公开(公告)号：CN107093556B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201710085453.2

申请日：2017-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵元舜 ,  郭志伟

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请提出一种半导体装置的形成方法与n型通道的半导体场效晶体管，其中半导体装置的形成方法中，形成第一层于n型半导体层上，且第一层包含掺杂磷的Si1‑xGex层；形成金属层于第一层上，且金属层包含金属材料；以及进行热制程以形成合金层，且合金层包含Si、Ge、与金属材料。

公开(公告)号：CN106340456A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201510793708.1

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈昭雄 ,  陈豪育 ,  林其渊 ,  赵元舜 ,  李国龙

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/1033

Abstract: 在一种制造半导体装置的方法中，形成鳍片结构，包含第一半导体层、置于第一半导体层上的氧化层及置于氧化层上的第二半导体层。形成隔离绝缘层，使得鳍片结构内的第二半导体层突出自隔离绝缘层；而氧化层及第一半导体层则埋于阻隔绝缘层之中。形成第三半导体层于裸露的第二半导体层之上，以形成通道层。藉由此通道层以回复通道宽度，能进行氧化制程以完全形成氧化层，而毋须顾及通道宽度的减小。这使得形成氧化层的制程视窗(process window)变得更广。此外，由于能缩小鳍片结构的宽度(蚀刻制程后)，所以完全形成氧化层的时间可以缩短，因此降低热经历(thermal history)。

公开(公告)号：CN101656214A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910129867.6

申请日：2009-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯永田 ,  陈建豪 ,  赵元舜 ,  洪正隆

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28229 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制法，半导体元件的制造方法包括提供半导体基底；于半导体基底上形成界面层；于界面层上形成第一栅极介电层；于第一栅极介电层上形成金属层；以及将金属层氧化以形成金属氧化层，其中金属层的氧化包括自界面层捉取氧。本发明可有效控制栅极结构的等效氧化层厚度，还降低了栅极介电层的氧空位。

公开(公告)号：CN107093556A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710085453.2

申请日：2017-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵元舜 ,  郭志伟

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/44 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/26 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/458

Abstract: 本申请提出一种半导体装置的形成方法与n型通道的半导体场效晶体管，其中半导体装置的形成方法中，形成第一层于n型半导体层上，且第一层包含掺杂磷的Si1‑xGex层；形成金属层于第一层上，且金属层包含金属材料；以及进行热制程以形成合金层，且合金层包含Si、Ge、与金属材料。

公开(公告)号：CN101656214B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200910129867.6

申请日：2009-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯永田 ,  陈建豪 ,  赵元舜 ,  洪正隆

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28229 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制法，半导体元件的制造方法包括提供半导体基底；于半导体基底上形成界面层；于界面层上形成第一栅极介电层；于第一栅极介电层上形成金属层；以及将金属层氧化以形成金属氧化层，其中金属层的氧化包括自界面层捉取氧。本发明可有效控制栅极结构的等效氧化层厚度，还降低了栅极介电层的氧空位。

公开(公告)号：CN101924035A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200910167343.6

申请日：2009-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶明熙 ,  林舜武 ,  陈启群 ,  陈嘉仁 ,  陈薏新 ,  陈建豪 ,  赵元舜 ,  黄国宾

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/28105 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/401

Abstract: 本发明提供形成半导体元件及其栅极结构的方法，其包括多种含有高介电常数的栅极介电层的图案化金属栅极结构的形成方法。在一实施例中，可溶硬掩模层可作为图案化金属栅极的掩模单元。通过水或光致抗蚀剂显影液可将可溶硬掩模自基板上移除。在一实施例中，硬掩模层包含高介电常数的介电材料。在另一实施例中，保护层形成于光致抗蚀剂图案下。在剥除光致抗蚀剂的步骤中，保护层可保护基板上的一层或多层结构。与公知技术相较，上述方法改善光致抗蚀剂层的附着力。公知干灰化和/或湿蚀刻等工艺在移除光致抗蚀剂层和/或硬掩模层时，可能损伤金属栅极和/或高介电常数的栅极介电层的问题可通过上述方法改善。

公开(公告)号：CN106558500A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201510852268.2

申请日：2015-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵元舜 ,  曹志彬 ,  陈豪育

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明是关于包含鳍式结构的半导体装置及其制造方法。根据一实施例的用于制造半导体装置的方法包含在衬底上方形成鳍式结构。所述鳍式结构具有顶表面及侧表面，并且所述顶表面定位于从所述衬底测量的高度H0处。在所述鳍式结构及所述衬底上方形成绝缘层。在第一凹陷中，使所述绝缘层凹陷到从所述衬底起的高度T1，使得所述鳍式结构的上部部分从所述绝缘层暴露。在所述已暴露上部部分上方形成半导体层。在形成所述半导体层之后，在第二凹陷中，使所述绝缘层凹陷到从所述衬底起的高度T2，使得所述鳍式结构的中间部分从所述绝缘层暴露。在所述鳍式结构的具有所述半导体层的所述上部部分以及所述已暴露中间部分上方形成栅极结构。

公开(公告)号：CN103227200A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201210244923.2

申请日：2012-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵元舜 ,  陈豪育 ,  杨士洪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管FinFET。一种FinFET的典型结构包括：衬底，包括主面；第一鳍状件和第二鳍状件，自该衬底的主面向上延伸至第一高度；绝缘层，包括顶面，该绝缘层自衬底的主面向上延伸至第二高度，该第二高度小于第一高度，由此各鳍状件的部分延伸超过绝缘层的顶面；每个鳍状件被球形外延层覆盖，球形外延层限定相邻各鳍状件之间的漏斗形腔，所述腔包括上部和下部，其中，作为所述腔的下部的边界的球形外延层被转化为硅化物。本发明还公开了制造鳍式场效应晶体管的方法。

公开(公告)号：CN101661883A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910141835.8

申请日：2009-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建豪 ,  侯永田 ,  徐鹏富 ,  黄国泰 ,  赵元舜 ,  洪正隆

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513

Abstract: 本发明提供一种通过减少栅极结构中界面层厚度来维持等效氧化层厚度的半导体元件的制造方法。该方法包括一界面层形成在一基材上；一栅极介电层例如高介电常数介电质形成此界面层上；一吸气层形成在此基材上方的界面层上，此吸气层有自界面层吸收氧气的功能，可使界面层的厚度减小和/或限制此界面层成长。本发明有益于控制栅极结构的等效氧化层厚度。其中吸气层可包含一介电和/或一金属层，此吸气层可从此栅极堆叠移除或保留在此结构中。

公开(公告)号：CN101345260A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810137833.7

申请日：2008-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵元舜 ,  荆凤德 ,  洪彬舫 ,  颜丰裕 ,  林纲正 ,  黄国泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

Abstract: 一种半导体结构，包括：耐火金属硅化层；富硅耐火金属硅化层，位于该耐火金属硅化物上；以及富金属耐火金属硅化层，位于该富硅耐火金属硅化层上。该耐火金属硅化层、该富硅耐火金属硅化层与富金属耐火金属硅化层包括相同的耐火材料。该半导体结构构成金属氧化物半导体元件的栅极电极的一部分。本发明利用与带缘功函数相关的优势，且同时克服现有技术的不足。