公开(公告)号：CN100433283C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200610066572.5

申请日：2006-04-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆晓慈 ,  林进祥 ,  吴华书 ,  林嘉祥 ,  陈桂顺

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/68

CPC classification number: G03F7/70633 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是有关于一半导体制造的系统与方法，包含由一第一遮罩层与一邻近层形成一有图案的叠对标的。此叠对标的以辐射线照射。因此，反射的光线可由其图案和邻近层所侦测出来，且此图案的位置可经由反射光线而确认。本发明更包括一半导体制程的叠对标的量测系统。此量测系统至少包括一产生器以及一侦测器，此产生器是以辐射线照射一叠对标的；此侦测器是用以侦测叠对标的的反射光线。

公开(公告)号：CN1818791A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610003267.1

申请日：2006-02-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严永松 ,  陈桂顺 ,  徐嘉穗 ,  张郁娴 ,  陆晓慈

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70333 ,  G03F1/38 ,  G03F7/703

Abstract: 本发明是有关于一种半导体制程中的微影系统及其方法和用于其中的光罩。该在半导体制程中的微影方法，包括下列步骤：提供一种具有第一及第二聚焦面的光罩，其中该第一及第二聚焦面不同；使用该光罩以在一晶圆上进行第一曝光，以形成一第一影像，其中第一聚焦面是在第一曝光期间聚焦于晶圆；以及使用光罩以在晶圆上进行第二曝光，以形成一第二影像，其中第二聚焦面是在第二曝光期间聚焦于晶圆。本案揭示的一种在半导体制程中的微影方法，包括提供一种用于一晶圆的具有第一及第二聚焦面的光罩。该晶圆包含对应的第一及第二晶圆区。在使用第一聚焦面的第一曝光期间，第一晶圆区接收一第一影像，在使用第二聚焦面的第二曝光期间，该第二晶圆区接收二第二影像。

公开(公告)号：CN103247602A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210203689.9

申请日：2012-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘家助 ,  陈桂顺 ,  江木吉 ,  吴燿光 ,  吴璧雰 ,  林焕哲 ,  陆晓慈 ,  黄惠琪

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823871

Abstract: 公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括：设置在第一器件区中的第一器件，该第一器件包括第一栅极结构、在该第一栅极结构的侧壁上形成的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件；以及设置在第二器件区中的第二器件，该第二器件包括第二栅极结构、在该第二栅极结构的侧壁上形成的第二栅极间隔件以及第二源极和漏极部件。该半导体器件还包括设置在第一和第二栅极间隔件上的接触蚀刻终止层(CESL)以及设置在第一和第二源极和漏极部件上的互连结构。该互连结构与第一和第二源极和漏极部件电接触并且与CESL相接触。本发明提供了半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN101174087A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710166661.1

申请日：2007-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林进祥 ,  陆晓慈 ,  陈桂顺 ,  张庆裕 ,  张尚文

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0271 ,  G03F7/095

Abstract: 本发明有关于一种在半导体元件上形成光刻胶图案的工艺。其中集成电路的图案化工艺，包括：提供一基底层；形成一缓冲层于该基底层之上；形成一光刻胶层于该缓冲层之上；诱导一反应于该缓冲层的一区域，使得该区域具有可移除性；以及以一显影剂移除该缓冲层的该区域及该区域上的该光刻胶层的一对应部位。本发明还公开了一种图案化一基材的工艺和在半导体元件层上显影图案的工艺。本发明降低了图案化的光刻胶层开口处的光刻胶足部及(或)残余物，从而更加适于实用。

公开(公告)号：CN1917163A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610066572.5

申请日：2006-04-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆晓慈 ,  林进祥 ,  吴华书 ,  林嘉祥 ,  陈桂顺

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/68

CPC classification number: G03F7/70633 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是有关于一半导体制造的系统与方法，包含由一第一遮罩层与一邻近层形成一有图案的叠对标的。此叠对标的以辐射线照射。因此，反射的光线可由其图案和邻近层所侦测出来，且此图案的位置可经由反射光线而确认。本发明更包括一半导体制程的叠对标的量测系统。此量测系统至少包括一产生器以及一侦测器，此产生器是以辐射线照射一叠对标的；此侦测器是用以侦测叠对标的反射光线。

公开(公告)号：CN103247602B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210203689.9

申请日：2012-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘家助 ,  陈桂顺 ,  江木吉 ,  吴燿光 ,  吴璧雰 ,  林焕哲 ,  陆晓慈 ,  黄惠琪

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823871

Abstract: 公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括：设置在第一器件区中的第一器件，该第一器件包括第一栅极结构、在该第一栅极结构的侧壁上形成的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件；以及设置在第二器件区中的第二器件，该第二器件包括第二栅极结构、在该第二栅极结构的侧壁上形成的第二栅极间隔件以及第二源极和漏极部件。该半导体器件还包括设置在第一和第二栅极间隔件上的接触蚀刻终止层(CESL)以及设置在第一和第二源极和漏极部件上的互连结构。该互连结构与第一和第二源极和漏极部件电接触并且与CESL相接触。本发明提供了半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN1818791B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610003267.1

申请日：2006-02-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严永松 ,  陈桂顺 ,  徐嘉穗 ,  张郁娴 ,  陆晓慈

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70333 ,  G03F1/38 ,  G03F7/703

Abstract: 本发明是有关于一种半导体制程中的微影系统及其方法和用于其中的光罩。该在半导体制程中的微影方法，包括下列步骤：提供一种具有第一及第二聚焦面的光罩，其中该第一及第二聚焦面不同；使用该光罩以在一晶圆上进行第一曝光，以形成一第一影像，其中第一聚焦面是在第一曝光期间聚焦于晶圆；以及使用光罩以在晶圆上进行第二曝光，以形成一第二影像，其中第二聚焦面是在第二曝光期间聚焦于晶圆。本案揭示的一种在半导体制程中的微影方法，包括提供一种用于一晶圆的具有第一及第二聚焦面的光罩。该晶圆包含对应的第一及第二晶圆区。在使用第一聚焦面的第一曝光期间，第一晶圆区接收一第一影像，在使用第二聚焦面的第二曝光期间，该第二晶圆区接收二第二影像。

公开(公告)号：CN100547739C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200710002096.5

申请日：2007-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆晓慈 ,  林本坚 ,  林进祥 ,  陈桂顺 ,  高蔡胜

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2686

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的热处理方法，包括：在半导体晶片的第一面上形成第一材料层；在该第一材料层上及该半导体晶片的第二面上形成第二材料层；对该半导体晶片实施快速退火工序。

公开(公告)号：CN100514192C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200610149997.2

申请日：2006-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈桂顺 ,  林进祥 ,  高蔡胜 ,  陈俊光 ,  陆晓慈 ,  梁辅杰

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70333 ,  G03F7/70091 ,  G03F7/70108 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70641 ,  G03F9/7026

Abstract: 本发明是有关于一种用于半导体制程的光微影方法，包含提供一基材当作一晶圆，以及提供一光罩来曝光此晶圆。此晶圆是使用一种组合高角度照明方法及焦点漂移曝光方式来进行曝光。利用这种整合高角度照明方法和焦点漂移曝光方法的光微影制程，可以降低邻近效应，并增加焦点深度。

公开(公告)号：CN101106080A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710002096.5

申请日：2007-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆晓慈 ,  林本坚 ,  林进祥 ,  陈桂顺 ,  高蔡胜

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2686

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的热处理方法，包括：在半导体晶片的第一面上形成第一材料层；在该第一材料层上及该半导体晶片的第二面上形成第二材料层；对该半导体晶片实施快速退火工序。