：CN103311212B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201310074222.3

申请日：2013-03-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秦志康 ,  斋藤隆幸 ,  堀部裕史

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L22/32 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种即使在进行半导体装置的工作保证温度的高温化的情况下也能够提高半导体装置的可靠性的技术。在多个焊盘(PD1～PD3)之间设置间隙，在该间隙中填埋例如由氧化硅膜、氮化硅膜构成的玻璃涂层(GC1)。该玻璃涂层(GC1)为了确保焊盘(PD1～PD3)间的电绝缘性而设置，覆盖焊盘(PD1～PD3)的外缘部。另外，在焊盘(PD1～PD3)的外缘部中，以与被玻璃涂层(GC1)覆盖的区域的邻接的方式形成槽(DIT1)。