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公开(公告)号:CN115440596A
公开(公告)日:2022-12-06
申请号:CN202210067037.0
申请日:2022-01-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/488
Abstract: 提供一种半导体结构及其制造方法。所述方法包括以下步骤。将多个导电球放置在电路衬底上方,其中每个导电球放置在多个接触垫中的任一者的接触面积上,而接触面积被经图案化的掩模层以可触及的方式显露出来。回焊导电球以形成连接到电路衬底的接触垫的具有不同的高度的多个外部端子,其中形成在电路衬底的第一区中的外部端子的第一外部端子和形成在电路衬底的第二区中的外部端子的第二外部端子是非共面的。
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公开(公告)号:CN112310010A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN201910982516.3
申请日:2019-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装体包括重布线结构、至少一个半导体装置及多个散热膜。所述至少一个半导体装置安装在所述重布线结构上。所述多个散热膜以并排的方式设置在所述至少一个半导体装置上,且共同地覆盖所述至少一个半导体装置的上表面。一种制造半导体封装体的方法也被提供。
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