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公开(公告)号：CN112103183B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010041094.2
申请日：2020-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 形成集成电路器件的方法包括提供沟道区域并且在沟道区域上生长氧化物层。生长氧化物层包括引入提供氧的第一源气体和引入提供氢的第二源气体。第二源气体与第一源气体不同。生长氧化物层通过将氧结合至沟道区域的半导体元素以形成氧化物层并且将氢结合至沟道区域的半导体元素以形成半导体氢化物副产物来生长。可以在氧化物层上方形成栅极介电层和栅电极。本发明的实施例还涉及集成电路器件。
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公开(公告)号：CN112530807B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202010350510.7
申请日：2020-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/51
Abstract: 本公开描述了可以消除或最小化在铁电场效应晶体管的金属栅极层上形成氧化物的方法。在一些实施例中，该方法包括提供在其上具有鳍的衬底；以及在鳍上沉积界面层；在界面层上沉积铁电层；在铁电层上沉积金属栅极层；使金属栅极层暴露于金属卤化物气体；执行后金属化退火，其中在不发生真空中断的情况下将金属栅极层暴露于金属卤化物气体和执行后金属化退火。本公开的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN115527946A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210886647.3
申请日：2022-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 此处公开一种具有不同栅极结构设置的半导体装置与其制作方法。方法包括形成鳍状结构于基板上；形成栅极开口于鳍状结构上；形成金属氧化物层于栅极开口中；形成第一介电层于金属氧化物层上，形成第二介电层于第一介电层上；形成功函数金属层于第二介电层上；以及形成栅极金属填充层于功函数金属层上。形成第一介电层的步骤包括沉积氧化物材料，其氧面积密度小于金属氧化物层的氧面积密度。
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公开(公告)号：CN115376999A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210196667.8
申请日：2022-03-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本申请公开了具有无铝功函数层的NFET及其形成方法。一种方法包括在半导体区域之上形成虚设栅极堆叠，在虚设栅极堆叠的一侧上形成源极/漏极区域，去除虚设栅极堆叠以形成沟槽，沉积延伸到沟槽中的栅极电介质层，在栅极电介质层之上沉积含金属层，以及在含金属层上沉积含硅层。含金属层和含硅层共同用作功函数层。执行平坦化工艺以去除含硅层、含金属层和栅极电介质层的多余部分，其中，含硅层、含金属层和栅极电介质层的剩余部分形成栅极堆叠。
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公开(公告)号：CN112687623A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010842523.6
申请日：2020-08-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/49
Abstract: 此处公开半导体装置的制作方法，更具体地，公开具有设置以提供超低临界电压的不同栅极结构的半导体装置与其制作方法。方法包括分别形成第一纳米结构的通道区与第二纳米结构的通道区于第一纳米结构层与第二纳米结构层中；以及形成第一全绕式栅极结构与第二全绕式栅极结构以分别围绕第一纳米结构的通道区与第二纳米结构的通道区。形成第一全绕式栅极结构与第二全绕式栅极结构的步骤包括：选择性形成铝为主的n型功函数金属层与硅为主的盖层于第一纳米结构的通道区上；沉积多个双层的无铝p型功函数金属层于第一纳米结构的通道区与第二纳米结构的通道区上；沉积氟阻挡层于双层的无铝p型功函数金属层上；以及沉积栅极金属填充层于氟阻挡层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111243958A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911180066.2
申请日：2019-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体结构包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一沟道层，设置在第一区域中；第二沟道层，设置在第二区域中；第一介电层，设置在第一沟道层上；第二介电层，设置在第二沟道层上；第一栅电极，设置在第一介电层上；第二栅电极，设置在第二介电层上。第一区域中的第一沟道层包括第一Ge浓度的Ge化合物，第二区域中的第二沟道层包括第二Ge浓度的Ge化合物。第一沟道层中的第一Ge浓度大于第二沟道层中的第二Ge浓度。本发明的实施例涉及形成介电层的方法、形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN110776873A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910682996.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C09K3/14 , H01L21/768
Abstract: 化学机械研磨及/或平坦化工艺所用的研磨液组成，包括氧化剂，包括一或多个氧原子；以及研磨粒子，具有壳层结构围绕核心结构。核心结构包括第一化合物，壳层结构包括第二化合物，且第一化合物与第二化合物不同，其中核心结构的直径大于壳层结构的厚度，且其中第一化合物设置为与氧化剂反应形成反应性氧物种。
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公开(公告)号：CN111243958B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201911180066.2
申请日：2019-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体结构包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一沟道层，设置在第一区域中；第二沟道层，设置在第二区域中；第一介电层，设置在第一沟道层上；第二介电层，设置在第二沟道层上；第一栅电极，设置在第一介电层上；第二栅电极，设置在第二介电层上。第一区域中的第一沟道层包括第一Ge浓度的Ge化合物，第二区域中的第二沟道层包括第二Ge浓度的Ge化合物。第一沟道层中的第一Ge浓度大于第二沟道层中的第二Ge浓度。本发明的实施例涉及形成介电层的方法、形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN115360143A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210344564.1
申请日：2022-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及半导体器件中的栅极结构及其形成方法。一种方法，包括去除第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠以形成第一沟槽和第二沟槽。所述第一虚设栅极堆叠和所述第二虚设栅极堆叠分别位于第一器件区和第二器件区。所述方法还包括沉积分别延伸到所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一栅极电介质层和第二栅极电介质层；形成含氟层，所述含氟层包括在所述第一栅极电介质层之上的第一部分和在所述第二栅极电介质层之上的第二部分；去除所述含氟层的第二部分；执行退火工艺以将所述含氟层的第一部分中的氟扩散到所述第一栅极电介质层中；和在所述退火工艺之后，分别在所述第一栅极电介质层和所述第二栅极电介质层之上形成第一功函数层和第二功函数层。
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公开(公告)号：CN115064490A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210429831.5
申请日：2022-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置结构，包括第一源极/漏极外延结构，形成于基板上；第二源极/漏极外延结构，形成于基板上；两个或更多个半导体层，位于第一源极/漏极外延结构与第二源极/漏极外延结构之间；栅极层，围绕半导体层之一的一部分；第一介电区，位于基板中并接触第一源极/漏极外延结构的第一侧；以及第二介电区，位于基板中并接触第二源极/漏极外延结构的第一侧，且第二介电区与第一介电区隔有基板。
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