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公开(公告)号：CN109427701B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201711230904.3
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/522
Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含衬底、封装、第一导体及第二导体。所述衬底包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述封装放置于所述衬底上方。所述第一导体放置于所述衬底上方。所述第二导体放置于所述衬底上方，其中所述第一导体及所述第二导体基本上处于同一层级，且所述第二导体的宽度大于所述第一导体的宽度。
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公开(公告)号：CN113192894A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010856696.3
申请日：2020-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/04 , H01L23/367 , G02B6/12 , G02B6/42 , H04B1/40
Abstract: 一种半导体封装包括衬底、堆叠结构、包封材料、盖结构及耦合器。堆叠结构设置在衬底之上并结合到衬底。包封材料部分地包封堆叠结构。盖结构设置在衬底上，其中盖结构环绕堆叠结构并覆盖堆叠结构的顶表面。耦合器结合到堆叠结构，其中耦合器的一部分穿透盖结构并延伸出盖结构。
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公开(公告)号：CN108573929B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201711095986.5
申请日：2017-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00
Abstract: 本发明实施例揭示一种半导体装置，其包含衬底、电子组件、环形结构及粘合剂层。所述衬底具有第一表面。所述电子组件在所述衬底的所述第一表面上方。所述环形结构在所述衬底的所述第一表面上方，其中所述环形结构包含具有第一高度的第一部分及从底表面凹陷且具有低于所述第一高度的第二高度的第二部分。所述粘合剂层插入在所述环形结构的所述第一部分与所述衬底之间及所述环形结构的所述第二部分与所述衬底之间。
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公开(公告)号：CN110473842A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910384743.6
申请日：2019-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/07 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供一种芯片封装结构，其包含基板、第一芯片结构和第二芯片结构、保护层、第一抗翘曲凸块以及导电凸块。基板具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，第一芯片结构和第二芯片结构设置在第一表面上，保护层在第一表面上并且围绕第一芯片结构和第二芯片结构，保护层的一部分位于第一芯片结构和第二芯片结构之间，第一抗翘曲凸块在第二表面上并且延伸穿过保护层的上述部分。导电凸块在第二表面上并且电连接到第一芯片结构或第二芯片结构，第一抗翘曲凸块比导电凸块宽。
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公开(公告)号：CN109427701A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711230904.3
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/522
Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含衬底、封装、第一导体及第二导体。所述衬底包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述封装放置于所述衬底上方。所述第一导体放置于所述衬底上方。所述第二导体放置于所述衬底上方，其中所述第一导体及所述第二导体基本上处于同一层级，且所述第二导体的宽度大于所述第一导体的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108573929A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201711095986.5
申请日：2017-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00
Abstract: 本发明实施例揭示一种半导体装置，其包含衬底、电子组件、环形结构及粘合剂层。所述衬底具有第一表面。所述电子组件在所述衬底的所述第一表面上方。所述环形结构在所述衬底的所述第一表面上方，其中所述环形结构包含具有第一高度的第一部分及从底表面凹陷且具有低于所述第一高度的第二高度的第二部分。所述粘合剂层插入在所述环形结构的所述第一部分与所述衬底之间及所述环形结构的所述第二部分与所述衬底之间。
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公开(公告)号：CN115440596A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210067037.0
申请日：2022-01-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/488
Abstract: 提供一种半导体结构及其制造方法。所述方法包括以下步骤。将多个导电球放置在电路衬底上方，其中每个导电球放置在多个接触垫中的任一者的接触面积上，而接触面积被经图案化的掩模层以可触及的方式显露出来。回焊导电球以形成连接到电路衬底的接触垫的具有不同的高度的多个外部端子，其中形成在电路衬底的第一区中的外部端子的第一外部端子和形成在电路衬底的第二区中的外部端子的第二外部端子是非共面的。
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公开(公告)号：CN111354653B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201911337054.6
申请日：2019-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/488
Abstract: 本申请的实施例提供一种芯片封装结构及其形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面。此方法包含在第一基底的第二表面上形成虚设凸块。第一表面与第二表面相反，且虚设凸块与芯片电气绝缘。此方法包含切穿第一基底与虚设凸块以形成切割基底与切割虚设凸块。切割虚设凸块位于切割基底的角部之上，切割虚设凸块的第一侧壁与切割基底的第二侧壁大致上共平面，且切割虚设凸块的第三侧壁与切割基底的第四侧壁大致上共平面。
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公开(公告)号：CN113990855A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110936175.3
申请日：2021-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 在实施例中，中介层具有：第一侧；第一集成电路器件，通过第一组导电连接件附接至中介层的第一侧，第一组导电连接件中的每个均具有第一高度；第一管芯封装件，通过第二组导电连接件附接至中介层的第一侧，第二组导电连接件包括第一导电连接件和第二导电连接件，第一导电连接件具有第二高度，第二导电连接件具有第三高度，第三高度不同于第二高度；第一伪导电连接件，位于中介层的第一侧和第一管芯封装件之间；底部填充物，设置在第一集成电路器件和第一管芯封装件下方；以及密封剂，设置在第一集成电路器件和第一管芯封装件周围。本申请的实施例涉及封装件及制造方法。
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公开(公告)号：CN111354653A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911337054.6
申请日：2019-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/488
Abstract: 本申请的实施例提供一种芯片封装结构及其形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面。此方法包含在第一基底的第二表面上形成虚设凸块。第一表面与第二表面相反，且虚设凸块与芯片电气绝缘。此方法包含切穿第一基底与虚设凸块以形成切割基底与切割虚设凸块。切割虚设凸块位于切割基底的角部之上，切割虚设凸块的第一侧壁与切割基底的第二侧壁大致上共平面，且切割虚设凸块的第三侧壁与切割基底的第四侧壁大致上共平面。
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