公开(公告)号：CN113990855A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202110936175.3

申请日：2021-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄冠育 ,  黄松辉 ,  侯上勇 ,  许书嘉 ,  黄裕允 ,  张文耀 ,  郑育真

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 在实施例中，中介层具有：第一侧；第一集成电路器件，通过第一组导电连接件附接至中介层的第一侧，第一组导电连接件中的每个均具有第一高度；第一管芯封装件，通过第二组导电连接件附接至中介层的第一侧，第二组导电连接件包括第一导电连接件和第二导电连接件，第一导电连接件具有第二高度，第二导电连接件具有第三高度，第三高度不同于第二高度；第一伪导电连接件，位于中介层的第一侧和第一管芯封装件之间；底部填充物，设置在第一集成电路器件和第一管芯封装件下方；以及密封剂，设置在第一集成电路器件和第一管芯封装件周围。本申请的实施例涉及封装件及制造方法。