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公开(公告)号：CN108615538B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201711057032.5
申请日：2017-10-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明提供了一种具有对称的读取电流曲线的存储器。存储器包括由多个存储器单元形成的第一存储器阵列，由多个存储器单元形成的第二存储器阵列以及读取电路。读取电路包括连接至第一存储器阵列的第一解码器，连接至第二存储器阵列的第二解码器以及输出缓冲器。第一解码器根据第一地址信号从第一存储器阵列获得第一数据。第二解码器根据第一地址信号从第二存储器阵列获得第二数据。输出缓冲器根据控制信号选择性地提供第一数据或第二数据作为输出。第一数据与第二数据互补。本发明还提供了存储器的读取方法。
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公开(公告)号：CN107134449A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201611039379.2
申请日：2016-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L23/528
CPC classification number: H01L23/5226 , G11C7/18 , G11C8/14 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/4175 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构，其包含：扩散带的第一行，其具有分离开第一距离的两个区段；扩散带的第二行，其具有分离开所述第一距离的两个区段；扩散带的第三行，其具有分离开所述第一距离的两个区段；扩散带的第四行，其具有分离开所述第一距离的两个区段；导电带的第一行，其在扩散带的所述第一行及扩散带的所述第二行上方；及导电带的第二行，其在扩散带的所述第三行及扩散带的所述第四行上方。导电带的所述第一行具有分离开第二距离的两个区段。导电带的所述第二行具有分离开所述第二距离的两个区段，其中所述第二距离大于所述第一距离。
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公开(公告)号：CN119028406A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411066250.5
申请日：2024-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种存储器阵列，包括沿着一方向延伸的连续有源区。存储器阵列包括第一位单元，第一位单元包括限定在连续有源区上的第一编程器件和第一读取器件的对。存储器阵列包括耦接到第一编程器件的栅极的第一编程字线。存储器阵列包括耦接到第一读取器件的对的栅极的第一读取字线。存储器阵列包括位线，其中，第一读取器件的对中的第一个耦接在第一编程器件的第一源极/漏极节点与位线之间。本申请的实施例还公开了一种存储器电路及制造存储器器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108122571B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201710910211.2
申请日：2017-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种字线驱动器包括选择字线电平位移器、控制字线电平位移器、选择字线首部电路及控制字线首部电路。选择字线电平位移器被配置成产生处于第一电压域或第二电压域中的输出信号，所述控制字线电平位移器耦合至所述选择字线电平位移器并被配置成基于由所述选择字线电平位移器产生的所述输出信号来产生处于所述第二电压域或第三电压域中的输出信号。选择字线首部电路被配置成控制所述选择字线电平位移器的电压输出域。控制字线首部电路被配置成控制所述控制字线电平位移器的电压输出域。
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公开(公告)号：CN107437424A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710384203.9
申请日：2017-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/06 , G11C7/08 , G11C11/419
CPC classification number: G11C11/419 , G11C7/08 , G11C11/412 , G11C2207/002 , G11C7/06
Abstract: 本揭露提供用于控制感测放大器的系统和方法。第一类型的第一金属氧化物半导体MOS晶体管和第二MOS晶体管串联连接于第一电压电位与节点之间。所述第一MOS晶体管的栅极端子耦合到第一数据线。所述第二MOS晶体管的栅极端子耦合到第二数据线。第二类型的第三MOS晶体管连接于所述节点与第二电压电位之间。所述第三MOS晶体管具有耦合到所述第一数据线的栅极端子。所述第二类型的第四MOS晶体管连接于所述节点与所述第二电压电位之间以与所述第三MOS晶体管成并联布置。所述第四MOS晶体管具有耦合到所述第二数据线的栅极端子。提供到感测放大器的控制信号是基于所述节点的电压。
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公开(公告)号：CN119152910A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411152311.X
申请日：2024-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体器件包括：存储器单元，随机呈现第一逻辑状态或第二逻辑状态并且形成在衬底的第一侧上；以及第一位线和第二位线，形成在衬底的与第一侧相对的第二侧上。存储器单元包括：编程晶体管，具有第一源极/漏极端子和第二源极/漏极端子；第一读取晶体管，第一读取晶体管的第一源极/漏极端子耦合至编程晶体管的第一源极/漏极端子；以及第二读取晶体管，第二读取晶体管的第一源极/漏极端子耦合至编程晶体管的第二源极/漏极端子。第一位线可操作地耦合至第一读取晶体管的第二源极/漏极端子，并且第二位线可操作地耦合至第二读取晶体管的第二源极/漏极端子。本申请的实施例还涉及存储器系统和用于形成存储器器件的方法。
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公开(公告)号：CN108122571A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710910211.2
申请日：2017-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种字线驱动器包括选择字线电平位移器及控制字线电平位移器。选择字线电平位移器被配置成产生处于第一电压域或第二电压域中的至少一个输出信号，所述控制字线电平位移器耦合至所述选择字线电平位移器并被配置成至少部分地基于由所述选择字线电平位移器产生的所述至少一个输出信号来产生处于所述第二电压域或第三电压域中的至少一个输出信号。
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公开(公告)号：CN108615538A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201711057032.5
申请日：2017-10-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C7/1012 , G11C7/1051 , G11C11/409 , G11C11/413 , G11C11/418
Abstract: 本发明提供了一种具有对称的读取电流曲线的存储器。存储器包括由多个存储器单元形成的第一存储器阵列，由多个存储器单元形成的第二存储器阵列以及读取电路。读取电路包括连接至第一存储器阵列的第一解码器，连接至第二存储器阵列的第二解码器以及输出缓冲器。第一解码器根据第一地址信号从第一存储器阵列获得第一数据。第二解码器根据第一地址信号从第二存储器阵列获得第二数据。输出缓冲器根据控制信号选择性地提供第一数据或第二数据作为输出。第一数据与第二数据互补。本发明还提供了存储器的读取方法。
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